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カソード
5インチ×7インチ 2式
基板トレイ
Forφ4：トレイW120mm×L200mm
成膜有効範囲
Forφ4：トレイ W100mm
軸数
φ4用：12軸
ウエハ枚数
φ4用：12枚
排気ポンプ
RP＋CRYO
設置寸法
W1,280mm×D1,150mm×H2,250mm
重量
1,500kg
電源容量
AC200~220V／17kVA (50A)
処理方式
ロードロック式 カルーセル型
膜厚分布
トレイ内 ±2% ／ トレイ間 ±2%
処理バッチ数
φ3：42バッチ／日 (22時間稼働想定) φ4：47バッチ／日 (22時間稼働想定) ※Cr:5nm (両面) 、Au:250nm (両面) 成膜時
処理枚数
φ3：512枚／日 (22時間稼働想定) φ4：424枚／日 (22時間稼働想定)
到達圧力
1.0×10-3Pa以下 (全室排気)
排気時間
仕込・取出室 1.0×101Paまで2分以内
基板加熱温度
150℃以上を確認
型番
SPC-2507-Ⅱ取扱企業
株式会社昭和真空カテゴリ
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スパッタリング装置の製品120点中、注目ランキング上位6点
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | カソード | 基板トレイ | 成膜有効範囲 | 軸数 | ウエハ枚数 | 排気ポンプ | 設置寸法 | 重量 | 電源容量 | 処理方式 | 膜厚分布 | 処理バッチ数 | 処理枚数 | 到達圧力 | 排気時間 | 基板加熱温度 |
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要見積もり | 5インチ×7インチ 2式 | Forφ4：トレイW120mm×L200mm | Forφ4：トレイ W100mm | φ4用：12軸 | φ4用：12枚 | RP＋CRYO | W1,280mm×D1,150mm×H2,250mm | 1,500kg | AC200~220V／17kVA (50A) | ロードロック式 カルーセル型 | トレイ内 ±2% ／ トレイ間 ±2% | φ3：42バッチ／日 (22時間稼働想定) φ4：47バッチ／日 (22時間稼働想定) ※Cr:5nm (両面) 、Au:250nm (両面) 成膜時 | φ3：512枚／日 (22時間稼働想定) φ4：424枚／日 (22時間稼働想定) | 1.0×10-3Pa以下 (全室排気) | 仕込・取出室 1.0×101Paまで2分以内 | 150℃以上を確認 |
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成膜環境が高真空型の製品
スパッタリング装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#MEMS #ガラス基板 #研究開発 #光学 #絶縁膜 #電子顕微鏡 #電子部品 #導電膜 #半導体 #量産スパッタ方式
DCスパッタ型 RFスパッタ型 マグネトロンスパッタ型 グロー放電スパッタ型成膜環境
高真空型 中真空型ターゲット構成
単一ターゲット型 多元ターゲット型 ロータリターゲット型対象搬送方式
静止基板型 回転基板型 スルーフィード型処理基板 mm
20 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 700スパッタ方向
アップ ダウン装置構成
エッチング室 カセット室 スパッタ室 搬送室 ロードロック室基板加熱 ℃
100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 800
