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蒸着装置のメーカー38社一覧や企業ランキングを掲載中!蒸着装置関連企業の2025年7月注目ランキングは1位:長州産業株式会社、2位:新明和工業株式会社、3位:テルモセラ・ジャパン株式会社となっています。 蒸着装置の概要、用途、原理もチェック!
蒸着装置は、減圧下で物質を気化させて対象物上に製膜する真空蒸着 (VD) を行う装置です。
蒸着装置を用いることで、対象物上に平滑な塗膜を形成することができ、その膜厚や組成の制御をすることも可能です。
2025年7月の注目ランキングベスト10
順位 | 会社名 | クリックシェア |
---|---|---|
1 | 長州産業株式会社 |
14.9%
|
2 | 新明和工業株式会社 |
10.1%
|
3 | テルモセラ・ジャパン株式会社 |
10.1%
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4 | 株式会社エイエルエステクノロジー |
8.1%
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5 | ジャパンクリエイト株式会社 |
8.1%
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6 | 株式会社サンバック |
4.1%
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7 | 株式会社シンクロン |
4.1%
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8 | 株式会社真空デバイス |
3.4%
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9 | 大阪真空工業株式会社 |
3.4%
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10 | アリオス株式会社 |
3.4%
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株式会社真空デバイス
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■製品説明 架台内にターボ分子ポンプ・補助ポンプをコンパクトに収納した、抵抗加熱式で低コストタイプの小型真空蒸着装置です。クリー...
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■概要 架台内にターボ分子ポンプ・補助ポンプをコンパクトに収納した、抵抗加熱式で低コストタイプの小型真空蒸着装置です。クリーン排...
蒸着装置は、減圧下で物質を気化させて対象物上に製膜する真空蒸着 (VD) を行う装置です。
蒸着装置を用いることで、対象物上に平滑な塗膜を形成することができ、その膜厚や組成の制御をすることも可能です。
蒸着装置ではアルミニウムなどの金属材料や有機無機材料など様々な材料での成膜が可能です。
蒸着装置は下記のような用途で利用されます。
図1. 蒸着装置の原理イメージと液相成長法
ロータリーポンプやターボ分子ポンプなどでチャンバー内を減圧状態にし、蒸着したい材料を気化させて、離れた位置にある対象物上に堆積させます。減圧状態にすることで、チャンバー内の不純物を取り除き、気化した物質の拡散性が向上し、密着性がよく平滑な膜を作製することができます。
物質の表面に製膜する方法としてメッキが有名ですが、メッキなどは液相から原料が供給されるのに対し、蒸着は気相から原料が供給されるという違いがあります。
蒸着装置に用いられる蒸着方法には、物質を気化させる方法によって、物理気相成長法 (または物理蒸着、英: Physical Vapor Deposition, PVD) と化学気相成長法 (または化学蒸着、英: Chemical Vapor Deposition, CVD) の2種類に分けられます。
図2. 物理気相成長法と主な種類
物理気相成長法は、加熱などの物理的な方法で蒸着材料の気化や昇華などを起こし、製膜する方法です。加熱方法は電子ビーム、抵抗加熱、高周波誘導、レーザーなどがあります。
また、プラズマや分子線などを利用した方法も物理気相成長法の1つです。
図3. 化学気相成長法と主な種類
化学気相成長法は、化学反応などの化学的な方法で、蒸着材料を蒸着対象物上に堆積させ製膜する方法です。代表的なものとして、熱CVD、光CVD、プラズマCVD、有機金属CVD、原子層成長 (ALD) などがあります。
上記の他にもさまざまな方式の蒸着装置が開発、販売されています。用途に応じて適切な装置を選択をする必要があります。
参考文献
https://www.satovac.co.jp/application/deposition.html
https://www.samco.co.jp/company/primer/2011/03/post.php
https://www.jstage.jst.go.jp/article/jjspe/82/11/82_956/_pdf
http://www.jspf.or.jp/Journal/PDF_JSPF/jspf2000_08/2000_08-759.pdf
https://ulvac-kiko.com/support/img/deposition_catalog_Jp_2018_10.pdf
https://www.semilinks.com/sub208.htm
https://showcase.ulvac.co.jp/ja/how-to/product-knowledge02/oil-diffusion-pump.html
https://www.samco.co.jp/ir/library/
https://www.oike-kogyo.co.jp/research/column/cvd/
https://www.jstage.jst.go.jp/article/jvsj2/59/7/59_16-LC-011/_pdf