酸化膜／窒化膜プラズマCVD装置 ジャパンクリエイト株式会社
この製品について
■特徴
・2周波独立印可方式により、低応力、高硬度、高絶縁性を実現 ・優れた膜厚分布および再現性を実現 ・特殊表面処理によるメタルコンタミ低減 ・ラジカルプラズマクリーニングシステムによる大幅なパーティクル低減および生産性向上 ・広範な膜特性の制御可能 ・豊富な蓄積データ ・トレイ搬送にも対応可能■用途
・半導体 ・MEMS ・有機EL ・太陽電池 ・電子部品 ・光学部品-
シリーズ
酸化膜／窒化膜プラズマCVD装置
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取扱企業
ジャパンクリエイト株式会社
CVD装置注目ランキング
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酸化膜／窒化膜プラズマCVD装置 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 基板サイズ | 成膜プロセス | プラズマソース | 基板加熱温度 | 真空排気 | 圧力制御 | 制御操作 | データロギング | 基板搬送 | オプション |
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酸化膜／窒化膜プラズマCVD装置 |
要見積もり | 最大φ12インチ |
SiH4系：SiO2、SiNx、SiON、a-Si TEOS/TMOS系：SiO2 |
CCP型 | 最高300℃ (基板表面) |
低真空プロセス：MBP+DP 高真空プロセス：TMP+DP |
APC制御 |
制御：PLC 操作：タッチパネルまたはPC |
外部メモリまたはPC | 真空搬送ロボット | 300℃以上の高温プロセス、発光分析システム、排ガス処理装置、ガス検知器、シリンダーキャビネット など |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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