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プラズマCVD装置 メーカー14社

プラズマCVD装置のメーカー14社一覧や企業ランキングを掲載中！プラズマCVD装置関連企業の2025年4月注目ランキングは1位:ジャパンクリエイト株式会社、2位:新明和工業株式会社、3位:神港精機株式会社となっています。 プラズマCVD装置の概要、用途、原理もチェック！

プラズマCVD装置とは

プラズマCVD装置とは、化学気相成長法の一種を行う装置です。

プラズマCVDはPlasma-Enhanced Chemical Vapor Depositionの略で、原料ガスを低温プラズマ状態 (陽イオンと電子に電離したグロー放電) にし、活性なイオンやラジカルを生成して基盤上で化学反応を起こし、堆積させて薄膜を形成します。

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プラズマエッチング装置 コーティング装置 CVD装置

14社プラズマCVD装置メーカー

ジャパンクリエイト株式会社のプラズマCVD装置

ジャパンクリエイト株式会社

酸化膜/窒化膜プラズマCVD装置(一例)

PR

・2周波独立印可方式を採用。これにより低応力、高硬度、高絶縁性を実現
・特殊表面処理によるメタルコンタミ低減
・広範な膜特性の制御が可能
・ウエハ/ガラス/樹脂等、様々な基板材質に成膜可能
　　各種装置をオーダーメイドで承っております

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新明和工業株式会社のプラズマCVD装置

新明和工業株式会社

プラズマイオン処理装置/ナイフ、工具の窒化・先鋭化

PR

・ステンレス刃物のプラズマ窒化および先鋭化を同時に行うことが可能。
・ダイヤモンド被膜の先鋭化によりダイヤコート工具を仕上げ加工へ適用
・イオンビームと併用し、刃物の先鋭化に貢献
・注射針の刺通抵抗低減（痛くない針）

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プラズマCVD装置 2025年4月のメーカーランキング


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業界別

🍎 食品 💊 製薬・医薬品 🚗 自動車・輸送用機器 🧪 化学 💻 電子・電気機器 ⚙️ プラスチック・ゴム製造

項目別

基板加熱温度 ℃

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制御操作

PC PLC タッチパネル

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40 点の製品

PETボトル用プラズマCVD装置 シングルボトルDLC成膜装置 マニュアルローディング-ジャパンクリエイト株式会社

ジャパンクリエイト株式会社

PETボトル用プラズマCVD装置 シングルボトルDLC成膜装置 マニュアルローディング

食品業界用 製薬・医薬品業界用 プラスチック・ゴム製造業界用

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立体物に成膜可能 立体物対応実験用プラズマCVD装置-株式会社DINOVAC

株式会社DINOVAC

立体物に成膜可能 立体物対応実験用プラズマCVD装置

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■用途・特徴 ・立体物に成膜可能な実験用プラズマCVD装置 ・対応可能膜種：DLC、アモルファスSiC等 ・基材加熱機構付き (最高設定温度...


ロードロック式プラズマCVD装置 CC-200/400-アルバック販売株式会社

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薄膜形成装置 プラズマCVD装置-神港精機株式会社

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薄膜形成装置 プラズマCVD装置

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熱+プラズマCVD装置-株式会社MPS

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PETボトル用プラズマCVD装置 リニアタイプDLC成膜装置 オートマチックローディング-ジャパンクリエイト株式会社

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PETボトル用プラズマCVD装置 リニアタイプDLC成膜装置 オートマチックローディング

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酸化膜／窒化膜プラズマCVD装置

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■特徴 ・2周波独立印可方式により、低応力、高硬度、高絶縁性を実現 ・優れた膜厚分布および再現性を実現 ・特殊表面処理によるメタルコ...


卓上型シランCVD成膜装置 EcoCoat (エココート) -ハイソル株式会社

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卓上型シランCVD成膜装置 EcoCoat (エココート)

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100.0% 返答率

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枚葉式プラズマCVD装置 CMDシリーズ-アルバック販売株式会社

アルバック販売株式会社

枚葉式プラズマCVD装置 CMDシリーズ

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独自のプラズマ制御方式 立体物用プラズマCVD装置-ジャパンクリエイト株式会社

ジャパンクリエイト株式会社

独自のプラズマ制御方式 立体物用プラズマCVD装置

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■特徴 ・チャンバー容積 1m3 ・独自のプラズマ制御方式 ・多段式大量一括処理可能 ・高い汎用性を備えたシンプルな構造 ・様々な製品材...


薄膜・表面改質技術＆装置 プラズマイオン処理装置-新明和工業株式会社

新明和工業株式会社

薄膜・表面改質技術＆装置 プラズマイオン処理装置

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高圧パルスプラズマCVD装置-株式会社MPS

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ダイヤモンド合成用MP-CVD装置 DCVD-301B/601B-アリオス株式会社

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効果的なプラズマフィルム前処理 プラズマフィルムシステムシリーズ

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ICPCVDプロセスモジュール PlasmaPro 100 ICPCVD-オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社

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ICPCVDプロセスモジュール PlasmaPro 100 ICPCVD

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100.0% 返答率

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大型基板用PECVD COPRA Linear Sources-XQ Instruments

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RFプラズマCVD装置-株式会社MPS

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RFプラズマCVD装置

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プラズマCVDシステム PlasmaPro 100 PECVD-オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社

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プラズマCVDシステム PlasmaPro 100 PECVD

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コンパクトな多様なエッチングとデポジションのソリューション PlasmaPro 80 PECVD-オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社

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PlasmaPro 80は、コンパクトな省スペースのシステムであり、多様なエッチングとデポジションのソリューションを、使い易いオープンロー...


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📔 プラズマCVD装置の基礎知識

プラズマCVD装置とは

プラズマCVD装置とは、化学気相成長法の一種を行う装置です。

プラズマCVDはPlasma-Enhanced Chemical Vapor Depositionの略で、原料ガスを低温プラズマ状態 (陽イオンと電子に電離したグロー放電) にし、活性なイオンやラジカルを生成して基盤上で化学反応を起こし、堆積させて薄膜を形成します。

プラズマCVD装置の使用用途

プラズマCVD技術は、切削工具の強化膜 (窒化チタン、窒化炭素、DLC (英: Diamond Like Carbon) ) 、半導体の絶縁膜・保護膜・配線・電極材料 (窒化シリコン、酸化シリコン、銅、アルミニウム、タングステン、多結晶シリコン、化合物半導体など) などに使われています。経済・産業発展の鍵を握るエネルギーの制御や供給を行うための高性能パワーデバイスへの活用も急速に広がっています。

プラズマCVD装置への供給ガスには通常、水素、窒素、アルゴン、アンモニアなどのキャリアガスに、SiH4 (シラン) 、WF6 (六フッ化タングステン) などの原料ガスを混入させたものを用いる場合が多いです。

1.  酸化物

二酸化ケイ素 (SiO2) はシリコンの酸化物です。電気絶縁性と熱安定性に優れており、半導体デバイス層間絶縁膜で使われています。

半導体の薄膜化により、電流が予定していない箇所から漏れ出してしまうリーク電流が発生しやすくなります。SiO2があることで、リーク電流の防止につながります。

2. 窒化物

窒化ケイ素 (Si3N4) はシリコンの窒化物です。強度や熱伝導率に優れており、熱量が多く発生するパワーデバイス向けの基板材料に用いられています。

窒素、アンモニアはSiH4とともに窒化物を形成する際に用いられているため、原料ガスの役割も持っています。一般的な半導体はメモリなど、演算や記憶に関する働きをします。一方パワーデバイスはダイオードのように、ためのものです。

3. 炭化物

炭化ケイ素 (SiC) はGaN (窒化ガリウム、ガン) 、AlGaNなどとともに化合物半導体の仲間でシリコンの炭化物です。Si3N4同様、強度や熱伝導率に優れていることから、SiのIGBTに代わってパワーデバイス向けで使われています。

シリコン化合物に比べて電力損失が少なく、装置の小型化につながります。

4. 金属・金属化合物

トランジスタのゲートはゲート酸化膜 (熱酸化で形成します) とゲート電極 (多くは多結晶シリコン) から形成されます。ゲート電極、ソース・ドレインのコンタクトに使われるタングステンプラグはプラズマCVDで形成されます。 (図3参照)

プラズマCVD装置の原理

図1. プラズマCVD装置の基本構成

原料ガスは目的に応じて10-4～100Pa程度の幅のある減圧範囲から目的に応じた条件を選びます。最も一般的にプラズマ励起に用いられている電源周波数は13.56 MHz (RF:Radio Frequency) であり、放電形式は図1に示すように平行平板電極を用いた容量結合型になります。

並行平板の一方をプロセスガスを供給するシャワーヘッドに用いたり、一方にヒータを入れて温度調節したりする場合もあります。電源周波数、並行平板型以外の電極構造、原料ガスの組成、吐出量、温度など、コントロール可能なパラメータは多いです。そのため、無機物質から有機物質まで、様々な機能性を持たせた各種の薄膜の成膜が可能です。

プラズマCVD装置のその他情報

1. 半導体デバイスの構造と製法

図2. 半導体デバイス (メモリ) の基本構造

プラズマCDV装置は半導体デバイスの製造に多用されますが、例えばメモリデバイスの場合は、図2に示すように基板 (ウエハー) 上に形成されたMOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) の上に多層の複雑な配線層が形成され、層間絶縁膜で分離されています。

MOSFETのゲート電極、配線層、層間絶縁膜などの形成にプラズマCVD装置が主として用いられますが、成膜後に細かいパターン形成が必要です。パターン形成には、基本的には印刷技術が用いられ、図3に示すように以下の手順の繰り返しになります。

図3. 半導体デバイスの基本成膜プロセス

    1. 下地のパターンの上に、新たに形成するパターンの材料 (多結晶シリコン、Al、 C、W、 SiO2、Si3N4など) を均一にCVDで成膜します。
    2. 1の成膜の上に、 (ポジまたはネガ) フォトレジスト膜を形成します。ポジ膜は励起光のよって、溶剤に溶けにくくなり、ネガ膜は溶けやすくなります。
    3. レジストを溶かし、成膜の上に溶け残ったレジストのパターンを形成します。
    4. パターン上部からエッチング (剥離工程) をかけ、成膜を除去します。
    5. レジストを除去します。
    6. 成膜にパターンが形成されます。

以上のプロセスを繰り返すことによって、図2に示したような半導体デバイスが形成可能です。

2. 熱CDVと光CDV

与えるエネルギーによって、プラズマCVD、熱CVD、光CVDに分類できます。

  • 熱CVD
    供給ガスを高温で処理することにより、成分を熱分解・化学反応させ、成膜する方法です。基板がプラスチックなど、熱に弱いものには使えません
  • 光CVD
    レーザー光や、紫外線のエネルギーを用いて科分解・化学反応を活性化する方法
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