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イオン注入装置のメーカー7社一覧や企業ランキングを掲載中！イオン注入装置関連企業の2025年6月注目ランキングは1位:日新電機株式会社、2位:日新イオン機器株式会社、3位:住友重機械工業株式会社となっています。 イオン注入装置の概要、用途、原理もチェック！
イオン注入装置とは、イオン化した物質を別の物質に注入することで、注入された物質の特性を変化させるための装置です。
半導体に広く使用されている単結晶のシリコンウエハーなどの材料は、そのままでは絶縁物質です。それに異なる物質のイオンを注入することで、電気的特性を変えることができます。
イオン注入装置は、主に半導体デバイスの製造における、不純物の注入工程において使用される他、半導体以外の材料分野においても、材料の特性を変化させるために使用します。ここでは、半導体の製造工程で使用するイオン注入装置について説明します。
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2025年6月の注目ランキングベスト6
| 順位 | 会社名 | クリックシェア |
|---|---|---|
| 1 | 日新電機株式会社 |
33.1%
|
| 2 | 日新イオン機器株式会社 |
18.6%
|
| 3 | 住友重機械工業株式会社 |
18.6%
|
| 4 | Applied Materials, Inc. |
12.7%
|
| 5 | 株式会社マツボー |
8.5%
|
| 6 | 株式会社イオンテクノセンター |
8.5%
|
31 点の製品がみつかりました
31 点の製品
日新電機株式会社
30人以上が見ています
最新の閲覧: 9時間前
100.0% 返答率
48.3時間 返答時間
■概要 高温搬送の信頼性とスループットをIMPHEATからさらに進化させた高温イオン注入装置 特長 ■業界最高の生産性を持つ高温イオン注入...
アルバック販売株式会社
320人以上が見ています
最新の閲覧: 14時間前
100.0% 返答率
199.9時間 返答時間
■概要 低加速・高濃度対応のイオン注入装置です。 ■用途 パワーデバイス等の薄型基板プロセス、IGBTプロセス ■特長 ・枚葉式 ・薄Wafe...
日新電機株式会社
30人以上が見ています
100.0% 返答率
48.3時間 返答時間
■概要 業界唯一のレーザー、パワーデバイス向け水素注入装置 特長 ■業界唯一のレーザー、パワーデバイス向け水素注入装置 ・高生産性を...
フジ・インバック株式会社
180人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
100.0% 返答率
39.6時間 返答時間
■アプリケーション ・イオン注入 ■特長 ・軽ガス排気に特化 ・ニッケルコートローターにより高耐性を実現 ・温度管理システム※により結...
日新電機株式会社
30人以上が見ています
100.0% 返答率
48.3時間 返答時間
■概要 ナノ・テクノロジー・ノードに対応した高い生産性とプロセス信頼性を有した豊富な実績の中電流イオン注入装置 特長 ■最適なライ...
アルバック販売株式会社
290人以上が見ています
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■概要 Max2,400KeVまで対応可能な高エネルギーのイオン注入装置です。 ■用途 パワーデバイス等の薄型基板プロセス、IGBTプロセス ■特...
日新電機株式会社
20人以上が見ています
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48.3時間 返答時間
■概要 ナノ・テクノロジー・ノードに対応した高い生産性とプロセス信頼性を有した豊富な実績の中電流イオン注入装置 特長 ■最適なライ...
日新電機株式会社
30人以上が見ています
100.0% 返答率
48.3時間 返答時間
■概要 低温ポリシリコン薄膜トランジスタに代表される高精細ディスプレイ駆動用薄膜トランジスタ製造における電気特性制御プロセスに不...
アルバック販売株式会社
240人以上が見ています
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199.9時間 返答時間
■概要 中電流型イオン注入装置SOPHI-200/260は、最新技術を搭載した8、6、5インチのイオン注入装置です。サンプリングをお受けしていま...
日新電機株式会社
30人以上が見ています
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48.3時間 返答時間
■概要 低温ポリシリコン薄膜トランジスタに代表される高精細ディスプレイ駆動用薄膜トランジスタ製造における電気特性制御プロセスに不...
アルバック販売株式会社
320人以上が見ています
最新の閲覧: 8時間前
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■概要 高温ESCを搭載したSiC量産用高エネルギーイオン注入装置です。 ■用途 SiC向けイオン注入装置 ■特長 ・自動連続高温処理注入が可...
オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社
390人以上が見ています
返信の比較的早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
23.1時間 返答時間
■概要 高品質で高密度かつ滑らかな表面を持つ、薄膜デポジションを実現することで、選んでいただいています。 イオンビーム技術は、単...
アルバック販売株式会社
250人以上が見ています
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199.9時間 返答時間
■概要 中電流イオン注入装置IMX-3500は、最大エネルギ200kV、ウェーハサイズ8インチまでの、イオン注入装置で、大学等での研究開発に最...
株式会社栗田製作所
10人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
■概要 サイズがコンパクトの為、試験片作製や基礎データ採取に最適な装置になっております。真空排気時間も非常に短く、実験時間の短縮...
オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社
540人以上が見ています
返信の比較的早い企業
5.0 会社レビュー
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23.1時間 返答時間
■概要 優れた均質性を持ちながら最大の柔軟性を有し、広範な用途分野に適しています。当社のシステムには、大気装入、単一基板真空予備...
株式会社栗田製作所
10人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
■概要 真空装置の長さが約2m、径が1.2mと大きいため、大型ワークへのコーティングも可能です。重量物運搬用に自動搬送台車もオプション...
株式会社栗田製作所
10人以上が見ています
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■概要 サイズがコンパクトの為、試験片作成や基礎データ採取に最適な装置になっております。真空排気時間も非常に短く、実験時間の短縮...
アルバック販売株式会社
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最新の閲覧: 18時間前
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■概要 GST-07L-Bは、ULVACがこれまで培ってきた超高真空分野での豊富な技術力と実績により高機能・高信頼性を実現したスパッタイオンポ...
株式会社栗田製作所
10人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
■概要 取り扱いが容易なサイズの為、生産機としても使用でき、多くのユーザー様で採用されております。
アルバック販売株式会社
230人以上が見ています
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199.9時間 返答時間
■概要 本イオン銃は、ICF70取付のコンパクトなイオン銃でありながら、最大10 μAのビーム電流、150 μm以下のビーム径、2 mA/cm2以上の最...
株式会社栗田製作所
■概要 R1000の約4倍の容積を持つ大型機です｡R1000と同様の使い易さで大型･長尺ワークへの成膜も可能です｡
アルバック販売株式会社
170人以上が見ています
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199.9時間 返答時間
■概要 ・低価格 ・2kVまで加速可能 ・ポートアライナー付 ・ご希望により取り付けフランジからイオン銃先端までの長さを調整 (オプショ...
株式会社プラズマイオンアシスト
1000人以上が見ています
最新の閲覧: 8時間前
返信の早い企業
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7.4時間 返答時間
・常温からの成膜法でアルミ等の非鉄金属を始め、ゴム等の有機物まで殆どの素材に DLC コーディングが可能です ・各種機能性 DLC を個別...
8種類の品番
ヤマナカアドバンスマテリアル株式会社
220人以上が見ています
最新の閲覧: 13時間前
100.0% 返答率
63.2時間 返答時間
半導体工程における「不純物添加」に使用される、イオン注入材料をご提供いたします。当社で取り扱っているイオン注入材料はガス材料と...
イオン注入装置とは、イオン化した物質を別の物質に注入することで、注入された物質の特性を変化させるための装置です。
半導体に広く使用されている単結晶のシリコンウエハーなどの材料は、そのままでは絶縁物質です。それに異なる物質のイオンを注入することで、電気的特性を変えることができます。
イオン注入装置は、主に半導体デバイスの製造における、不純物の注入工程において使用される他、半導体以外の材料分野においても、材料の特性を変化させるために使用します。ここでは、半導体の製造工程で使用するイオン注入装置について説明します。
イオン注入装置は、半導体製造過程における不純物の注入工程で使用されます。半導体の基板に広く用いられているシリコンウエハー等は、そのままでは絶縁物質であり、電流を流したり、電気信号を伝えたりすることはできません。ウエハーに外部からイオンを注入することで、n型半導体もしくはp型半導体という電気的特性を持った部分が形成されます。
n型半導体は不純物として電子を多く持つ元素が注入された半導体で、p型半導体は不純物として正孔を多く持つ元素が注入された半導体です。なお、イオンを注入することを、ドーピングやイオンの打ち込みと表現することもあります。
n型半導体を作る際には、窒素やリンや砒素などの第15族元素のイオンを使用します。一方、p型半導体を作る際に使用するのは、ホウ素やアルミニウムなどの第13族元素のイオンです。イオンの注入を行うのは、エッチングによって回路部を形成した後の工程です。
ウエハーの上面は、エッチングによって、ウエハーの表面が露出した部分と、フォトレジストに守られた部分に分かれます。そこにイオンが注入されるとウエハーの露出した部分が、イオンの種類に応じて、n型半導体若しくはp型半導体となります。
イオン注入装置は、イオン源、分析部、スリット、加速管、偏光板、レンズ、走査器、シリコンウェーハステージ、高温注入治具等で構成されています。真空状態になったイオン源部に、イオンを発生させるための元素であるリンやボロン、ヒ素などを投入し、電磁界を用いてプラズマ状態のガスにします。
プラズマ化したガスの中から、イオン注入に使用する物質のイオンのみを加速管へと進めるのが、分析部とスリットの役目です。イオンは加速管の内部で加速され、その先にある偏光板とQレンズの中を通過することで、イオンビームとして形が整えられます。
走査器の役割は、イオンビームをX,Y方向に走査することです。イオン注入の対象となるウエハーは、シリコンウエハーステージ上に正確にセットされており、そのウエハー表面上をイオンビームが走査することで、イオンが注入されます。
ウエハーの後面には高温注入治具があります。高温注入治具の役割は、ウエハーを加熱することです。ウエハーを加熱することでイオン注入による結晶欠陥の発生を抑制し、セルフアニーリング効果によって欠陥を消滅させることができます。
イオン注入の際のパラメーターには、使用するイオンの種類、注入するイオンの運動エネルギーと注入量、注入対象となるウエハーの大きさや種類など、非常に多くのバリエーションがあります。したがって、1台のイオン注入装置だけで全てのイオン注入工程を担うことは困難です。
例えば、リンやボロンなどのイオンを高濃度で注入する場合は、高電流・高エネルギーのイオン注入装置が必要となります。また、イオンを注入するウエハーが、SiCのような高温で動作するパワーデバイス用ウエハーの場合は、ウエハーを高温に加熱できる装置が必要です。
その一方で、イオン注入装置は、高価格の製造装置です。イオン注入装置を選択する際には、注入するイオンの種類と注入量、適応可能なウェーハサイズ等の必要な条件を満たしていることが前提となります。その上で、装置価格やスループットとの関係等を慎重に検討することが大切です。
参考文献
https://www.jstage.jst.go.jp/article/sfj1989/52/12/52_12_805/_pdf
https://www.jstage.jst.go.jp/article/shikizai1937/62/2/62_77/_pdf/-char/ja
