全てのカテゴリ
閲覧履歴
イオン注入装置についての概要、用途、原理などをご説明します。また、イオン注入装置のメーカー6社一覧や企業ランキングも掲載しておりますので是非ご覧ください。イオン注入装置関連企業の2024年10月注目ランキングは1位:日新電機株式会社、2位:Applied Materials, Inc.、3位:住友重機械工業株式会社となっています。
イオン注入装置の関連カテゴリ
イオン注入装置とは、イオン化した物質を別の物質に注入することで、注入された物質の特性を変化させるための装置です。
半導体に広く使用されている単結晶のシリコンウエハーなどの材料は、そのままでは絶縁物質です。それに異なる物質のイオンを注入することで、電気的特性を変えることができます。
イオン注入装置は、主に半導体デバイスの製造における、不純物の注入工程において使用される他、半導体以外の材料分野においても、材料の特性を変化させるために使用します。ここでは、半導体の製造工程で使用するイオン注入装置について説明します。
イオン注入装置は、半導体製造過程における不純物の注入工程で使用されます。半導体の基板に広く用いられているシリコンウエハー等は、そのままでは絶縁物質であり、電流を流したり、電気信号を伝えたりすることはできません。ウエハーに外部からイオンを注入することで、n型半導体もしくはp型半導体という電気的特性を持った部分が形成されます。
n型半導体は不純物として電子を多く持つ元素が注入された半導体で、p型半導体は不純物として正孔を多く持つ元素が注入された半導体です。なお、イオンを注入することを、ドーピングやイオンの打ち込みと表現することもあります。
n型半導体を作る際には、窒素やリンや砒素などの第15族元素のイオンを使用します。一方、p型半導体を作る際に使用するのは、ホウ素やアルミニウムなどの第13族元素のイオンです。イオンの注入を行うのは、エッチングによって回路部を形成した後の工程です。
ウエハーの上面は、エッチングによって、ウエハーの表面が露出した部分と、フォトレジストに守られた部分に分かれます。そこにイオンが注入されるとウエハーの露出した部分が、イオンの種類に応じて、n型半導体若しくはp型半導体となります。
イオン注入装置は、イオン源、分析部、スリット、加速管、偏光板、レンズ、走査器、シリコンウェーハステージ、高温注入治具等で構成されています。真空状態になったイオン源部に、イオンを発生させるための元素であるリンやボロン、ヒ素などを投入し、電磁界を用いてプラズマ状態のガスにします。
プラズマ化したガスの中から、イオン注入に使用する物質のイオンのみを加速管へと進めるのが、分析部とスリットの役目です。イオンは加速管の内部で加速され、その先にある偏光板とQレンズの中を通過することで、イオンビームとして形が整えられます。
走査器の役割は、イオンビームをX,Y方向に走査することです。イオン注入の対象となるウエハーは、シリコンウエハーステージ上に正確にセットされており、そのウエハー表面上をイオンビームが走査することで、イオンが注入されます。
ウエハーの後面には高温注入治具があります。高温注入治具の役割は、ウエハーを加熱することです。ウエハーを加熱することでイオン注入による結晶欠陥の発生を抑制し、セルフアニーリング効果によって欠陥を消滅させることができます。
イオン注入の際のパラメーターには、使用するイオンの種類、注入するイオンの運動エネルギーと注入量、注入対象となるウエハーの大きさや種類など、非常に多くのバリエーションがあります。したがって、1台のイオン注入装置だけで全てのイオン注入工程を担うことは困難です。
例えば、リンやボロンなどのイオンを高濃度で注入する場合は、高電流・高エネルギーのイオン注入装置が必要となります。また、イオンを注入するウエハーが、SiCのような高温で動作するパワーデバイス用ウエハーの場合は、ウエハーを高温に加熱できる装置が必要です。
その一方で、イオン注入装置は、高価格の製造装置です。イオン注入装置を選択する際には、注入するイオンの種類と注入量、適応可能なウェーハサイズ等の必要な条件を満たしていることが前提となります。その上で、装置価格やスループットとの関係等を慎重に検討することが大切です。
参考文献
https://www.jstage.jst.go.jp/article/sfj1989/52/12/52_12_805/_pdf
https://www.jstage.jst.go.jp/article/shikizai1937/62/2/62_77/_pdf/-char/ja
*一部商社などの取扱い企業なども含みます。
2024年10月の注目ランキングベスト6
注目ランキング導出方法順位 | 会社名 | クリックシェア |
---|---|---|
1 | 日新電機株式会社 |
15.9%
|
2 | Applied Materials, Inc. |
14.4%
|
3 | 住友重機械工業株式会社 |
14.4%
|
4 | 日新イオン機器株式会社 |
9.8%
|
5 | 株式会社マツボー |
9.1%
|
6 | 株式会社イオンテクノセンター |
6.8%
|
注目ランキング導出方法について
注目ランキングは、2024年10月のイオン注入装置ページ内でのクリックシェアを基に算出しています。クリックシェアは、対象期間内の全企業の総クリック数を各企業のクリック数で割った値を指します。社員数の規模
設立年の新しい会社
歴史のある会社
製品の閲覧数をもとに算出したランキング
電話番号不要
何社からも電話がかかってくる心配はありません
まとめて見積もり
複数社に何度も同じ内容を記入する必要はありません
返答率96%以上
96%以上の方がメーカーから返答を受け取っています
7 点の製品がみつかりました
オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社
200人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
返信の比較的早い企業
100.0% 返答率
24.4時間 平均返答時間
■概要 高品質で高密度かつ滑らかな表面を持つ、薄膜デポジションを実現することで、選んでいただいています。 イオンビーム技術は、単一ツールで最大限のシ...
オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社
310人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
返信の比較的早い企業
100.0% 返答率
24.4時間 平均返答時間
■概要 優れた均質性を持ちながら最大の柔軟性を有し、広範な用途分野に適しています。当社のシステムには、大気装入、単一基板真空予備室、そしてカセット交...
アルバック販売株式会社
70人以上が見ています
最新の閲覧: 6時間前
100.0% 返答率
125.8時間 平均返答時間
■概要 低加速・高濃度対応のイオン注入装置です。 ■用途 パワーデバイス等の薄型基板プロセス、IGBTプロセス ■特長 ・枚葉式 ・薄Wafer対応 ■非質量分離機...
アルバック販売株式会社
60人以上が見ています
最新の閲覧: 3時間前
100.0% 返答率
125.8時間 平均返答時間
■概要 Max2,400KeVまで対応可能な高エネルギーのイオン注入装置です。 ■用途 パワーデバイス等の薄型基板プロセス、IGBTプロセス ■特長 ・枚葉式 ・薄Wafer...
アルバック販売株式会社
40人以上が見ています
最新の閲覧: 7時間前
100.0% 返答率
125.8時間 平均返答時間
■概要 中電流型イオン注入装置SOPHI-200/260は、最新技術を搭載した8、6、5インチのイオン注入装置です。サンプリングをお受けしています。 ■用途 ・半導体...
アルバック販売株式会社
60人以上が見ています
最新の閲覧: 6時間前
100.0% 返答率
125.8時間 平均返答時間
■概要 高温ESCを搭載したSiC量産用高エネルギーイオン注入装置です。 ■用途 SiC向けイオン注入装置 ■特長 ・自動連続高温処理注入が可能 ・1価イオンで350k...
アルバック販売株式会社
40人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
100.0% 返答率
125.8時間 平均返答時間
■概要 中電流イオン注入装置IMX-3500は、最大エネルギ200kV、ウェーハサイズ8インチまでの、イオン注入装置で、大学等での研究開発に最適です。 ■特長 ・最...