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パワートランジスタ メーカー9社

パワートランジスタのメーカー9社一覧や企業ランキングを掲載中！パワートランジスタ関連企業の2025年6月注目ランキングは1位:東芝デバイス&ストレージ株式会社、2位:サンケン電気株式会社、3位:オン・セミコンダクター株式会社となっています。 パワートランジスタの概要、用途、原理もチェック！

パワートランジスタとは

パワートランジスタとは、動作時の許容電力が1W以上のトランジスタです。

大きな電流を用いて駆動する電気機器に使用されています。パワートランジスタの主な役割は、電流の増幅、スイッチング、交流の整流です。

扱う電流が大きいため、動作時の発熱が大きく、ケースに耐熱の金属が使用されていたり、放熱用のフィンが付随していたりする製品もあります。パワートランジスタの中でもいくつか種類があり、バイポーラパワートランジスタ、MOSFET、IGBTなどが代表的です。

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9社パワートランジスタメーカー

パワートランジスタ 2025年6月のメーカーランキング


見積もりの使い方

業界別

🚗 自動車・輸送用機器

項目別

使用用途

#電源回路

#インバータ

#モータ制御

#照明機器

#通信機器

#車載機器

#産業機器

#医療機器

#民生機器

#太陽光発電

#鉄道機器

#航空宇宙

電圧 V

-50 - 0

0 - 50

50 - 200

200 - 1,000

1,000 - 1,500

電流 A

-50 - 0

0 - 20

20 - 80

80 - 160

RDS ON mΩ

0 - 10

10 - 50

50 - 100

100 - 300

VGS th V

-3 - -1

-1 - 1

1 - 3

3 - 7

ID 最大値 A

-40 - 0

0 - 20

20 - 40

40 - 120

Ciss pF

0 - 500

500 - 1,000

1,000 - 5,000

5,000 - 10,000

TJ 最大値 °C

140 - 160

160 - 180

構成

シングル

相補型

67 点の製品がみつかりました

67 点の製品

業界最高 8Vゲート耐圧の150V GaN HEMT量産体制を確立 EcoGaN TM シリーズ GNE10xxTB-ローム株式会社

ローム株式会社

業界最高 8Vゲート耐圧の150V GaN HEMT量産体制を確立 EcoGaN TM シリーズ GNE10xxTB

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Power MOSFET (Si/SiC) -インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

Power MOSFET (Si/SiC)

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■概要 エンジニアや自動車メーカーは、インフィニオンの車載用パワーMOSFETなどの高品質製品を使用することで、MOSFET関連の故障を最小...

6種類の品番

車載用MOSFET-Power MOSFET (Si/SiC)
Pチャネル パワーMOSFET-Power MOSFET (Si/SiC)
250V～600V小信号／小型パワーMOSFET-Power MOSFET (Si/SiC)
60V～600V NチャネルディプリーションモードMOSFET-Power MOSFET (Si/SiC)
デュアルMOSFET-Power MOSFET (Si/SiC)
SiC (炭化ケイ素) CoolSiC™MOSFET-Power MOSFET (Si/SiC)

セミコンダクター IGBT-東和電子株式会社

東和電子株式会社

セミコンダクター IGBT

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) は、MOSFETの様にゲート・エミッター間電圧を制御することで、コレクター・エミッター間をON...


IGBT-株式会社三社電機製作所

株式会社三社電機製作所

IGBT

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■特長 MOSFETを高耐圧化するためにはドリフト層を厚くする必要があり、オン抵抗が高くなるという弱点があります。IGBTは裏面側P層からホ...

2種類の品番

GSA75AA120-IGBT
GSA100AA60-IGBT

スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1) -アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1)

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ICE10N60-スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1)
ICE10N60B-スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1)
ICE10N60FP-スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1)
ICE11N70-スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1)
ICE11N70FP-スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1)
ICE15N60-スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1)

APEC IGBT-株式会社グローセル

株式会社グローセル

APEC IGBT

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2.3時間 返答時間

ノンパンチスルー (NPT) 型とフィールドストップ型の400Vと1200Vの製品をラインアップ。400V品はESDダイオードを内蔵し、1200V品はファ...


半導体製品 AC/DCコンバータIC MOS内蔵 擬似共振 (Quasi-Resonant: QR) 方式-サンシン電気株式会社

サンシン電気株式会社

半導体製品 AC/DCコンバータIC MOS内蔵 擬似共振 (Quasi-Resonant: QR) 方式

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34.7時間 返答時間

■擬似共振 (Quasi-Resonant: QR) 方式 ボトムオンスイッチングにより、低ノイズな制御方式です。小～中電力の用途に適しています。 ■ST...


自動車用 MOSFETs-株式会社タイワン・セミコンダクター

株式会社タイワン・セミコンダクター

自動車用 MOSFETs

自動車・輸送用機器業界用

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トランジスタ IGBT-敬誠株式会社

敬誠株式会社

トランジスタ IGBT

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■特徴 ・特長:低飽和電圧 ・回路数:2 ・ダイオード内蔵:あり ・RoHS Compatible Product (s) 適合品あり


半導体 IC リール販売 トランジスタ各種-フルタカ電気株式会社

フルタカ電気株式会社

半導体 IC リール販売 トランジスタ各種

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195.0時間 返答時間

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パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ-インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

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21.9時間 返答時間

IGBTディスクリート、プレスパック、パワーモジュール、そして様々な電圧／電流クラスのスタックソリューションまで多種多様なデバイス...

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IGBTディスクリート-パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
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IGBTベアダイ-パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
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SiC MOSFET-株式会社三社電機製作所

株式会社三社電機製作所

SiC MOSFET

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スーパージャンクションMOSFET Gen2 (Superjunction MOSFET Gen2) -アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

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2023年より順次展開されておりますGEN2シリーズ。GEN1と比較し、よりQgやRdsonが低くなるように工夫されており、小型化されたパッケージ...

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パワーMOSFET XP151A11B0MR シリーズ-トレックス・セミコンダクター株式会社

トレックス・セミコンダクター株式会社

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■20V 1A N-ch パワーMOSFET XP151A11B0MRは、低オン抵抗、超高速スイッチング特性を実現したNチャネルパワーMOS FET です。スイッチング...


パワー 窒化ガリウム (GaN) -インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

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パワー 窒化ガリウム (GaN)

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ディスクリート / SiC MOSFET-株式会社三社電機製作所

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ディスクリート / SiC MOSFET

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パワー インフィニオンスマートパワースイッチ-インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

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■インフィニオンの車載および産業用アプリケーション向けのローサイドおよびハイサイドスマートパワースイッチの包括的かつ革新的なポー...

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インフィニオンの最新パワーパッケージ sTOLL-インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

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インフィニオンの最新パワーパッケージ sTOLL

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GaNトランジスター-株式会社タイワン・セミコンダクター

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GaNパワー台湾セミコンダクターは、5×6 および 8×8 mm の小型フットプリントで熱効率の高い PDFN パッケージにパッケージされた 650V エ...


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電源･モータ駆動･高周波増幅･ロードスイッチなど各用途に適した製品を展開しています。民生機器･自動車機器の各信頼性レベルに合わせて...


敬誠株式会社

トランジスタ パワーMOSFET

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トランジスタ インテリジェントパワーデバイス サーマルFET

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📔 パワートランジスタの基礎知識

パワートランジスタとはパワートランジスタ

パワートランジスタとは、動作時の許容電力が1W以上のトランジスタです。

大きな電流を用いて駆動する電気機器に使用されています。パワートランジスタの主な役割は、電流の増幅、スイッチング、交流の整流です。

扱う電流が大きいため、動作時の発熱が大きく、ケースに耐熱の金属が使用されていたり、放熱用のフィンが付随していたりする製品もあります。パワートランジスタの中でもいくつか種類があり、バイポーラパワートランジスタ、MOSFET、IGBTなどが代表的です。

パワートランジスタの使用用途

パワートランジスタは、動作に大きな電流が必要な電気機器のスイッチングや電流の増幅といった用途に使用されます。代表的な使用先は、エアコン・冷蔵庫・洗濯機などの家電製品、太陽光発電、電気自動車などです。

使用先によって、許容電流や電圧、動作時の生成熱、サイズなどを考慮することが必要です。高精度に動作する必要がある製品が使用先である場合には、スイッチングの速度なども考慮して、回路を流れる電流のスイッチングや電流の増幅を行います。

パワートランジスタの原理

パワートランジスタの動作原理は、バイポーラトランジスタ、MOSFET、IGBTなど、種類によって異なります。

1. バイポーラトランジスタ

バイポーラトランジスタとは、N型半導体とP型半導体を3層で接合している構造のトランジスタです。バイポーラトランジスタを構成している半導体からは、それぞれの半導体から端子が出ており、「ベース」「エミッタ」「コレクタ」と言います。

エミッタとコレクタに電圧を印加した状態で、ベースに電流が流れると、エミッタとコレクタ間に大きな電流が流れます。

2. MOSFET

MOSFETとは、バイポーラトランジスタと同じような構造を持つトランジスタです。端子の名前は「ソース」「ドレイン」「ゲート」と言います。

ゲートに電圧を印加すると、ソースとドレイン間に電流が流れます。高速でのスイッチングが可能なため、素早い制御が必要な製品に使用されるトランジスタです。

3. IGBT

IGBTとは、上記2つのトランジスタと同様の構造を持つトランジスタです。端子は、「ゲート」「エミッタ」「コレクタ」と言います。

エミッタとコレクタをバイポーラトランジスタから、ゲートをMOSFETから採用して組み合わせた構造です。上記2つのトランジスタの良い点を併せ持った、適用範囲が広いタイプのトランジスタです。

パワートランジスタの種類

パワートランジスタの種類には大きく分けて、「バイポーラトランジスタ」と「電解効果トランジスタ」があります。なお、単にトランジスタと言えば、一般にバイポーラトランジスタのことです。

1. バイポーラトランジスタ

バイポーラトランジスタは電流制御素子です。半導体の重ね方によってNPN形とPNP形があります。一般的に端子は3本で、出力される電流の経路が2本 (入力と出力) と、出力電流を制御する入力が1本です。

一般的にエミッタ接地回路が使われ、ベース (B) に入力信号、コレクター (C) に+電源、エミッター (E) を接地します。バイポーラトランジスタの直流電流増幅率はβまたはhFEで表され、数十～200程度です。また、βを稼ぐためにダーリントン構造のパワートランジスタも用意されています (こちらはβが数百～数千程度) 。

2. 電界効果トランジスタ

一方の電界効果トランジスタは電圧制御素子です。NチャンネルまたはPチャンネルの構造になっています。

一般的に端子は3本で、出力される電圧の経路が2本 (入力と出力) と、出力電圧を制御する入力が1本です。一般的にソース接地回路が使われ、ゲート (G) に入力信号、ドレイン (D) に+電源、ソース (S) は接地します。

電解効果トランジスタの直流電圧増幅率は、相互コンダクタンス (gm) で表されます。スイッチング特性では、パワートランジスタよりも優れており、スイッチング電源などに多用されるスイッチング素子です。

パワートランジスタのその他情報

NPNトランジスタとPNPトランジスタの確認

出力部・電源部に使われることが多いトランジスタが故障してしまうと、回路の出力が無くなるか、不安定になることがあります。そのため、トランジスタが故障していないかどうかを調べることが大切です。

1. NPNトランジスタ
NPNトランジスタの場合 (2SCまたは2SD) は、以下を確認します。

  • ベース (B) をプラスにして、コレクタ (C) に導通し、逆方向は不通
  • ベース (B) をプラスにして、エミッタ (E) に導通し、逆方向は不通
  • コレクタ (C) －エミッタ (E) はどちらの向きも不通

これら3つすべてが成立すれば、トランジスタは大丈夫です。

2. PNPトランジスタ
PNPトランジスタの場合 (2SAまたは2SB) は逆向きになり、以下を確認します。

  • コレクタ (C) をプラスにして、ベース (B) に導通し、逆方向は不通
  • エミッタ (E) をプラスにして、ベース (B) に導通し、逆方向は不通
  • コレクタ (C) －エミッタ (E) はどちらの向きも不通

これら3つすべてが成立すれば、トランジスタは大丈夫です。尚、この試験はダーリントントランジスタには使えません。

テスターを導通レンジで使用する場合、赤色側がマイナス、黒色側がプラスとなります。テスターリードの試験電圧の極性に注意してください。また、非試験体の電源、入力線、出力線などは必ず外してから検査してください。

参考文献
https://www.rohm.co.jp/electronics-basics/transistors/tr_what2
https://www.rohm.co.jp/products/power-transistors
https://article.murata.com/ja-jp/article/what-is-transistor
www.mech.tohoku-gakuin.ac.jp/rde/contents/course/mechatronicsB/archive/MechatroCS_No08.pdf
https://detail-infomation.com/transistor-type/

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