多層膜スパッタリング装置 S600 パナソニック プロダクションエンジニアリング株式会社
この製品について
■特長
・最大5基のカソード搭載により多様なプロセスと高生産性を両立 ・T/S距離調整により長期間の高膜厚均一性を維持 ・独自プラズマ制御 (MPスパッタ) 技術にてスパッタ薄膜特性を向上 ・ヒーターステージ (800℃) 搭載で高温プロセスが可能 ・開発工程～量産工程まで様々な用途へ活用が可能■最大5基のカソード搭載可能
・ダブルロードロック室で高生産性を実現 ・ロータリタイプとマルチチャンバタイプを融合した搬送形態で 多様なプロセスへの対応と高スループットを両立 ・各ポジションに様々なユニットを装着可能・DC/RFカソード・MPスパッタ (独自技術) ・逆スパッタ・裏面スパッタ・Arクリーニング・冷却ユニット (Ar冷却、チムニー冷却) ・基板加熱ユニット ・3～6インチ基板処理に対応 (小形・矩形等の異形基板にもトレイ搬送で対応)■スパッタカソード構造
・偏芯回転磁石による大口径ワイドエロージョンで、高精度な膜厚均一性と ターゲットの長寿命化を実現 ・磁場設計は当社がシミュレーションにて設計し、お客様のご要望に最大限対応■T/S 調整機構
・ターゲット侵食による膜厚分布変化を、T/S 距離を自動調整することで ターゲット寿命まで膜厚分布の高均一性を維持■MP スパッタ
・独自のプラズマ制御技術により、DCマグネトロンスパッタ方式で ① スパッタ粒子の高エネルギー化 ② 活性種の高密度化 ③ 基板上粒子のマイグレーション促進を実現 ・電子部品の小型化・高性能化に不可欠な高結晶/高配向機能膜、 高密度/高耐湿保護膜、低抵抗金属膜等の成膜が可能■基板加熱ユニット搭載
高均熱性ヒーターステージ (800℃) の搭載で高温プロセスへの対応が可能-
シリーズ
多層膜スパッタリング装置 S600
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多層膜スパッタリング装置 S600 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 対応基板サイズ | ターゲットサイズ | プロセスモジュール数 | プロセスガス種 |
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S600 |
要見積もり | φ3インチ ～ φ6インチ | φ200, φ250, φ300, φ350mm | Max.4 基 +1 基 (オプション) | Ar, N2, O2 |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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