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45 点の製品
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■概要 アリオスは、MBE装置の製造に20年以上の実績を有するプロ集団です。アリオスのMBE装置は、基板サイズ1”~6”、Ⅲ-Ⅵ族に対応。お客...
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■概要 ILV-01型インターロックバルブは、通常は手動バルブとして使用でき、停電時などには自動的にクローズするユニークな機能を持ちあ...
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■概要 小型スパッタ装置 SS-DC RF301 スパッタリング (スパッタと略称することが多い) を使った成膜装置です。スパッタによる成膜の特色...
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■概要 本装置は、試料の表面に均一に成膜させるため、ドラム型の試料ホルダに試料を入れ、回転させながら成膜を行います。試料ホルダの...
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■概要 超高真空に追い込むには手を抜かずに一つ一つの作業を積み重ねていくことが重要です。当社製超高真空チャンバーは材料の選択、溶...
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■装置概要 本装置は3"~8"基板及び、真空部品などを真空中で200~600℃まで加熱するための高真空加熱装置 (アニール炉) です。イオンビー...
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■概要 2つのフランジ間で、それぞれの軸中心のオフセット及び±3°の角度調整が可能な部品です。 本機は簡易型のXY機構にチルト調整機構を...
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■概要 真空環境下で蛍光体 (試料) のフォトルミネッセンス (PL:Photoluminescence) 評価が可能な装置です。 分光器を用いて解析するこ...
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■概要 本装置は、ダイヤモンド合成を本格的に行うためのホットフィラメント型CVD装置です。基本システムに加え各種オプションを選択する...
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■概要 EMIS-111Q は石英放電管タイプの小型マイクロ波励起イオン源です。マイクロ波イオン源 (EMIS-211C) と比べコンパクトとなり、より...
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■概要 EMIS-221Cはセラミック放電管タイプで、チャンバー外付型の有磁場型マイクロ波励起イオン源です。 超高真空仕様により、金属汚染...
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■概要 EMRS-211Qは石英放電管タイプでチャンバー外付型の有磁場型マイクロ波励起ラジカル源です。ラジカル酸化、窒化、水素還元、エッチ...
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■概要 アリオスではマイクロ波を用いたプラズマ実験装置の製作を承っております。プラズマ源やマイクロ波電源を含め、全て自社設計する...
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■概要 CVDとは、Chemical Vapor Deposition (化学蒸着装置) の略称で、ガスで原料を供給し、これをプラズマや熱などで分解し、その成分...
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■概要 大気側の回転運動を真空中に伝える部品です。これを回転導入機と呼んでいます。回転導入機には大きく分けて、軸をOリングで封止す...
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■概要 EDシリーズは、真空システムにサンプルなどを導入するために使用するロードロックドアです。真空容器を大気開放した状態でのもの...
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■概要 本イオンビーム源は、DC放電式のグリッドレスイオン源です。イオン生成とイオン加速を同時に行う動作原理により極めてシンプルな...
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■概要 超高真空排気装置の製造には、材料選定、溶接、洗浄、表面研磨及び表面処理からハンドリングに至るまで、多くの技術が必要です。 ...
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■概要 2つのフランジ間で、それぞれの軸中心のオフセット及び面間距離を可変可能な中空XYZステージです。簡易型XY機構 (SXYシリーズ) と...
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■概要 スパッタリング (スパッタと略称することが多い) を使った成膜装置です。スパッタによる成膜の特色は、基板に飛来する粒子が比較...
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■概要 ダイヤモンド基板用ヘテロエピ成長装置 本装置はダイヤモンド基板上にヘテロエピ成長をさせることを目的とした特別なMBE装置です...
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■概要 本装置は大気中に浮遊するエアロゾル (微粒子) の採取を目的に開発された大気微粒子採取装置です。 採取方法由来の「エアロゾルイ...
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■概要 本装置は、ダイヤモンド生産用のマイクロ波プラズマCVD装置です。当社独自のプラズマ技術を駆使し、大面積かつ高速成長を実現しま...
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■概要 2つのフランジ間の距離を可変することができる中空Zステージです。各種コンポーネントを取り付け、大気側から直線移動調整が可能...
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概要 本装置は、超高真空中でサンプルを昇温し、脱離する分子を質量分析計でリアルタイム観測することが可能な分析装置です。昇温脱離ス...
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■概要 本装置は実験用RFプラズマ装置で、RFプラズマ源、基板加熱機構、ガス供給系、ロードロック室より構成しており、各種原料ガスをプ...
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■概要 TLV-02型タイミングリークバルブは、電源が切れてから25秒あるいは45秒後にバルブが開くバルブです。真空経路をゆっくりと大気開...
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■概要 RHEEDは反射高速電子線回折といい、高速電子線を試料に浅い角度で照射し、反射した電子で回折像を得ます。MBEでは、表面の原子の...
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■概要 簡便にプラズマ診断 (計測) を行う方法の1つ、ラングミュアプローブ法。プラズマ中に探針を挿入し、その電圧電流特性を測定、解析...
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■概要 蒸着、スパッタ、MBE、CVDなどの成膜プロセス、有機ガスを含むプロセス中で問題となるビューポートへの成膜やダメージを防止しま...
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郵便番号 | 〒196-0021 |
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本社住所 | 東京都昭島市武蔵野3-2-20 |
創業年 | 1972年 |
資本金 | 15,000,000円 |
法人番号 | 7012801002282 |
会社区分 | メーカー |
リンク | アリオス株式会社 ホームページ |
アリオス株式会社の営業所が全国で1箇所登録されています。
愛知県でアリオス株式会社の営業所が1箇所登録されています。
事業所情報について
事業所はMetoreeに登録されているもののみが表示されています。アリオス株式会社の製品が15件登録されています。
注目ランキング導出方法注目ランキング導出方法について
注目ランキングは、2024年10月のアリオス株式会社のMetoreeページ内でのクリックシェアを基に算出しています。クリックシェアは、対象期間内の各ページでの全企業の総クリック数を各企業のクリック数で割った値を指します。また、製品はMetoreeに登録されているもののみが表示されています。