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バイポーラトランジスタ メーカー21社

バイポーラトランジスタのメーカー21社一覧や企業ランキングを掲載中！バイポーラトランジスタ関連企業の2025年4月注目ランキングは1位:株式会社東芝、2位:株式会社エルムテクノロジー、3位:PANJIT Japan Inc.となっています。 バイポーラトランジスタの概要、用途、原理もチェック！

バイポーラトランジスタとは

バイポーラトランジスタ (英: Bipolar Transistor) とは、3端子の半導体素子のことです。

接合型トランジスタとも言われ、N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持ちます。電界効果トランジスタ (英: Field Effect Transistor) が正孔もしくは自由電子のどちらかがキャリアとして動作するユニポーラトランジスタとは異なり、正孔と自由電子両方が動作に関与することからバイポーラトランジスタと呼ばれています。

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21社バイポーラトランジスタメーカー

バイポーラトランジスタ 2025年4月のメーカーランキング


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VCEO V

-150 - -100 -100 - -50 -50 - -20 -20 - 0 0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 600 600 - 700

IC A

-2 - -1 -1 - 0 0 - 1 1 - 10 10 - 20

hFE

0 - 100 100 - 200 200 - 400 400 - 800

P mW

100 - 200 200 - 500 500 - 600 600 - 700

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バイポーラトランジスタ バイポーラトランジスタ 2SA1363-イサハヤ電子株式会社

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ バイポーラトランジスタ 2SA1363

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■概要 2SA1363は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、特にコレクタ電流が大きく設計、製...


パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ-インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

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IGBTディスクリート、プレスパック、パワーモジュール、そして様々な電圧／電流クラスのスタックソリューションまで多種多様なデバイス...

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IGBTディスクリート-パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
IGBTパワーモジュール-パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
IGBTベアダイ-パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
車載適合IGBT-パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

バイポーラートランジスター-東和電子株式会社

東和電子株式会社

バイポーラートランジスター

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多彩な超小型面実装タイプの小信号トランジスターから、リードタイプパッケージ搭載のパワートランジスターまで、低飽和タイプ・大電流...


バイポーラトランジスタ 大電流ドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1363-イサハヤ電子株式会社

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 大電流ドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1363

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2SA1363は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、特にコレクタ電流が大きく設計、製造され...


バイポーラトランジスタ-敬誠株式会社

敬誠株式会社

バイポーラトランジスタ

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■特徴 ・ミドルパワードライバに最適 ・VCE (sat) が低い ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠 ・用途：...


ディスクリートデバイス バイポーラトランジスタ 汎用バイポーラトランジスタ-フルタカ電気株式会社

フルタカ電気株式会社

ディスクリートデバイス バイポーラトランジスタ 汎用バイポーラトランジスタ

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■特長 ・ローム (ROHM) PNP,SOT-346,-50V -150mA,一般増幅用トランジスタの、2SA1037AKT146です。※パッケージ SMT3:3,000pcs/テーピング...


バイポーラトランジスタ 低周波電力増幅用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1364-イサハヤ電子株式会社

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 低周波電力増幅用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1364

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2SA1364は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにコレクタ損失が大きく...


バイポーラトランジスタ 大電流ドライブ用 シリコンPNPエピタキシャル形 (ミニタイプ) 2SA1365 -イサハヤ電子株式会社

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 大電流ドライブ用 シリコンPNPエピタキシャル形 (ミニタイプ) 2SA1365

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2SA1365は、超小形外形樹脂封止形シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタでコレクタ 電流が大きく VCE (sat) が小さく設計・製造され...


複合バイポーラトランジスタ-敬誠株式会社

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複合バイポーラトランジスタ

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■特徴 ・超小型複合バイポーラトランジスタ ・パワーマネージメント用 ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準...


ディスクリートデバイス バイポーラトランジスタ 汎用デジタルトランジスタ-フルタカ電気株式会社

フルタカ電気株式会社

ディスクリートデバイス バイポーラトランジスタ 汎用デジタルトランジスタ

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■特長 ・ローム (ROHM) NPN,SOT-323,R1=R2デジタルトランジスタ (バイアス抵抗内蔵トランジスタ) の、DTC114EUAT106です。※パッケージ U...


バイポーラトランジスタ 汎用大電流ドライブ用 シリコンPNPエピタキシャル形 (ミニタイプ) 2SA1366-イサハヤ電子株式会社

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 汎用大電流ドライブ用 シリコンPNPエピタキシャル形 (ミニタイプ) 2SA1366

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2SA1366は、超小形外形樹脂封止形シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタでコレクタ 電流が大きく高耐圧に設計・製造されております。...


バイポーラトランジスタ 高電圧ドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1368-イサハヤ電子株式会社

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バイポーラトランジスタ 高電圧ドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1368

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2SA1368は、樹脂封止形のシリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、高耐圧に設計、製造されておりますので...


バイポーラトランジスタ 小形モータ、プランジャドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1369-イサハヤ電子株式会社

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バイポーラトランジスタ 小形モータ、プランジャドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1369

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バイポーラトランジスタ 小形モータ、プランジャドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1369-TH51-イサハヤ電子株式会社

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 小形モータ、プランジャドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1369-TH51

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バイポーラトランジスタ リレードライブ、電源用 シリコンPNPエビタキシァル形 2SA1944-イサハヤ電子株式会社

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ リレードライブ、電源用 シリコンPNPエビタキシァル形 2SA1944

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IGBT-株式会社三社電機製作所

株式会社三社電機製作所

IGBT

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■特長 MOSFETを高耐圧化するためにはドリフト層を厚くする必要があり、オン抵抗が高くなるという弱点があります。IGBTは裏面側P層からホ...

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GSA75AA120-IGBT
GSA100AA60-IGBT

バイポーラトランジスタ 汎用大電流ドライブ用 シリコンPNPエビタキシァル形 2SA1945-イサハヤ電子株式会社

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 汎用大電流ドライブ用 シリコンPNPエビタキシァル形 2SA1945

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2SA1945は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタでコレクタ電流が大きく、高耐圧に設計、製造されております。2SC5211と...


バイポーラトランジスタ 大電流ドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1946-イサハヤ電子株式会社

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バイポーラトランジスタ 大電流ドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1946

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オプトカプラ オプトカプラダーリントン-ウルトエレクトロニクスジャパン株式会社

ウルトエレクトロニクスジャパン株式会社

オプトカプラ オプトカプラダーリントン

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■特徴 ・高絶縁電圧 ・内部隔離の安定性が良好 ・フル稼働で安定したCTR ・さまざまなリードフレームオプション ■アプリケーション ・...


パワー インフィニオンスマートパワースイッチ-インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

パワー インフィニオンスマートパワースイッチ

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■インフィニオンの車載および産業用アプリケーション向けのローサイドおよびハイサイドスマートパワースイッチの包括的かつ革新的なポー...

2種類の品番

ハイサイドスイッチ-パワー インフィニオンスマートパワースイッチ
Multichannel SPI Switches & Controller-パワー インフィニオンスマートパワースイッチ

デジタルトランジスタ-敬誠株式会社

敬誠株式会社

デジタルトランジスタ

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■特徴 ・バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。 (内部回路図参照) ・バイアス用...


半導体製品 トランジスタ-フルタカ電気株式会社

フルタカ電気株式会社

半導体製品 トランジスタ

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■特長 東芝TOSHIBA トランジスタバイポーラ2SA1162-GR,LF (B


複合デジタルトランジスタ-敬誠株式会社

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複合デジタルトランジスタ

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■特徴 ・超小型複合デジタルトランジスタ ・分圧型 ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠


半導体 IC リール販売 トランジスタ各種-フルタカ電気株式会社

フルタカ電気株式会社

半導体 IC リール販売 トランジスタ各種

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■特長 TOSHIBA/東芝 半導体デバイス、IC 高速スイッチング用バイポーラパワートランジスタ2SA1213-Y (TE12L,ZC リール品での販売となり...


トランジスタ IGBT-敬誠株式会社

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トランジスタ IGBT

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■特徴 ・特長:低飽和電圧 ・回路数:2 ・ダイオード内蔵:あり ・RoHS Compatible Product (s) 適合品あり


抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N130Xシリーズ-イサハヤ電子株式会社

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抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N130Xシリーズ

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■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1.0kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P130Xシリーズがあります...


抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N136Xシリーズ-イサハヤ電子株式会社

イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N136Xシリーズ

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抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136M-T150-イサハヤ電子株式会社

イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136M-T150

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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、イン...


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📔 バイポーラトランジスタの基礎知識

バイポーラトランジスタとは

バイポーラトランジスタ

バイポーラトランジスタ (英: Bipolar Transistor) とは、3端子の半導体素子のことです。

接合型トランジスタとも言われ、N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持ちます。電界効果トランジスタ (英: Field Effect Transistor) が正孔もしくは自由電子のどちらかがキャリアとして動作するユニポーラトランジスタとは異なり、正孔と自由電子両方が動作に関与することからバイポーラトランジスタと呼ばれています。

バイポーラトランジスタの使用用途

バイポーラトランジスタの主な機能は、増幅とスイッチングの2つです。

微小な信号を充分大きなレベルにする増幅回路において、特に高い増幅率を求める場合には、ユニポーラトランジスタよりバイポーラトランジスタを使った方がより有利です。高い周波数での動作もバイポーラトランジスタの方が優れています。

例えば、高い周波数成分を含むスイッチングノイズを抑制する必要がある電源レギュレータ回路において、バイポーラトランジスタを採用した回路とFETによる回路とではノイズ除去比等の特性に顕著な差異が見られます。

IC化することが難しい少量生産品や高周波領域の増幅回路では未だバイポーラトランジスタも使われていますが、電流駆動であることから、電圧駆動のユニポーラトランジスタと比べると消費電力が大きくなります。電池駆動等低消費電流が求められる製品、ポータブル機器等には使いにくい面があります。

一方、スイッチング回路は電流のON/OFF制御を目的としますが、スイッチング速度および小型化の面でユニポーラトランジスタの方が優れているため、この用途での応用は少ないです。

バイポーラトランジスタの原理

半導体はP型とN型に分類することができます。P型半導体は電子が足りない状態である正孔で満たされており、N型半導体は電子が余剰で自由電子で満たされています。

トランジスタはP型とN型半導体を組み合わせたものですが、バイポーラトランジスタの場合、P型N型P型の3つの領域から成るものとN型P型N型の3つの領域から成るものがあります。

前者をPNPトランジスタ、後者をNPNトランジスタと言います。3つの領域は各々、エミッタ、ベース、コレクタであり、各々電極が接続されていてその電極を通して電圧を印加するとともに信号電流が流れます。また、ベースは極めて薄く作られていることが特徴です。

バイポーラトランジスタの動作原理を、N型半導体でP型半導体を挟んだ構造であるNPN型トランジスタを例にして説明します。

エミッタを基準電圧 (0V) に接続しコレクタをVCC (例えば+5V) に接続した状態で、ベースにプラスの電圧を加えてベース電流Ibをエミッタに流すと、β×Ibの電流Icがコレクタからエミッタに流れます。これがトランジスタによる増幅の原理であり、バイポーラトランジスタでは電流増幅が基本です。βは電流増幅率と呼ばれ、通常100~200程度の値になります。PNP型トランジスタでは、印加する電圧の向きや電流の方向が逆ですが、増幅の原理は同じです。

スイッチング動作では、ベース電流Ibに大きな電流を流すことで、コレクタに接続された負荷に十分な電流を流すことができます。また、ベース電流を0Aにすると負荷には電流が流れません。ベース電流Ibを流す/流さないことにより負荷に流れる電流をON/OFFする、スイッチング動作を実現します。

バイポーラトランジスタのその他情報

バイポーラトランジスタの型名

1993年以前は、JIS規格によって半導体部品の型名のつけ方が規定されていました。従って型名からトランジスタの用途がある程度判断することができます。バイポーラトランジスタでは頭から3文字は次の様に規定されていました。

  • 2SA: 高周波用PNP型トランジスタ
  • 2SB: 低周波用PNP型トランジスタ
  • 2SC: 高周波用NPN型トランジスタ
  • 2SD: 低周波用NPN型トランジスタ

実際の型名は、例えば2SA372Y などと上記3文字以降も数字とアルファベットが続きます。数字は11から始まる番号で、2~4桁から成りますが、登録順に振られたもので意味はありません。最後のアルファベットは増幅率のランク分けなどを意味します。

このJIS規格は1993年に廃止されましたが、その後を継いだ社団法人 電子情報技術産業協会の規格「個別半導体デバイスの型名」でも継続して採用されています。

参考文献
https://detail-infomation.com/bipolar-transistor/x
https://jeea.or.jp/course/contents/02106/

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