株式会社三社電機製作所
株式会社エルムテクノロジー
東芝デバイス&ストレージ株式会社
日本パナトロニック株式会社
日本テキサス・インスツルメンツ合同会社
新電元工業株式会社
富士電機株式会社
ローム株式会社
ルネサスエレクトロニクス株式会社
パナソニック スマートファクトリーソリューションズ株式会社
トレックス・セミコンダクター株式会社
ダイトロン株式会社

【2022年版】MOSFET5選 / メーカー17社一覧

MOSFETについての概要、用途、原理などをご説明します。また、MOSFETのメーカー17社一覧企業ランキングも掲載しておりますので是非ご覧ください。MOSFET関連企業の2022年9月注目ランキングは1位:新電元工業株式会社、2位:株式会社三社電機製作所、3位:ルネサスエレクトロニクス株式会社となっています。

目次

Metoreeでは各社カタログを無料で一括でダウンロードできるので、製品比較時に各社サイトで毎回情報を登録する手間を短縮することができます。

MOSFETのカタログ一覧はこちら
株式会社カナデンのMOSFETのカタログ

企業

株式会社カナデン

MOSFETのメーカー17社一覧

*一部商社などの取扱い企業なども含みます。

企業の並び替え

  • 標準
  • 従業員数順
  • 資本金の大きい順
  • 設立年古い順
  • 設立年新しい順
  • 上場企業順

MOSFETのメーカーランキング

*一部商社などの取扱い企業なども含みます

注目ランキング導出方法について

注目ランキングは、2022年9月のMOSFETページ内でのクリックシェアを基に算出しています。クリックシェアは、対象期間内の全企業の総クリック数を各企業のクリック数で割った値を指します。

社員数の規模

  1. オン・セミコンダクター: 34,000人
  2. 富士電機: 27,960人
  3. ローム: 22,516人

設立年の新しい会社

  1. パナソニック スマートファクトリーソリューションズ: 2017年
  2. ルネサスエレクトロニクス: 2002年
  3. オン・セミコンダクター: 1999年

歴史のある会社

  1. 東芝デバイス&ストレージ: 1873年
  2. 富士電機: 1923年
  3. Littelfuse, Inc.: 1927年

MOSFETのカタログ一覧(1件)

Metoreeに登録されているMOSFETが含まれるカタログ一覧です。無料で各社カタログを一括でダウンロードできるので、製品比較時に各社サイトで毎回情報を登録する手間を短縮することができます。



株式会社カナデンのカタログ



MOSFET5選

株式会社三社電機製作所
FCA150AC120

FCA150AC120 画像出典: 株式会社三社電機製作所公式サイト

特徴

FCA150AC120は(株)三社電機製作所のパッケージ技術と(株)パナソニックのSiC-MOSFETを組み合わせた信頼性の高いスイッチングです。

サイズは99 mm×32 mm×21 mmと小型で、かつ低消費電力での動作が可能です。

最大電圧はドレイン・ソース間で1200 V、ゲート・ソース間で-7 V~+22 Vです。

また最大電流はドレイン電流、ソース電流のいずれも150 Aとなっています。

動作温度は-40 ℃から+150 ℃、保管温度は-40 ℃~+125 ℃が推奨されています。RDSにはほとんど温度依存性がなく使用できます。

株式会社三社電機製作所の会社概要

  • 会社所在地: 大阪府大阪市東淀川区西淡路3丁目1番56号
  • 会社サイト
  • 創業: 1933年
  • 従業員数: 684人
  • 資本金: 2,147,483,647円

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株式会社エルムテクノロジー
シングルNチャンネル

特徴

シングルNチャンネルELM52444WSA-Nは、大電流出力のMOSFETでありながら、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗などの優れた特性を備えています。

最大電圧はドレイン・ソース間で30 V、ゲート・ソース間で-20 V~+20 Vです。また最大の連続ドレイン電流は25 ℃において11 A、70 ℃において8.8 Aまで出力可能です。

ON抵抗については、ゲートソース電圧が10 VのときはRDSは15 mΩ、4.5 Vでは20 mΩと極めて低い値です。

また動作接合部温度は150 ℃、保管温度は-55 ℃~+150 ℃が推奨されています。

株式会社エルムテクノロジーの会社概要

  • 会社所在地: 東京都新宿区山吹町261番地トリオタワーセントラル3階
  • 会社サイト
  • 創業: 1990年

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日本パナトロニック株式会社
一覧

特徴

SupIR SMD-2は、宇宙環境での耐放射線性能に優れたMOSFET内蔵パッケージです。

従来はデッドバグ方式と呼ばれるはんだ付けを利用した実装手法では、熱放散効率が最適でなく、MOSFETの電力容量が減少する課題がありました。

しかし、本パッケージをPCBに直接実装することで、直接的な熱伝導経路を確保しただけでなく、フットプリントの削減や質量の軽量化、電流密度増加などの性能が向上しています。

人工衛星や宇宙電力システム、ペイロード電源として使用することができます。

日本パナトロニック株式会社の会社概要

  • 会社所在地: 東京都多摩市落合1-15-2多摩センタートーセイビル5F
  • 会社サイト
  • 創業: 1990年

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ローム株式会社
SiC MOSFET SCT3160KW7

SiC MOSFET SCT3160KW7 画像出典: ローム株式会社公式サイト

特徴

SCT3160KW7は、第3世代トレンチゲートを使用したSiC MOSFETです。

従来のプレーナゲートと比べて抵抗が約50 %低いため、高効率が必要な各種装置(サーバ電源や太陽光発電コンバータ、電気自動車充電ステーションなど)に適しています。

さらに新たな7ピンパッケージ採用することでソース端子のインダクタンス部品によるゲート電圧低下が抑えられ、スイッチング性能が極めて優れています。

最大電圧はドレイン・ソース間で1200 V、ゲート・ソース間で-4 V~+22 Vです。

また、-55 ℃~+175 ℃での保管が推奨されています。

ローム株式会社の会社概要

  • 会社所在地: 京都府京都市右京区西院溝崎町21
  • 会社サイト
  • 創業: 1958年
  • 従業員数: 22,516人
  • 資本金: 2,147,483,647円

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トレックス・セミコンダクター株式会社
XP221P05013R

特徴

XP221P05013Rは汎用PチャンネルMOSFETで、低ON抵抗や高速スイッチング性能を兼ね備えています。また、サイズは2.1 mm×1.25 mm×0.95 mmと非常に小型です。

ON抵抗はゲートソース電圧が-4.5 VにおいてRDS = 1.3 Ωと小さな値で、駆動電圧は-1.8 Vです。

最大電圧はドレイン・ソース間で-20 V、ゲート・ソース間で-8 V~+8 Vです。最大の連続ドレイン電流は25 ℃において-0.5 Aとなっています。

また動作接合部温度は150 ℃、保管温度は-55 ℃~+150 ℃が推奨されています。

ゲート保護ダイオードによる静電対策もされており、リレー回路やスイッチング回路など、幅広く使用可能です。

トレックス・セミコンダクター株式会社の会社概要

  • 会社所在地: 東京都中央区新川1-24-1DAIHOANNEX3F
  • 会社サイト
  • 創業: 1995年
  • 従業員数: 172人
  • 資本金: 2,147,483,647円

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