SiC MOSFET
メーカー17社【2025年】

SiC MOSFETについての概要、用途、原理などをご説明します。また、SiC MOSFETのメーカー17社一覧や企業ランキングも掲載しておりますので是非ご覧ください。SiC MOSFET関連企業の2025年2月注目ランキングは1位:株式会社三社電機製作所、2位:リベラ電子株式会社、3位:インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社となっています。

SiC MOSFETとは？
SiC MOSFETのメーカー17社
SiC MOSFET83製品

SiC MOSFETとは

SiC MOSFETとは、従来のSi基板ではなく、化合物半導体であるSiC (シリコンカーバイド) 基板を使用したMOSFETのことです。

電界効果トランジスタの1種であるMOSFETの半導体基板の材料としています。MOSFETは、オンとオフのスイッチングや、増幅器などの用途に使用されます。材料として用いる半導体基板に化合物半導体であるSiCを用いることによって、従来のSi MOSFETと比較して電圧を印加した状態での抵抗値を低減することができます。

その結果、ターンオフ時のスイッチング損失やパワー動作時の電力損失を小さく抑えることが可能です。半導体チップの性能向上やトランジスタ動作時に必要となる冷却能力を小さくすることできるため、製品自体の小型化につながります。

SiC MOSFETの使用用途

SiC MOSFETは、パワーエレクトロニクスの分野の電子機器などの、リレーやスイッチング電源、イメージセンサなどの多くの半導体製品で使用されています。SiC MOSFETを採用することによって、スイッチングのオフ時の損失低減から高速のスイッチングが可能となるため、通信機器にも使用されるケースが多いです。

SiC MOSFETを選定する際は、製品アプリケーションの動作状態、すなわち絶対最大定格や電気的特性、パッケージの使用やサイズなどを考慮する必要があります。

SiC MOSFETの原理

SiC MOSFETは、同程度の耐圧を維持しながらも、低いON抵抗やターンオフ時の低損失な動作ができるMOSFETの構造を実現できます。これは、Si基板と比較して約3倍のバンドギャップエネルギーと約10倍の破壊電界強度の物性値を有するSiC基板を材料に用いたトランジスタであるがゆえに、活性層の層厚を薄くできるためです。

SiC MOSFETは、p型半導体とn型半導体が積層された構造をしています。通常は、p型半導体の上にn型半導体が積層しており、n型半導体にはドレインとソースの電極、n型半導体の間には酸化絶縁層とゲートの電極が取り付けられています。また、ボディのシリコンウェーハには化合物半導体であるSiC (シリコンカーバイト) がエピ基板として使用されています。

MOSFETではゲートにプラスの電圧を印加することで、ソースとドレインの間に電流が流れます。この際、シリコンウェーハにSiCを利用しているSiC MOSFETは、Siのみを利用しているMOSFETに比べて、ソースとドレインの間の電圧や電流を大きくしても動作させることが可能です。半導体の不純物の濃度を上げられるため、損失の低減や小型化が可能となっています。

SiC MOSFETのその他情報

1. SiC MOSFETとIGBTとのすみ分け

IGBTは、通常のSi MOSFETでは対応が困難な大パワー領域での使用用途に用いられるトランジスタですが、昨今この領域にSiC MOSFETデバイスが用いられるようになってきています。理由は、SiCのバンドギャップエネルギーが大きいことにより、IGBTと比較して高温動作が可能なためです。また、IGBTの場合の後段のバイポーラトランジスタのスイッチング損失が大きいという課題をクリアできることも理由として挙げられます。

以前はSiCエピ基板が小口径であり、量産性やコスト面で厳しい状況でした。しかし、最近では8インチ対応が可能になっており、量産性や価格も改善されている状況にあります。

比較的大きな10kWを超える大電力を扱うアプリケーション、例えば電気自動車 (EV) 用途や発電システム用途、住宅用電力用途などに積極的に活用されています。

2. SiCデバイスとGaNデバイスの違い

SiCと並んで注目されているワイドバンドギャップ半導体に、GaN (窒化ガリウム) があります。GaNはSiCと比較してもさらにバンドギャップエネルギーが大きく、絶縁破壊強度も大きなデバイスであり、研究機関を中心に活発な研究がなされています。

GaNは一般にSi基板上にGaNの活性層を形成する構造であるため、SiC MOSFETほどの大出力用途には対応が厳しいです。市場では、1KW相当の電力を扱うアプリケーションで比較的検討がなされています。例をあげると、5G基地局向けの高パワーアンプ用途やPCやUSBを介したバッテリーの充電用途でよく用いられています。

GaNデバイスもSiC MOSFETと同様に高温動作が可能であり、冷却機器や過度な排熱構造を必要としないため、小型のPC電源アダプターとして、昨今広く普及するに至っています。

参考文献
https://www.rohm.co.jp/electronics-basics/sic/sic_what3
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejjournal/125/1/125_1_25/_pdf
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejias/125/3/125_3_229/_pdf

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SiC MOSFETメーカー 17社

*一部商社などの取扱い企業なども含みます。

SiC MOSFET モジュール (2 in 1) 業界トップクラスの短絡耐量注目製品
株式会社三社電機製作所

■高耐圧1700Vの実現により、効率的な回路アプリケーションが可能
■当社独自のTechno Blockパッケージ技術を採用することで、製品が小型化され、長期的な信頼性を確保
■ダイオード機能を内蔵したDioMOSチップを搭載しているため、高速動作が可能

CoolSiC™ MOSFET 注目製品
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

・低静電容量、温度に依存しないスイッチング損失、逆回復電荷の低い真性ダイオード、スレッショルドフリーのオン状態特性
・650V、1200V、1700V、2000Vのディスクリートおよびモジュール製品をラインアップ
・TO-247やD2PAKに加え、第2世代品から上面放熱QDPAKパッケージが新登場

SIC MOSFET 注目製品
リベラ電子株式会社

◆SICパワーデバイス
◆高耐圧、低オン抵抗、高速
◆基板実装の協力工場探し・小ロット生産まで対応
◆市場にないものはお客様と製作可能

- - 株式会社三社電機製作所メーカー
    業界最大級のトランスファーモールドパッケージをラインアップ
  - 会社サイト上場(東証スタンダード) 創業: 1933年従業員数: 667人資本金: 2,774,277,500円会社詳細
  - 住所: 大阪府大阪市東淀川区西淡路3丁目1番56号
- 三社電機製作所は「パワー半導体技術と電源機器技術の融合」をコンセプトにさまざまなパワー半導体と、大電力から小電力までの多様な産業用電源機器を国内外で提供し、社会を支えています。
- - インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社メーカー
    パワー半導体世界シェアNo.1の製品群
  - 会社サイト創業: 1980年従業員数: 650人資本金: 120,000,000円会社詳細
  - 住所: 東京都渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント
- パワーデバイス GaN/SiC/Si 多様なパッケージ
  
  インフィニオンは、パワーシステムとIoT における半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。
- - リベラ電子株式会社メーカー商社・代理店
    SIC MOSFET　一覧
  - 会社サイト創業: 1984年従業員数: 12人資本金: 13,000,000円会社詳細
  - 住所: 群馬県高崎市上並榎町755-11
- SIC MOSFET 高耐圧低オン抵抗
  
  1984年に太陽誘電㈱代理店として設立
  電子部品探し物、基板、実装組立、表面処理、板金、取り扱いしてます
  問い合わせ頂ければ全力で対応します
- - 株式会社東芝メーカー
    SiC MOSFET
  - 会社サイト上場(東証プライム) 創業: 1875年従業員数: 116,224人会社詳細
  - 住所: 東京都港区芝浦1-1-1
- - 東芝デバイス&ストレージ株式会社メーカー
    SiC MOSFET一覧
  - 会社サイト創業: 1873年従業員数: 4,100人会社詳細
  - 住所: 東京都港区芝浦1-1-1
- - 新電元工業株式会社メーカー
    MOSFET
  - 会社サイト上場(東証プライム) 創業: 1949年従業員数: 5,268人会社詳細
  - 住所: 東京都千代田区大手町二丁目2番1号新大手町ビル
- - 三菱電機株式会社メーカー
    SiC-MOSFET一覧
  - 会社サイト上場(東証プライム) 創業: 1921年従業員数: 145,696人会社詳細
  - 住所: 東京都千代田区丸の内2-7-3東京ビル
- - ローム株式会社メーカー
    SiC MOSFET一覧
  - 会社サイト上場(東証プライム) 創業: 1958年従業員数: 23,754人資本金: 86,969,000,000円会社詳細
  - 住所: 京都府京都市右京区西院溝崎町21
- - オン・セミコンダクター株式会社メーカー
    シリコンカーバイド MOSFET
  - 会社サイト会社詳細
  - 住所: 東京都品川区大崎二丁目1番1号 ThinkPark Tower 6F
- - STマイクロエレクトロニクス株式会社メーカー
    SiCパワーMOSFET一覧
  - 会社サイト会社詳細
  - 住所: 東京都港区港南2-15-1品川インターシティA棟17F
- - Qorvo, Inc. メーカー
    SiC FET一覧
  - 会社サイト創業: 2015年従業員数: 8,000人会社詳細
  - 本社: アメリカ
- - 株式会社同人産業
    SiC MOSFET
  - 会社サイト創業: 2009年従業員数: 5人資本金: 10,000,000円会社詳細
  - 住所: 大阪府大阪市淀川区西宮原1-7-45-1201
- - 基本半導体株式会社
    SiC MOSFET
  - 会社サイト会社詳細
  - 住所: 愛知県名古屋市西区牛島町6番1号名古屋ルーセントタワー40階
- - Fast SiC Semiconductor Inc.
    SiC MOSFET製品ページ
  - 会社サイト創業: 2019年会社詳細
  - 住所: 東京都港区港南1-9-36 アレア品川ビル13階
- - Wolfspeed, Inc.
    SiC MOSFET一覧
  - 会社サイト会社詳細
  - 本社: アメリカ
- - Diotec Semiconductor AG
    SiC MOSFETs
  - 会社サイト創業: 1973年従業員数: 330人会社詳細
  - 本社: ドイツ
- - Apex Microtechnology, Inc.
    リニアパワーオペアンプ、SiCパワーモジュール、高精度IC、PWMアンプ、電圧リファレンス製品一覧
  - 会社サイト創業: 1980年会社詳細
  - 本社: アメリカ

SiC MOSFET 2025年2月のメーカーランキング

*一部商社などの取扱い企業なども含みます

2025年2月の注目ランキングベスト8

順位	会社名	クリックシェア
1	株式会社三社電機製作所	31.6%
2	リベラ電子株式会社	15.8%
3	インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社	15.8%
4	Fast SiC Semiconductor Inc.	10.5%
5	三菱電機株式会社	10.5%
6	Qorvo, Inc.	5.3%
7	Wolfspeed, Inc.	5.3%
8	ローム株式会社	5.3%