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プラズマCVD装置のメーカー14社一覧や企業ランキングを掲載中！プラズマCVD装置関連企業の2025年7月注目ランキングは1位:ジャパンクリエイト株式会社、2位:Applied Materials, Inc.、3位:サムコ株式会社となっています。 プラズマCVD装置の概要、用途、原理もチェック！
プラズマCVD装置とは、化学気相成長法の一種を行う装置です。
プラズマCVDはPlasma-Enhanced Chemical Vapor Depositionの略で、原料ガスを低温プラズマ状態 (陽イオンと電子に電離したグロー放電) にし、活性なイオンやラジカルを生成して基盤上で化学反応を起こし、堆積させて薄膜を形成します。
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2025年7月の注目ランキングベスト6
| 順位 | 会社名 | クリックシェア |
|---|---|---|
| 1 | ジャパンクリエイト株式会社 |
46.7%
|
| 2 | Applied Materials, Inc. |
20.0%
|
| 3 | サムコ株式会社 |
13.3%
|
| 4 | 新明和工業株式会社 |
6.7%
|
| 5 | LAM RESEARCH CORPORATION |
6.7%
|
| 6 | SPPテクノロジーズ株式会社 |
6.7%
|
5 点の製品がみつかりました
5 点の製品
ジャパンクリエイト株式会社
480人以上が見ています
最新の閲覧: 2分前
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
129.3時間 返答時間
■特徴 ・2周波独立印可方式により、低応力、高硬度、高絶縁性を実現 ・優れた膜厚分布および再現性を実現 ・特殊表面処理によるメタルコ...
XQ Instruments
270人以上が見ています
■特徴 ・パワーレベルに比例したイオンエネルギーの上昇が無い為、基板ダメージが少ない ・適用真空範囲が、1ｘ10-4から1ｘ10-1 mbarと...
アルバック販売株式会社
250人以上が見ています
最新の閲覧: 23時間前
100.0% 返答率
183.4時間 返答時間
■概要 ロードロック式プラズマCVD装置CC-200/400は、小型で使いやすく、研究開発から生産までに対応した装置です。 ■用途 ・パワーデバ...
アルバック販売株式会社
180人以上が見ています
100.0% 返答率
183.4時間 返答時間
■概要 枚葉式PE-CVD装置 CME-200E/400は、シリコン系の絶縁膜・バリア膜等の成膜に最適な、量産用PE-CVD装置です。 ■用途 ・パワーデバ...
アルバック販売株式会社
340人以上が見ています
最新の閲覧: 2分前
100.0% 返答率
183.4時間 返答時間
■概要 CMDシリーズはSiH4やTEOSを用いたa-Si膜、シリコン酸化膜、窒化膜成膜用枚葉式CVD装置です。 ■用途 低温P-Si、α-Si TFT ■特長 ...
プラズマCVD装置とは、化学気相成長法の一種を行う装置です。
プラズマCVDはPlasma-Enhanced Chemical Vapor Depositionの略で、原料ガスを低温プラズマ状態 (陽イオンと電子に電離したグロー放電) にし、活性なイオンやラジカルを生成して基盤上で化学反応を起こし、堆積させて薄膜を形成します。
プラズマCVD技術は、切削工具の強化膜 (窒化チタン、窒化炭素、DLC (英: Diamond Like Carbon) ) 、半導体の絶縁膜・保護膜・配線・電極材料 (窒化シリコン、酸化シリコン、銅、アルミニウム、タングステン、多結晶シリコン、化合物半導体など) などに使われています。経済・産業発展の鍵を握るエネルギーの制御や供給を行うための高性能パワーデバイスへの活用も急速に広がっています。
プラズマCVD装置への供給ガスには通常、水素、窒素、アルゴン、アンモニアなどのキャリアガスに、SiH4 (シラン) 、WF6 (六フッ化タングステン) などの原料ガスを混入させたものを用いる場合が多いです。
二酸化ケイ素 (SiO2) はシリコンの酸化物です。電気絶縁性と熱安定性に優れており、半導体デバイス層間絶縁膜で使われています。
半導体の薄膜化により、電流が予定していない箇所から漏れ出してしまうリーク電流が発生しやすくなります。SiO2があることで、リーク電流の防止につながります。
窒化ケイ素 (Si3N4) はシリコンの窒化物です。強度や熱伝導率に優れており、熱量が多く発生するパワーデバイス向けの基板材料に用いられています。
窒素、アンモニアはSiH4とともに窒化物を形成する際に用いられているため、原料ガスの役割も持っています。一般的な半導体はメモリなど、演算や記憶に関する働きをします。一方パワーデバイスはダイオードのように、ためのものです。
炭化ケイ素 (SiC) はGaN (窒化ガリウム、ガン) 、AlGaNなどとともに化合物半導体の仲間でシリコンの炭化物です。Si3N4同様、強度や熱伝導率に優れていることから、SiのIGBTに代わってパワーデバイス向けで使われています。
シリコン化合物に比べて電力損失が少なく、装置の小型化につながります。
トランジスタのゲートはゲート酸化膜 (熱酸化で形成します) とゲート電極 (多くは多結晶シリコン) から形成されます。ゲート電極、ソース・ドレインのコンタクトに使われるタングステンプラグはプラズマCVDで形成されます。 (図3参照)
図1. プラズマCVD装置の基本構成
原料ガスは目的に応じて10-4～100Pa程度の幅のある減圧範囲から目的に応じた条件を選びます。最も一般的にプラズマ励起に用いられている電源周波数は13.56 MHz (RF:Radio Frequency) であり、放電形式は図1に示すように平行平板電極を用いた容量結合型になります。
並行平板の一方をプロセスガスを供給するシャワーヘッドに用いたり、一方にヒータを入れて温度調節したりする場合もあります。電源周波数、並行平板型以外の電極構造、原料ガスの組成、吐出量、温度など、コントロール可能なパラメータは多いです。そのため、無機物質から有機物質まで、様々な機能性を持たせた各種の薄膜の成膜が可能です。
図2. 半導体デバイス (メモリ) の基本構造
プラズマCDV装置は半導体デバイスの製造に多用されますが、例えばメモリデバイスの場合は、図2に示すように基板 (ウエハー) 上に形成されたMOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) の上に多層の複雑な配線層が形成され、層間絶縁膜で分離されています。
MOSFETのゲート電極、配線層、層間絶縁膜などの形成にプラズマCVD装置が主として用いられますが、成膜後に細かいパターン形成が必要です。パターン形成には、基本的には印刷技術が用いられ、図3に示すように以下の手順の繰り返しになります。
図3. 半導体デバイスの基本成膜プロセス
以上のプロセスを繰り返すことによって、図2に示したような半導体デバイスが形成可能です。
与えるエネルギーによって、プラズマCVD、熱CVD、光CVDに分類できます。
