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17 点の製品
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当社が得意といたします、プラズマCVDプロセス技術を応用し、樹脂容器材質として一般的に普及しております「PETボトル」へのDLCコーティ...
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当社が得意といたします、プラズマCVDプロセス技術を応用し、樹脂容器材質として一般的に普及しております「PETボトル」へのDLCコーティ...
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■概要 最大8インチ基板を全自動で連続処理することが可能な量産装置です。 ガス種およびプラズマモードの切り替えによりエッチング、ア...
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■概要 デバイス開発や材料開発に最適なマルチチャンバ仕様の装置です。 前処理から成膜、封止までの工程を大気に触れずに処理することが...
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■特徴 ・当社独自ノズル:CO2ラバージェットノズル使用 個体CO2粒子速度と粒子密度の可変ができ、最適な洗浄条件を提案可能 ・真空環境...
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■特徴 ・2周波独立印可方式により、低応力、高硬度、高絶縁性を実現 ・優れた膜厚分布および再現性を実現 ・特殊表面処理によるメタルコ...
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■特徴 ・単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで連続成膜が可能 ・プラズマエミッションモニターを搭載により圧電特性低下に寄与...
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■概要 当社が得意といたします、スパッタリング技術を応用し、様々な3次元形状の金属、セラミック、樹脂製品に成膜する装置です。 この...
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■概要 最大φ12インチ基板を全自動で連続処理することが可能な量産装置です。 ガス種およびプラズマモードの切り替えによりエッチング、...
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■特徴 ・当社独自のスパッタカソードを搭載 ・ワークステージに4軸機構 (昇降、公 転、自転、チルト) を搭載し、立体物成膜での高いカ...
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■特徴 ・チャンバー容積 1m3 ・独自のプラズマ制御方式 ・多段式大量一括処理可能 ・高い汎用性を備えたシンプルな構造 ・様々な製品材...
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■特徴 ・エピタキシャル促進機構により単結晶成膜に最適 ・酸化促進ガス導入機構 ・材料酸化防止機構 ・最高900℃の高温プロセスが可能 ...
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■特徴 ・成膜源はRFプラズマCVD法とイオン化蒸着法から選択可能 ・基板加熱源は水冷型と加熱型から選択可能 ・優れた膜厚分布および再現...
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■特徴 ・全自動でCNT合成が可能 ・基板プラズマクリーニングシステム搭載 ・優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現 ・優れた膜...
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■特徴 ・当社独自のスパッタカソードを搭載 ・基板ステージに3軸機構 (昇降、公転、自転) を搭載し、均一な膜厚分布を実現 ・当社独自の...
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■特徴 ・加熱プロセス特有の元素抜けを軽減 ・減圧プロセスから加圧プロセス (0.9MPaG) まで対応可能 ・基板表面の高速熱酸化、結晶...
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■特徴 ・使用温度範囲:最高450℃ ・到達圧力:10Pa ・自動乾燥プロセスレシピ:30通り ・試料棚:2段 ■用途 ・スパッタターゲットの真...
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プラズマCVD装置・研究開発/量産・太陽電池・立体物・金属容器・医療容器・ガラス基板MOCVD装置ALD装置
2023年7月13日
郵便番号 | 〒359-1167 |
---|---|
本社住所 | 埼玉県所沢市林1丁目203番地4 |
創業年 | 1963年 |
資本金 | 30,000,000円 |
従業員数 | 40人 |
法人番号 | 5030001025526 |
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