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PINフォトダイオードのメーカー10社一覧や企業ランキングを掲載中！PINフォトダイオード関連企業の2025年8月注目ランキングは1位:日清紡マイクロデバイス株式会社、2位:Vishay Intertechnology, Inc.、3位:株式会社オプトテクノとなっています。 PINフォトダイオードの概要、用途、原理もチェック！
PINフォトダイオードは、照射された光を電気信号に変換するフォトダイオードの一種です。
フォトダイオードには、主にPN型、PIN型、APD（Avalanche photodiode）の3種類のタイプがあり、PINフォトダイオードは、P型半導体とN型半導体の間に絶縁体の真性半導体であるI型半導体（Intrinsic semiconductor）を挿入した構造をしています。
P型半導体とN型半導体のPN結合で構成されたPNフォトダイオードに比べ、PINフォトダイオードは、光を照射してから電気信号に変換されるまでの応答速度が速いという特徴があります。
2025年8月の注目ランキングベスト8
| 順位 | 会社名 | クリックシェア |
|---|---|---|
| 1 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 |
11.1%
|
| 2 | Vishay Intertechnology, Inc. |
11.1%
|
| 3 | 株式会社オプトテクノ |
11.1%
|
| 4 | コーデンシ株式会社 |
11.1%
|
| 5 | セブンシックス株式会社 |
11.1%
|
| 6 | Laser Components GmbH |
11.1%
|
| 7 | オン・セミコンダクター株式会社 |
11.1%
|
| 8 | 松定プレシジョン株式会社 |
11.1%
|
45 点の製品がみつかりました
45 点の製品
コーデンシ株式会社
410人以上が見ています
最新の閲覧: 5時間前
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Luckylight Electronics Co., Ltd
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日清紡マイクロデバイス株式会社
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最新の閲覧: 12時間前
返信の比較的早い企業
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株式会社セイワ
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返信の早い企業
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最新の閲覧: 7時間前
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返信の比較的早い企業
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コーデンシ株式会社
2810人以上が見ています
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受光素子は、光電効果によって光を電気信号に変換する素子のことです。コーデンシでは、半導体のPN接合またはPIN接合を使用したフォトダ...
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株式会社オプトテクノ
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■光通信用フォトダイオード ・遮断周波数は100MHz。 ・分光特性の最大感度波長は880nm。 ・有効受光面積は0.5ミリ平方。 ・レンズ、及び...
株式会社ゴーフォトン
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■TAP機能付きモニタ用フォトダイオードモジュール ファイバとカップリングさせたフォトダイオードモジュールです。入力ファイバからの入...
Luckylight Electronics Co., Ltd
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アルワン電子株式会社
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φ3mmの超小型タイプのフォトダイオードやフォトトランジスタで、設計上、受光素子の部分に多くのスペースを設けられない場合に大変有効...
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ダーリントン出力のフォトカプラです。
Luckylight Electronics Co., Ltd
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株式会社オプトサイエンス
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■概要 GPD社の高速 InGaAsフォトダイオードは、最新の赤外線検出技術を提供します。 このフォトダイオードは、800 nmから1700 nmの波長...
株式会社オプトテクノ
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株式会社セイワ
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フォトトライアック出力のフォトカプラです。
株式会社オプトサイエンス
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アルワン電子株式会社
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φ3mmの超小型タイプのフォトダイオードやフォトトランジスタで、設計上、受光素子の部分に多くのスペースを設けられない場合に大変有効...
株式会社セイワ
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汎用のトランジスタ出力方式のフォトカプラです。
株式会社オプトサイエンス
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■概要 GPD社の拡張 InGaAsフォトダイオードは、広範囲の赤外線検出に対応する高性能な製品です。このフォトダイオードは、1,000nmから2,...
株式会社セイワ
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ソリッドステートリレー方式のフォトモスです。60V～600V出力のブレークダウン電圧の製品をラインナップしています。
株式会社オプトサイエンス
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■概要 GPD社のInGaAsアバランシェフォトダイオード (APD) は、赤外線検出において高い性能を提供する製品です。このAPDは、950nmから1,7...
株式会社オプトサイエンス
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■概要 GPD社の熱電冷却付き InGaAs フォトダイオードは、高精度の赤外線検出を可能にする革新的な製品です。 このフォトダイオードは、9...
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■概要 GPD社の4分割 InGaAs フォトダイオードは、精密な位置検出とトラッキングを可能にする高性能な赤外線検出器です。このフォトダイ...
株式会社オプトサイエンス
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■概要 GPD社のマルチエレメント リニアアレイ フォトダイオードは、同時に複数の赤外線源を高精度に検出するための革新的なソリューショ...
株式会社オプトサイエンス
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■概要 GPD社の低PDL (低偏光依存損失) InGaAsフォトダイオードは、高精度の赤外線検出を実現するための高性能な製品です。 この低PDL In...
日清紡マイクロデバイス株式会社
390人以上が見ています
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NJL6402R-2は3波長に対応する、光ピックアップのフロントレーザパワーモニタ用に開発した高速PINフォトダイオードです。低い波長依存性...
PINフォトダイオードは、照射された光を電気信号に変換するフォトダイオードの一種です。
フォトダイオードには、主にPN型、PIN型、APD（Avalanche photodiode）の3種類のタイプがあり、PINフォトダイオードは、P型半導体とN型半導体の間に絶縁体の真性半導体であるI型半導体（Intrinsic semiconductor）を挿入した構造をしています。
P型半導体とN型半導体のPN結合で構成されたPNフォトダイオードに比べ、PINフォトダイオードは、光を照射してから電気信号に変換されるまでの応答速度が速いという特徴があります。
PINフォトダイオードは、高感度で応答速度が速いという特徴を持ち、フォトダイオードの中では最も使われています。
具体的には、デジタルカメラなどのCCDやCMOSセンサーの受光素子、CDや DVDの光ピックアップ、リモコンの受信装置、光通信システムの受信機、光度計・露出計など光検出器、バーコードリーダー、文字読取り装置、車載向けの太陽光センサー・トンネルセンサーや、X線検出器・放射線検出器など、幅広い分野で使用されています。
PINフォトダイオードは、P型半導体とN型半導体の間に絶縁体のI型半導体をはさんだ構造をしています。
P型半導体領域が受光面、N型半導体側が基板側、I型半導体領域は空乏層の代わりとなって光吸収領域になります。P層は内部まで受光しやすいように非常に薄く、光吸収層になるI層は比較的厚い構成になっています。
P側にマイナス、N側にプラスの逆バイアスを印加すると、P層の正孔はマイナス側に、N層の電子はプラス側に移動し、中間層はキャリアがほとんど存在しない空乏層になります。I層にはもともとキャリアが存在しないので、I層の厚さだけ空乏層の幅は広がります。
この状態で、P層側からバンドギャップよりも大きいエネルギーを持つ光が照射されると、電子が光励起されて自由電子になり、その跡に正孔ができます。空乏層で生成された電子はN層へ、正孔はP層へ移動し、PINフォトダイオードには光電流が流れます。このとき、電流の大きさは入射した光の強さに比例します。
PINフォトダイオードでは、I層によって形成された広い空乏層に逆バイアスが印加されているため、PNフォトダイオードに比べてキャリアの移動速度が速く、受光素子としての応答速度が速いという特徴があります。また、光吸収領域である空乏層が広いため、感度も高くなります。
