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スパッタリング装置のメーカー35社一覧や企業ランキングを掲載中！スパッタリング装置関連企業の2025年6月注目ランキングは1位:芝浦メカトロニクス株式会社、2位:パナソニック プロダクションエンジニアリング株式会社、3位:アルバック機工株式会社となっています。 スパッタリング装置の概要、用途、原理もチェック！
スパッタリング装置はごく薄い膜を対象物の表面に均一に作製するスパッタリングを行う装置です。
スパッタリングとは、真空蒸着やイオンプレーティングと同じく物理気相成長法 (PVD法) の一つです。主に半導体や液晶の成膜をはじめとしたさまざまな分野で活用いられています。また、対象物の表面を清浄化する際に用いられることもあります。
2025年6月の注目ランキングベスト10
| 順位 | 会社名 | クリックシェア |
|---|---|---|
| 1 | 芝浦メカトロニクス株式会社 |
13.3%
|
| 2 | パナソニック プロダクションエンジニアリング株式会社 |
12.1%
|
| 3 | アルバック機工株式会社 |
8.7%
|
| 4 | 長州産業株式会社 |
7.5%
|
| 5 | ジャパンクリエイト株式会社 |
6.9%
|
| 6 | 株式会社コメット |
5.8%
|
| 7 | 株式会社島津製作所 |
5.2%
|
| 8 | テルモセラ・ジャパン株式会社 |
4.0%
|
| 9 | 株式会社真空デバイス |
4.0%
|
| 10 | 東横化学株式会社 |
3.5%
|
18 点の製品がみつかりました
18 点の製品
神港精機株式会社
2070人以上が見ています
最新の閲覧: 53分前
Siウェハ・ガラス・セラミックス等基板・用途を問わず柔軟に対応可能な最新型スパッタリング装置です。 1991年に発表されたR&D用マルチ...
神港精機株式会社
830人以上が見ています
最新の閲覧: 21分前
各種電子デバイスや高機能材料のR&Dから量産に最適なバッチタイプのスパッタリング装置のラインアップです。 小径カソードにより大面積...
神港精機株式会社
660人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
ガラス基板を対象とした通過成膜型インラインタイプのスパッタリング装置です。 矩形カソードを多元で装備しておりプロセスや生産数に...
神港精機株式会社
720人以上が見ています
最新の閲覧: 14時間前
スパッタ室にて 10⁻⁷Pa のバックグランドの排気性能を持つ超高真空対応の牧葉式スパッタリング装置です。 ロードロック室・カセット室...
神港精機株式会社
2440人以上が見ています
最新の閲覧: 14時間前
実験や基礎研究に最適なコンパクトなハード構成です。ローコストで信頼性の高いハードを提供いたします。 ロードロックタイプ装置仕様 ...
ジャパンクリエイト株式会社
390人以上が見ています
最新の閲覧: 14時間前
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
129.3時間 返答時間
■概要 当社が得意といたします、スパッタリング技術を応用し、様々な3次元形状の金属、セラミック、樹脂製品に成膜する装置です。 この...
パナソニック プロダクションエンジニアリング株式会社
550人以上が見ています
最新の閲覧: 5分前
■特長 ・最大5基のカソード搭載により多様なプロセスと高生産性を両立 ・T/S距離調整により長期間の高膜厚均一性を維持 ・独自プラズマ...
パナソニック プロダクションエンジニアリング株式会社
370人以上が見ています
■特長 ・マルチチャンバ型で多種多様なプロセスに対応 ・当社S600装置のユニットが搭載可能 ・T/S距離調整により長期間の高膜厚均一性を...
三弘エマテック株式会社
530人以上が見ています
返信の比較的早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
26.0時間 返答時間
■製品説明 大学や研究所等での研究開発用途に最適な装置となります。また、多品種少量生産にも最適です。 装置の状態・各種パラメータ...
三弘エマテック株式会社
370人以上が見ています
最新の閲覧: 6時間前
返信の比較的早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
26.0時間 返答時間
製品説明 小型の高周波スパッタリング装置で省スペースで使用可能です。金属、半導体、絶縁物の成膜が可能で、研究開発等の実験用に最適...
株式会社FKDファクトリ
380人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
基本仕様：DC1源スパッタ ■拡張オプション ・2源仕様マグネトロンカソード追加 ・高真空仕様 (ターボ分子ポンプ追加) ・反応性スパッ...
株式会社MPS
240人以上が見ています
最新の閲覧: 6分前
100.0% 返答率
57.6時間 返答時間
■概要 実験用のスパッタ装置です。4インチの円形マグネトロンカソードを最大4個搭載可能です。お客様の要求性能、ご予算に合わせた最適...
株式会社MPS
210人以上が見ています
100.0% 返答率
57.6時間 返答時間
■概要 メタル膜成膜用のスパッタ装置です。4インチの円形マグネトロンカソードを最大4個搭載可能です。本装置はアンバランスドマグネト...
株式会社MPS
180人以上が見ています
最新の閲覧: 15分前
100.0% 返答率
57.6時間 返答時間
■概要 センサー膜開発用のスパッタ装置です。絶縁膜と合金膜のスパッタが可能で、資料は水平および垂直軸方向に回転できます。本装置は...
アルバック販売株式会社
560人以上が見ています
最新の閲覧: 2時間前
100.0% 返答率
206.4時間 返答時間
■概要 これまで培ったアルバックの豊富な成膜技術と経験をもとに、幅広く対応できる装置です。多様性・拡張性を持たせながら、小型化が...
アリオス株式会社
370人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
返信のとても早い企業
100.0% 返答率
2.4時間 返答時間
■概要 小型スパッタ装置 SS-DC RF301 スパッタリング (スパッタと略称することが多い) を使った成膜装置です。スパッタによる成膜の特色...
アリオス株式会社
270人以上が見ています
最新の閲覧: 14時間前
返信のとても早い企業
100.0% 返答率
2.4時間 返答時間
■概要 スパッタリング (スパッタと略称することが多い) を使った成膜装置です。スパッタによる成膜の特色は、基板に飛来する粒子が比較...
テルモセラ・ジャパン株式会社
120人以上が見ています
返信の比較的早い企業
100.0% 返答率
29.2時間 返答時間
■優れた基本性能 ・到達真空度 5x10-5 Pascal ・SUS304高真空チャンバー ・素早い真空到達 (10-3Paまで約10分) ・膜均一性:±3% (絶縁膜...
スパッタリング装置はごく薄い膜を対象物の表面に均一に作製するスパッタリングを行う装置です。
スパッタリングとは、真空蒸着やイオンプレーティングと同じく物理気相成長法 (PVD法) の一つです。主に半導体や液晶の成膜をはじめとしたさまざまな分野で活用いられています。また、対象物の表面を清浄化する際に用いられることもあります。
スパッタリング装置は、半導体、液晶、プラズマディスプレイなどの薄膜作製に利用されています。また、他のPVD法の蒸着装置と比較して、スパッタリング装置は高融点の金属や合金の成膜が可能であるため、用途が広い特徴があります。
最近では、プラスチックやガラス、フィルムの表面に金属を成膜して導電性を持たせ、透明電極やタッチパネルの配線としても利用されており、スパッタリング装置の用途の幅はさらに広がっています。
他に、光触媒作用のある酸化チタンを表面にコーティングし、抗菌作用を持たせた医療器具や雑貨等も販売されています。また、走査型電子顕微鏡 (SEM) の試料調製など分析用途でも利用されています。
図1. スパッタリング装置の構造
スパッタリング装置は、主に下記のもので構成されています。
真空チャンバー内に基板を保持する試料台とスパッタ材料を供給するスパッタターゲットがあり、真空ポンプとガスの供給系がチャンバーにつながっています。
図2. スパッタリングの原理
スパッタリング装置の原理は、真空下で高電圧をかけ、膜材料の原子をはじきとばして対象物表面に成膜するものです。まず、ポンプによってチャンバー内を十分な減圧状態にした後、アルゴンなどの不活性ガスを一定圧力で装置内に充填します。
薄膜の材料となるターゲットに高い陰電圧をかけグロー放電を起こすと、あらかじめ装置内に充填されていたアルゴンがプラズマ化され、陰極上のターゲットに衝突し、ターゲット上の原子や分子がはじき出されます。はじき出されたターゲット原子が、陽電圧をかけた対象物の表面に堆積し、薄膜を作製することができます。
スパッタリングの方式には、様々な種類があります。
図3. 主なスパッタリング装置の種類
直流電圧を電極間にかける方法です。構造が単純などの様々な利点がありますが、試料が高温のプラズマによる損傷を受ける可能性があり、スパッタリングターゲットが絶縁体の場合、製膜が正常に行えないなどの欠点があります。
高周波の交流電圧電極間にかける方法です。DC方式では製膜できないようなセラミックスやシリカなどの酸化物や金属酸化物、窒化物などの物質でも製膜することができます。
ターゲット側に磁石で磁界をつくり、プラズマをターゲット付近にとどめる方法です。試料のプラズマによる損傷が減少するだけでなく、プラズマの生成速度が向上するため、製膜速度が速くなります。直流、交流、高周波交流など様々な電源方式で利用できます。一方で、ターゲットの減り方にムラができ、利用効率が低い傾向にあります。
イオンをターゲットや試料と別の場所でつくり、ターゲットに加速してあてる方法です。チャンバー内で放電を行わない方法なので、試料への影響が最小限で済むだけでなく、不純物の付着やターゲットの導電性などを考慮する必要がありません。
上記以外にも電子サイクロトロン (ECR) など様々な種類のスパッタリング装置があり、用途や予算に応じて適切に選択する必要があります。
スパッタリング装置による成膜は、膜厚を均一にすることができ、かつ電気的性質を利用しているので、膜の強度を高くすることができます。他のPVD法では難しい、高融点金属や合金材料の膜が作製できます。また、アルゴンなどの不活性ガスの代わりに酸素を充填し、酸化物の成膜を行う方法もあります。
一方で、成膜にかかる時間が他のPVD法と比較して長いことや、発生したプラズマによるスパッタ対象を損傷するリスクなどのデメリットもあります。
参考文献
https://www.oike-kogyo.co.jp/research/column/sputtering/
http://www.sanyu-electron.co.jp/c/index.php?cID=172
https://plastics-japan.com/archives/2015
