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CMP装置 メーカー8社

CMP装置のメーカー8社一覧や企業ランキングを掲載中！CMP装置関連企業の2025年4月注目ランキングは1位:北川グレステック株式会社、2位:株式会社東精エンジニアリング、3位:株式会社荏原製作所となっています。 CMP装置の概要、用途、原理もチェック！

CMP装置とは

CMP装置は、シリコンウェーハを研磨する装置になります。CMPは、Chemical Mechanical Polishingの略で、化学機械研磨のことです。半導体は、非常に小さいスケールで作られているので、均一で高精度な研磨が求められるうえ、異なる硬さの層がいくつも積み重なっており、それぞれ適切な圧力や研磨剤、薬品を使用して研磨する必要があります。研磨の際は、それぞれの半導体の層の構成に応じて、表面や凹凸を化学反応をさせ、サンドペーパーなどで機械的に除去しています。

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半導体製造装置 自動研磨機 試料研磨機

8社CMP装置メーカー

北川グレステック株式会社のCMP装置

北川グレステック株式会社

CMP装置ARW SERIES

PR

・酸化膜、Cu膜、バリアメタル、樹脂等のCMPで実績有り
・業界最省スペースのフットプリントで実験室・ラボにも設置が容易
・高剛性が特徴で、立上げたCMP条件は量産装置への展開も可能
・酸性･アルカリ性、あらゆるスラリーに対応

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  • CMP装置


CMP装置 2025年4月のメーカーランキング


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Orbis-自動CMP装置 Tribo/Orbisシリーズ

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半導体製造装置 CMP (研磨) 装置 MAT-ARW-8C1MS-北川グレステック株式会社

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半導体製造装置 CMP (研磨) 装置 MAT-ARW-8C1MS

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半導体製造装置 CMP (研磨) 装置 MAT-ARW-681MSⅡ-北川グレステック株式会社

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半導体製造装置 CMP (研磨) 装置 MAT-ARW-681MSⅡ

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精密研磨システム 特注研磨装置 Siウェハー電解研磨システム-ムサシノ電子株式会社

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WSB2 ウエハーボンディング装置 WSB2 ウエハーボンダー 1WBS7 (6インチタイプ)

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半導体製造装置 CMP (研磨) 装置 BC-15CN-北川グレステック株式会社

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半導体製造装置 CMP (研磨) 装置 BC-15CN

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優れた研磨面を実現 CMPパッド / IC1000™-ムサシノ電子株式会社

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📔 CMP装置の基礎知識

CMP装置とは

CMP装置は、シリコンウェーハを研磨する装置になります。CMPは、Chemical Mechanical Polishingの略で、化学機械研磨のことです。半導体は、非常に小さいスケールで作られているので、均一で高精度な研磨が求められるうえ、異なる硬さの層がいくつも積み重なっており、それぞれ適切な圧力や研磨剤、薬品を使用して研磨する必要があります。研磨の際は、それぞれの半導体の層の構成に応じて、表面や凹凸を化学反応をさせ、サンドペーパーなどで機械的に除去しています。

CMP装置の使用用途

CMP装置は半導体の製造工程において主に使用されます。半導体プロセスにおける、エッチングを行い、酸化膜の生成やイオンの拡散などを行った後に、それらの工程によって生じた表面の凹凸を平坦化する際に使用されます。CMPによって、非常に高精度の平坦化を行え、平坦化した表面の上にさらに積層を行えやすくなります。CMP装置の選定の際には、平坦化の精度、使用する薬液や化学薬品、シリコンウェーハの処理スピードなどを考慮する必要があります。

CMP装置の原理

CMP装置の動作原理を説明します。CMP装置は一般的には、一度に多くのシリコンウェーハを高速で処理するため、大型の装置になることが多いです。構成要素としては、回転ステージ、薬液や化学薬品を塗布するためにノズル、サンドペーパーなどが付いている研磨部で、そのほかにも、シリコンウェーハ輸送用のロボットや研磨後の洗浄部、以上検知部などが付属されています。

基本的な動作は、薬液や化学薬品をノズルからシリコンウェーハ上に散布し、その上からサンドペーパーなどを押し当てて、回転ステージを高速で回転させることによって研磨します。化学研磨の対象としては、酸化膜、タングステン配線、銅配線になります。酸化膜の場合は、酸化膜をアルカリ溶液で溶かし、同じ組成の酸化ケイ素で研磨します。タングステン配線の場合は、タングステンの表面部分を酸化させ、その表面を酸化ケイ素などで研磨します。銅配線の場合は、銅を酸化させた後、錯体にし、酸化ケイ素などで研磨します。

参考文献
https://www.jstage.jst.go.jp/article/electrochemistry/74/12/74_12_971/_pdf
https://www.jstage.jst.go.jp/article/jjspe/83/3/83_220/_pdf
https://www.jstage.jst.go.jp/article/jjspe/84/3/84_239/_pdf

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