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スパッタリング装置のメーカー35社一覧や企業ランキングを掲載中！スパッタリング装置関連企業の2025年5月注目ランキングは1位:パナソニック プロダクションエンジニアリング株式会社、2位:芝浦メカトロニクス株式会社、3位:長州産業株式会社となっています。 スパッタリング装置の概要、用途、原理もチェック！
スパッタリング装置はごく薄い膜を対象物の表面に均一に作製するスパッタリングを行う装置です。
スパッタリングとは、真空蒸着やイオンプレーティングと同じく物理気相成長法 (PVD法) の一つです。主に半導体や液晶の成膜をはじめとしたさまざまな分野で活用いられています。また、対象物の表面を清浄化する際に用いられることもあります。
2025年5月の注目ランキングベスト10
| 順位 | 会社名 | クリックシェア |
|---|---|---|
| 1 | パナソニック プロダクションエンジニアリング株式会社 |
12.5%
|
| 2 | 芝浦メカトロニクス株式会社 |
10.6%
|
| 3 | 長州産業株式会社 |
10.1%
|
| 4 | 株式会社コメット |
5.8%
|
| 5 | アルバック機工株式会社 |
5.8%
|
| 6 | ジャパンクリエイト株式会社 |
4.8%
|
| 7 | テルモセラ・ジャパン株式会社 |
4.3%
|
| 8 | 東横化学株式会社 |
4.3%
|
| 9 | 株式会社島津製作所 |
3.4%
|
| 10 | 株式会社菅製作所 |
2.9%
|
13 点の製品がみつかりました
13 点の製品
株式会社真空デバイス
450人以上が見ています
最新の閲覧: 5時間前
100.0% 返答率
41.6時間 返答時間
ターゲットの背面に強力な磁石を用いてカソード表面層でのイオン化を促進し、磁界によりイオンをターゲットに衝突させて金属分子を放出...
パナソニック プロダクションエンジニアリング株式会社
460人以上が見ています
最新の閲覧: 6時間前
■特長 ・最大5基のカソード搭載により多様なプロセスと高生産性を両立 ・T/S距離調整により長期間の高膜厚均一性を維持 ・独自プラズマ...
パナソニック プロダクションエンジニアリング株式会社
350人以上が見ています
最新の閲覧: 1時間前
■特長 ・マルチチャンバ型で多種多様なプロセスに対応 ・当社S600装置のユニットが搭載可能 ・T/S距離調整により長期間の高膜厚均一性を...
神港精機株式会社
1870人以上が見ています
最新の閲覧: 48分前
Siウェハ・ガラス・セラミックス等基板・用途を問わず柔軟に対応可能な最新型スパッタリング装置です。 1991年に発表されたR&D用マルチ...
テルモセラ・ジャパン株式会社
110人以上が見ています
最新の閲覧: 12時間前
返信の比較的早い企業
100.0% 返答率
29.2時間 返答時間
特徴 ■高品質膜 研究開発の現場で求められる均一性の高い「高品質」な薄膜を作成するための様々な条件を揃えます。nanoシリーズは魂魄と...
神港精機株式会社
1110人以上が見ています
最新の閲覧: 5時間前
省スペースを実現したロードロック式スパッタリング装置です。 カセット室に最大Φ270のトレーが、標準で12枚セット可能で、連続スパッタ...
三弘エマテック株式会社
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返信の比較的早い企業
5.0 会社レビュー
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27.6時間 返答時間
■製品説明 大学や研究所等での研究開発用途に最適な装置となります。また、多品種少量生産にも最適です。 装置の状態・各種パラメータ...
2種類の品番
アルバック販売株式会社
450人以上が見ています
最新の閲覧: 8時間前
100.0% 返答率
271.1時間 返答時間
■概要 これまで培ったアルバックの豊富な成膜技術と経験をもとに、幅広く対応できる装置です。多様性・拡張性を持たせながら、小型化が...
神港精機株式会社
660人以上が見ています
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スパッタ室にて 10⁻⁷Pa のバックグランドの排気性能を持つ超高真空対応の牧葉式スパッタリング装置です。 ロードロック室・カセット室...
神港精機株式会社
1950人以上が見ています
最新の閲覧: 56秒前
実験や基礎研究に最適なコンパクトなハード構成です。ローコストで信頼性の高いハードを提供いたします。 ロードロックタイプ装置仕様 ...
テルモセラ・ジャパン株式会社
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最新の閲覧: 2時間前
返信の比較的早い企業
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■優れた基本性能 ・到達真空度 5x10-5 Pascal ・SUS304高真空チャンバー ・素早い真空到達 (10-3Paまで約10分) ・膜均一性:±3% (絶縁膜...
ジャパンクリエイト株式会社
330人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
5.0 会社レビュー
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129.3時間 返答時間
■特徴 ・当社独自のスパッタカソードを搭載 ・ワークステージに4軸機構 (昇降、公 転、自転、チルト) を搭載し、立体物成膜での高いカ...
スパッタリング装置はごく薄い膜を対象物の表面に均一に作製するスパッタリングを行う装置です。
スパッタリングとは、真空蒸着やイオンプレーティングと同じく物理気相成長法 (PVD法) の一つです。主に半導体や液晶の成膜をはじめとしたさまざまな分野で活用いられています。また、対象物の表面を清浄化する際に用いられることもあります。
スパッタリング装置は、半導体、液晶、プラズマディスプレイなどの薄膜作製に利用されています。また、他のPVD法の蒸着装置と比較して、スパッタリング装置は高融点の金属や合金の成膜が可能であるため、用途が広い特徴があります。
最近では、プラスチックやガラス、フィルムの表面に金属を成膜して導電性を持たせ、透明電極やタッチパネルの配線としても利用されており、スパッタリング装置の用途の幅はさらに広がっています。
他に、光触媒作用のある酸化チタンを表面にコーティングし、抗菌作用を持たせた医療器具や雑貨等も販売されています。また、走査型電子顕微鏡 (SEM) の試料調製など分析用途でも利用されています。
図1. スパッタリング装置の構造
スパッタリング装置は、主に下記のもので構成されています。
真空チャンバー内に基板を保持する試料台とスパッタ材料を供給するスパッタターゲットがあり、真空ポンプとガスの供給系がチャンバーにつながっています。
図2. スパッタリングの原理
スパッタリング装置の原理は、真空下で高電圧をかけ、膜材料の原子をはじきとばして対象物表面に成膜するものです。まず、ポンプによってチャンバー内を十分な減圧状態にした後、アルゴンなどの不活性ガスを一定圧力で装置内に充填します。
薄膜の材料となるターゲットに高い陰電圧をかけグロー放電を起こすと、あらかじめ装置内に充填されていたアルゴンがプラズマ化され、陰極上のターゲットに衝突し、ターゲット上の原子や分子がはじき出されます。はじき出されたターゲット原子が、陽電圧をかけた対象物の表面に堆積し、薄膜を作製することができます。
スパッタリングの方式には、様々な種類があります。
図3. 主なスパッタリング装置の種類
直流電圧を電極間にかける方法です。構造が単純などの様々な利点がありますが、試料が高温のプラズマによる損傷を受ける可能性があり、スパッタリングターゲットが絶縁体の場合、製膜が正常に行えないなどの欠点があります。
高周波の交流電圧電極間にかける方法です。DC方式では製膜できないようなセラミックスやシリカなどの酸化物や金属酸化物、窒化物などの物質でも製膜することができます。
ターゲット側に磁石で磁界をつくり、プラズマをターゲット付近にとどめる方法です。試料のプラズマによる損傷が減少するだけでなく、プラズマの生成速度が向上するため、製膜速度が速くなります。直流、交流、高周波交流など様々な電源方式で利用できます。一方で、ターゲットの減り方にムラができ、利用効率が低い傾向にあります。
イオンをターゲットや試料と別の場所でつくり、ターゲットに加速してあてる方法です。チャンバー内で放電を行わない方法なので、試料への影響が最小限で済むだけでなく、不純物の付着やターゲットの導電性などを考慮する必要がありません。
上記以外にも電子サイクロトロン (ECR) など様々な種類のスパッタリング装置があり、用途や予算に応じて適切に選択する必要があります。
スパッタリング装置による成膜は、膜厚を均一にすることができ、かつ電気的性質を利用しているので、膜の強度を高くすることができます。他のPVD法では難しい、高融点金属や合金材料の膜が作製できます。また、アルゴンなどの不活性ガスの代わりに酸素を充填し、酸化物の成膜を行う方法もあります。
一方で、成膜にかかる時間が他のPVD法と比較して長いことや、発生したプラズマによるスパッタ対象を損傷するリスクなどのデメリットもあります。
参考文献
https://www.oike-kogyo.co.jp/research/column/sputtering/
http://www.sanyu-electron.co.jp/c/index.php?cID=172
https://plastics-japan.com/archives/2015
