圧電膜形成スパッタリング装置 ジャパンクリエイト株式会社
この製品について
■特徴
・単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで連続成膜が可能 ・プラズマエミッションモニターを搭載により圧電特性低下に寄与する元素検知可能 ・圧電に寄与する軸長を最大限に長くするDeposition構造 ・当社独自のスパッタカソードを搭載 ・ムービングマグネットにも対応し全面エロージョンが可能 ・当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載し基板温度900℃を実現 ・発光分析システムによるプラズマ分析とフィードバック制御により、高速かつ安定したリアクティブスパッタ成膜が可能 ・トレイ搬送も対応可 ・CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可■用途
・半導体 ・MEMS ・電子部品 ・光学部品 ・車載部品-
シリーズ
圧電膜形成スパッタリング装置
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取扱企業
ジャパンクリエイト株式会社
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圧電膜形成スパッタリング装置 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 基板サイズ | スパッタカソード | スパッタ電源 | プロセスガス | 基板ステージ | 真空排気 | 圧力制御 | 制御操作 | データロギング | 基板搬送 | オプション |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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圧電膜形成スパッタリング装置 |
要見積もり | 最大φ12インチ | マグネトロン方式 ターゲットシャッタ | RFまたはDC | Ar、O2、N2、他 |
基板加熱：700℃ (基板表面) 自転：最高20rpm |
構成1：TMP+DP 構成2：CP+DP |
APC制御 |
制御：PLC 操作：タッチパネルまたはPC |
外部メモリまたはPC | 真空搬送ロボット | 基板加熱900℃、基板バイアス (RFまたはDC) 、基板冷却 (低温成膜) 、ムービングマグネット、磁性材ターゲット用カソード、発光分析システム、トレイ搬送、Q-MASS など |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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