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【2020年版】半導体露光装置7選 / メーカー2社一覧

半導体露光装置のメーカー2社・7製品を一覧でご紹介します。まずは使用用途や原理についてご説明します。


目次


半導体露光装置とは

半導体露光装置は、半導体製造工程の内、シリコンウェーハに回路パターンを描写するための装置になります。回路パターンを掘ったフォトマスクに強力なレーザー光を透過させ、フォトレジストを塗布したシリコンウェーハに回路を掘ります。近年では、細かい回路パターンを掘るためにEUVと呼ばれる波長が13nmのレーザーを使用する装置もあります。位置決めなどが非常に高精度で要求されるため、装置の値段が高価です。

半導体露光装置の使用用途

半導体露光装置は、半導体製造工程における露光工程で使用されます。高精度に研磨されたシリコンウェーハ上に酸化膜が張られ、その上にフォトレジストと呼ばれる感光材が張られます。その後、露光することで半導体の回路パターンを掘り、不要な部分をエッチングなどで除去することで、シリコンウェーハ上に半導体が出来上がります。半導体の精度によって、露光装置の波長が使い分けられています。

半導体露光装置の原理

半導体露光装置は、光源、コンデンサレンズ、フォトマスク、投影レンズ、ステージで構成されています。光源から発生したレーザー光がコンデンサレンズによって、同じ方向を向くように調整されます。その後、回路パターンが掘ってあるフォトマスクをレーザー光が通過して、投影レンズで光が縮小され、シリコンウェーハ上に半導体の回路パターンを転写します。1回転写が終われば、ステージによって、シリコンウェーハが移動し、シリコンウェーハ上の別の位置に新しく半導体の回路パターンを描写します。フォトマスクを取り換えることで、別の回路パターンの半導体が作られます。

光源には、248nmの波長のKrFエキシマレーザーや、193nmの波長のArFエキシマレーザー、13nmの波長のEUV光源などが使用されます。

最新の半導体は3~5nmの溝を掘る程度まで微細化が進んでいるので、コンデンサレンズやフォトマスク、投影レンズ、ステージすべてに、ナノ単位の高精度が要求されています。また、積層化も進んでいるので、露光は回路パターンを変えて1つの半導体ができるまでに何回も行われます。

参考文献
https://www.jstage.jst.go.jp/article/sicejl1962/41/1/41_1_8/_pdf
https://www.jstage.jst.go.jp/article/jjspe1986/57/4/57_4_615/_pdf

半導体露光装置のメーカー情報

半導体露光装置のメーカーランキング

社員数の規模

  1. 1 キヤノン株式会社
  2. 2 株式会社ニコン

設立年の新しい会社

  1. 1 キヤノン株式会社
  2. 2 株式会社ニコン

歴史のある会社

  1. 1 株式会社ニコン
  2. 2 キヤノン株式会社

半導体露光装置のメーカー2社一覧


半導体露光装置7選

半導体露光装置

株式会社ニコン 半導体露光装置 画像出典: 株式会社ニコン公式サイト

特徴

ニコンの半導体露光装置は、最先端の技術である液浸露光とマルチプルパターンニングが特徴の装置になります。

高精度のカメラを製造している技術力を生かした、高解像度のレンズと、高精度の位置決めによって、高品質の露光を可能にしています。

露光装置のレンズとシリコンウェーハの間に純粋を満たすことによって、空気下で行うよりも高解像度の露光が可能になる液浸露光技術が搭載されています。

ステージの高速移動と停止が可能のため、硬いスループットで露光を行えます。

株式会社ニコンの会社概要

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FPA-6300ES6a

キヤノン株式会社 FPA-6300ES6a 画像出典: キヤノン株式会社公式サイト

特徴

高生産性KrFスキャナーFPA-6300ES6aは、レクチルステージとウェーハステージによって、露光処理を高速で行えるKrF露光装置になります。

300㎜のウェーハを1時間に200枚以上処理することができる処理速度が特徴です。

ステージの振動を高性能の制御技術で抑制し、CANON独自のアライメントスコープによって、正確な位置決めが行えるため、露光技術の最高水準である5nmの重ね合わせ精度で露光を行えることができます。

耐久性やメンテナンス性が従来の製品に比べて向上しています。

キヤノン株式会社の会社概要

  • 会社所在地: 東京都大田区下丸子3丁目30番2号
  • URL: https://canon.jp/
  • 創業: 1937年
  • 従業員数: 25,740人

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FPA-6300ESW

キヤノン株式会社 FPA-6300ESW 画像出典: キヤノン株式会社公式サイト

特徴

FPA-6300ESW大画角高生産性KrFスキャナーは、投影倍率が従来の1:4から1:3.125に変更されたことで、レチクルサイズを変更しないでも大画角化で露光を行うことができる半導体露光装置になります。

33×42.2mmの範囲を一括で露光することができるため、CMOSイメージセンサを簡単に露光することができます。

KrF露光の分野で広く利用されているCANON独自の半導体露光装置プラットフォームに準して製造されているため、用途に応じてアップグレードが可能です。

キヤノン株式会社の会社概要

  • 会社所在地: 東京都大田区下丸子3丁目30番2号
  • URL: https://canon.jp/
  • 創業: 1937年
  • 従業員数: 25,740人

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FPA-3030EX6

キヤノン株式会社 FPA-3030EX6 画像出典: キヤノン株式会社公式サイト

特徴

FPA-3030EX6IoT関連デバイス向けKrFステッパーは、CANON製のi線ステッパーと、CANON製の半導体製造装置で広く使用されているウェーハ搬送システムを搭載した、IoTデバイスやパワーデバイスの製造向けの半導体露光装置になります。

200㎜のウェーハにおいて、画像力が150nm、重ね合わせ精度が25nm以下、1時間で121枚以上の露光処理を行うことができます。

CANON独自のレチクルやレシピを使用することで、既存の設備を有効利用することができます。

キヤノン株式会社の会社概要

  • 会社所在地: 東京都大田区下丸子3丁目30番2号
  • URL: https://canon.jp/
  • 創業: 1937年
  • 従業員数: 25,740人

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FPA-5550iZ2

キヤノン株式会社 FPA-5550iZ2 画像出典: キヤノン株式会社公式サイト

特徴

FPA-5550iZ2高生産性スキャナーミックスアンドマッチ対応i線ステッパーは、i線を使用した露光装置の分野で世界最高水準のウェーハ処理能力を誇る半導体露光装置です。

CANON独自のショット形状補正機能のSSCが搭載しており、通常の露光に加えて、重ね合わせ露光も行えるため、重ね合わせ精度が高いことが特徴です。

CANON独自の露光装置のプラットフォームを使用することで、ロジック半導体、メモリ半導体、イメージセンサ向けのカスタマイズが可能で、柔軟に使用することができます。

キヤノン株式会社の会社概要

  • 会社所在地: 東京都大田区下丸子3丁目30番2号
  • URL: https://canon.jp/
  • 創業: 1937年
  • 従業員数: 25,740人

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FPA-5510iX

キヤノン株式会社 FPA-5510iX 画像出典: キヤノン株式会社公式サイト

特徴

FPA-5510iX前工程向け大画角・高解像力i線ステッパーは、特殊なレンズを搭載することで、50×50㎜以上の大画角の露光が可能であるため、イメージセンサやMEMSの露光に適している製品になります。

CANON独自の露光装置のプラットフォームを使用することによって、露光する対象ごとにカスタマイズすることができるので、柔軟に装置を使用することができます。

今まで半導体露光装置で実績がある装置のプラットフォームを引き継いでいるため、信頼性が高いです。

キヤノン株式会社の会社概要

  • 会社所在地: 東京都大田区下丸子3丁目30番2号
  • URL: https://canon.jp/
  • 創業: 1937年
  • 従業員数: 25,740人

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FPA-3030i5+

キヤノン株式会社 FPA-3030i5+ 画像出典: キヤノン株式会社公式サイト

特徴

FPA-3030i5+グリーンデバイス、MEMSデバイス向けi線ステッパーは、径が100~200㎜の幅広いウェーハサイズに対応している、ノンクリティカルデバイスの量産向けの半導体露光装置になります。

22×22㎜の画角の縮小倍率投影レンズを搭載しているため、350nm以下の解像度で露光することができ、様々なデバイスの量産に対応することができます。

1994年から長期間にわたって半導体製造の業界で使用されている実績があるプラットフォームを使用して製造されているため、信頼性が高いことが特徴です。

キヤノン株式会社の会社概要

  • 会社所在地: 東京都大田区下丸子3丁目30番2号
  • URL: https://canon.jp/
  • 創業: 1937年
  • 従業員数: 25,740人

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半導体露光装置の7製品一覧

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