制御・計測・センシング
駆動・機械要素・電子制御部品
産業別カテゴリ
電源・エネルギー・熱処理機器
安全・保護・環境対策
材料・素材・ケミカル
電気・電子部品
構造部品・締結要素
ソフトウェア・ネットワーク
サービス
その他
全てのカテゴリ
閲覧履歴
SiC MOSFETのメーカー17社一覧や企業ランキングを掲載中！SiC MOSFET関連企業の2025年4月注目ランキングは1位:Fast SiC Semiconductor Inc.、2位:株式会社三社電機製作所、3位:ローム株式会社となっています。 SiC MOSFETの概要、用途、原理もチェック！
SiC MOSFETとは、従来のSi基板ではなく、化合物半導体であるSiC (シリコンカーバイド) 基板を使用したMOSFETのことです。
電界効果トランジスタの1種であるMOSFETの半導体基板の材料としています。MOSFETは、オンとオフのスイッチングや、増幅器などの用途に使用されます。材料として用いる半導体基板に化合物半導体であるSiCを用いることによって、従来のSi MOSFETと比較して電圧を印加した状態での抵抗値を低減することができます。
その結果、ターンオフ時のスイッチング損失やパワー動作時の電力損失を小さく抑えることが可能です。半導体チップの性能向上やトランジスタ動作時に必要となる冷却能力を小さくすることできるため、製品自体の小型化につながります。
2025年4月の注目ランキングベスト6
| 順位 | 会社名 | クリックシェア |
|---|---|---|
| 1 | Fast SiC Semiconductor Inc. |
33.3%
|
| 2 | 株式会社三社電機製作所 |
25.0%
|
| 3 | ローム株式会社 |
16.7%
|
| 4 | インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社 |
8.3%
|
| 5 | 基本半導体株式会社 |
8.3%
|
| 6 | Apex Microtechnology, Inc. |
8.3%
|
項目別
耐圧 V
100 - 300 300 - 600 600 - 900 900 - 1,300 1,300 - 1,700電流 A
1 - 100 100 - 200 200 - 500 500 - 800オン抵抗 mΩ
0 - 50 50 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 2,000 2,000 - 16,000ゲート電荷 nC
30 - 70 70 - 100 100 - 130 130 - 140入力容量 pF
1,000 - 3,000 3,000 - 4,000 4,000 - 7,000逆回復時間 ns
100 - 200 200 - 300 300 - 600
株式会社三社電機製作所
420人以上が見ています
最新の閲覧: 7時間前
返信の比較的早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
18.6時間 返答時間
■特徴 IGBTの弱点である高速スイッチングを克服したデバイスです。SiC (シリコンカーバイト) は絶縁破壊強度がSiの10倍であるために同じ...
2種類の品番
株式会社三社電機製作所
340人以上が見ています
最新の閲覧: 6時間前
返信の比較的早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
18.6時間 返答時間
■パワー半導体とは 三社電機グループが開発・製造している半導体は、よく知られているメモリーやマイコンなどの集積回路半導体ではなく...
イサハヤ電子株式会社
210人以上が見ています
最新の閲覧: 9時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
2.6時間 返答時間
Bright Toward Industrial Co., Ltd
280人以上が見ています
最新の閲覧: 6時間前
■半導体ミニチュア固体状リレー 当社のOpto-MOSFETリレーは、リレーの入力と出力が光学的に絶縁されており、高負荷電圧能力に焦点を当て...
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
530人以上が見ています
最新の閲覧: 13時間前
返信の比較的早い企業
100.0% 返答率
21.9時間 返答時間
■概要 エンジニアや自動車メーカーは、インフィニオンの車載用パワーMOSFETなどの高品質製品を使用することで、MOSFET関連の故障を最小...
6種類の品番
Apex Microtechnology, Inc.
370人以上が見ています
最新の閲覧: 8時間前
返信のとても早い企業
100.0% 返答率
4.1時間 返答時間
■特徴 ・各相 30A 連続出力電流、80A ピーク ・最大 400 kHz スイッチング周波数 ・最大 650V 電源電圧 ・内部ブートストラップ動作 ・...
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
620人以上が見ています
最新の閲覧: 1時間前
2011年よりリリースされた高いアバランシェ耐量をもつGEN1シリーズ。汎用品、工業、医療用などの電源に最適です。 1960年代からシリコ...
10種類の品番
株式会社豊港
240人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
返信の比較的早い企業
100.0% 返答率
13.9時間 返答時間
■単結晶SiCの製品を提供しております。 ・2～4インチ4H/6H-P SiCウェーハ ・2～4インチ3C SiCウェーハ ・4～8インチ4H-N SiCウェーハ ・...
二松電気株式会社
310人以上が見ています
最新の閲覧: 8時間前
返信のとても早い企業
100.0% 返答率
0.4時間 返答時間
Comchip Technology (コムチップ テクノロジー) は、2000年に設立された台湾のダイオード、トランジスタのメーカーです。革新的な研究と...
イサハヤ電子株式会社
210人以上が見ています
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
2.6時間 返答時間
Bright Toward Industrial Co., Ltd
280人以上が見ています
最新の閲覧: 9時間前
■半導体ミニチュア固体状リレー 当社のOpto-MOSFETリレーは、リレーの入力と出力が光学的に絶縁されており、高負荷電圧能力に焦点を当て...
エルピーエステック株式会社
1030人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
モーター制御、DCDCコンバーター等用に開発されたSiCモジュールです。 ■特徴 ・高性能Si3N4絶縁基板使用による低熱抵抗 ・高信頼性、長...
7種類の品番
Littelfuseジャパン合同会社
20人以上が見ています
IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプ...
イサハヤ電子株式会社
190人以上が見ています
最新の閲覧: 1時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
2.6時間 返答時間
株式会社豊港
240人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
返信の比較的早い企業
100.0% 返答率
13.9時間 返答時間
■単結晶SiCの製品を提供しております。 ・2～4インチ4H/6H-P SiCウェーハ ・2～4インチ3C SiCウェーハ ・4～8インチ4H-N SiCウェーハ ・...
二松電気株式会社
300人以上が見ています
最新の閲覧: 2時間前
返信のとても早い企業
100.0% 返答率
0.4時間 返答時間
Cystech (システック) は2002年に設立された、台湾のMOSFETを始めとするパワーデバイスのメーカーです。Cystechの製品は、通信、DCファ...
Bright Toward Industrial Co., Ltd
250人以上が見ています
最新の閲覧: 43分前
■半導体ミニチュア固体状リレー 当社のOpto-MOSFETリレーは、リレーの入力と出力が光学的に絶縁されており、高負荷電圧能力に焦点を当て...
イサハヤ電子株式会社
210人以上が見ています
最新の閲覧: 10時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
2.6時間 返答時間
エルピーエステック株式会社
1770人以上が見ています
最新の閲覧: 1時間前
電気自動車、燃料電池車用に開発された三相水冷式SiCパワーモジュールです。 ■特徴 ・電気自動車、燃料電池車等用 ・銀焼結、および高...
3種類の品番
Littelfuseジャパン合同会社
20人以上が見ています
IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプ...
二松電気株式会社
310人以上が見ています
最新の閲覧: 11時間前
返信のとても早い企業
100.0% 返答率
0.4時間 返答時間
Letex Technology は、2001年に台湾で設立された、Photo DMOS-FETリレー、フォトカプラー、およびその他のPhotoの関連製品のメーカーで...
エルピーエステック株式会社
550人以上が見ています
最新の閲覧: 4時間前
モータ制御、DCDCコンバータ等用に開発されたSiCモジュールです。 ■特徴 ・高性能Si3N4絶縁基板使用による低熱抵抗 ・高信頼性、長寿命...
9種類の品番
二松電気株式会社
280人以上が見ています
最新の閲覧: 2時間前
返信のとても早い企業
100.0% 返答率
0.4時間 返答時間
Willas Electronic Corp. (威倫電子) は、1982年に設立された台湾のトランジスタ、ダイオードのメーカーです。整流ダイオード、ブリッジ...
Bright Toward Industrial Co., Ltd
250人以上が見ています
最新の閲覧: 6時間前
■半導体ミニチュア固体状リレー 当社のOpto-MOSFETリレーは、リレーの入力と出力が光学的に絶縁されており、高負荷電圧能力に焦点を当て...
Littelfuseジャパン合同会社
30人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプ...
二松電気株式会社
280人以上が見ています
最新の閲覧: 20時間前
返信のとても早い企業
100.0% 返答率
0.4時間 返答時間
Formosa Microsemiは、1996年に設立された台湾のダイオード、トランジスタ、MOS-FETのメーカーです。主に、スイッチングダイオード、高...
エルピーエステック株式会社
480人以上が見ています
最新の閲覧: 11時間前
電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサー等用に開発されたSiCモジュールです。 ■特徴 1.高速SiC MOSFET 2.Pressfit端子 3.高性能Si...
8種類の品番
Bright Toward Industrial Co., Ltd
220人以上が見ています
最新の閲覧: 6時間前
■半導体ミニチュア固体状リレー 当社のOpto-MOSFETリレーは、リレーの入力と出力が光学的に絶縁されており、高負荷電圧能力に焦点を当て...
エルピーエステック株式会社
410人以上が見ています
最新の閲覧: 16時間前
電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサー等用に開発されたSiCモジュールです。 ■特徴 ・高速SiC MOSFET ・Pressfit端子 ・高性能Si...
5種類の品番
Littelfuseジャパン合同会社
30人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
デプリーションモードMOSFETは、通常のエンハンスメント型MOSFETとは異なり、オフにするために負のゲートバイアスを必要とします。その...
検索結果 83件 (1ページ/2ページ)
SiC MOSFETとは、従来のSi基板ではなく、化合物半導体であるSiC (シリコンカーバイド) 基板を使用したMOSFETのことです。
電界効果トランジスタの1種であるMOSFETの半導体基板の材料としています。MOSFETは、オンとオフのスイッチングや、増幅器などの用途に使用されます。材料として用いる半導体基板に化合物半導体であるSiCを用いることによって、従来のSi MOSFETと比較して電圧を印加した状態での抵抗値を低減することができます。
その結果、ターンオフ時のスイッチング損失やパワー動作時の電力損失を小さく抑えることが可能です。半導体チップの性能向上やトランジスタ動作時に必要となる冷却能力を小さくすることできるため、製品自体の小型化につながります。
SiC MOSFETは、パワーエレクトロニクスの分野の電子機器などの、リレーやスイッチング電源、イメージセンサなどの多くの半導体製品で使用されています。SiC MOSFETを採用することによって、スイッチングのオフ時の損失低減から高速のスイッチングが可能となるため、通信機器にも使用されるケースが多いです。
SiC MOSFETを選定する際は、製品アプリケーションの動作状態、すなわち絶対最大定格や電気的特性、パッケージの使用やサイズなどを考慮する必要があります。
SiC MOSFETは、同程度の耐圧を維持しながらも、低いON抵抗やターンオフ時の低損失な動作ができるMOSFETの構造を実現できます。これは、Si基板と比較して約3倍のバンドギャップエネルギーと約10倍の破壊電界強度の物性値を有するSiC基板を材料に用いたトランジスタであるがゆえに、活性層の層厚を薄くできるためです。
SiC MOSFETは、p型半導体とn型半導体が積層された構造をしています。通常は、p型半導体の上にn型半導体が積層しており、n型半導体にはドレインとソースの電極、n型半導体の間には酸化絶縁層とゲートの電極が取り付けられています。また、ボディのシリコンウェーハには化合物半導体であるSiC (シリコンカーバイト) がエピ基板として使用されています。
MOSFETではゲートにプラスの電圧を印加することで、ソースとドレインの間に電流が流れます。この際、シリコンウェーハにSiCを利用しているSiC MOSFETは、Siのみを利用しているMOSFETに比べて、ソースとドレインの間の電圧や電流を大きくしても動作させることが可能です。半導体の不純物の濃度を上げられるため、損失の低減や小型化が可能となっています。
IGBTは、通常のSi MOSFETでは対応が困難な大パワー領域での使用用途に用いられるトランジスタですが、昨今この領域にSiC MOSFETデバイスが用いられるようになってきています。理由は、SiCのバンドギャップエネルギーが大きいことにより、IGBTと比較して高温動作が可能なためです。また、IGBTの場合の後段のバイポーラトランジスタのスイッチング損失が大きいという課題をクリアできることも理由として挙げられます。
以前はSiCエピ基板が小口径であり、量産性やコスト面で厳しい状況でした。しかし、最近では8インチ対応が可能になっており、量産性や価格も改善されている状況にあります。
比較的大きな10kWを超える大電力を扱うアプリケーション、例えば電気自動車 (EV) 用途や発電システム用途、住宅用電力用途などに積極的に活用されています。
SiCと並んで注目されているワイドバンドギャップ半導体に、GaN (窒化ガリウム) があります。GaNはSiCと比較してもさらにバンドギャップエネルギーが大きく、絶縁破壊強度も大きなデバイスであり、研究機関を中心に活発な研究がなされています。
GaNは一般にSi基板上にGaNの活性層を形成する構造であるため、SiC MOSFETほどの大出力用途には対応が厳しいです。市場では、1KW相当の電力を扱うアプリケーションで比較的検討がなされています。例をあげると、5G基地局向けの高パワーアンプ用途やPCやUSBを介したバッテリーの充電用途でよく用いられています。
GaNデバイスもSiC MOSFETと同様に高温動作が可能であり、冷却機器や過度な排熱構造を必要としないため、小型のPC電源アダプターとして、昨今広く普及するに至っています。
参考文献
https://www.rohm.co.jp/electronics-basics/sic/sic_what3
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejjournal/125/1/125_1_25/_pdf
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejias/125/3/125_3_229/_pdf
