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ロードロック式 スパッタリング装置 SPH-2500T-Ⅱ-株式会社昭和真空

全型番で同じ値の指標

排気ポンプ

RP+TMP※オプション:クライオポンプ対応可

設置寸法

W1,100mm×D3,640mm×H1,680mm

重量

1,900kg

電源容量

AC200~220V (3Φ) /27kVA (78A)

ターゲットサイズ

W126mm (5inch) ×H178mm (7inch) ×t6mm

処理方式

ロードロック式、通過型

カソード

5インチ×7インチ 2対 (うち1対が高使用効率カソード)

トレイサイズ

L350mm×H139mm

基板搬送方式

ラック&ピニオン搬送

ストッカー

10トレイ収納

膜厚分布

トレイ内 ±1.2% / トレイ間 ±1.5%※成膜有効範囲±50mm

ターゲット使用効率

40%

サイクルタイム

3min/トレイ ※Cr:8nm、Ag:45nm成膜時 1トレイ目除く

到達圧力

仕込/取出室 1.0×10-3Pa以下 SP室 1.0×10-3Pa以下

排気時間

仕込/取出室 2.0×10-2Pa迄 3分以内 SP室 1.2×10-2Pa迄 10分以内

基板加熱温度

150℃以上を確認

この製品について

■二種類の膜を両面に成膜可能なスパッタリング装置

本装置は水晶振動子のベース電極成膜を目的として開発したロードロック式スパッタリング装置です。仕込室、成膜室の2室構成とし、加熱から成膜、取出までを全自動で処理可能です。「ベース電極成膜工程」のライン化が可能となり生産性の向上と省力化に貢献します。両面同時成膜により生産性に優れます。

■用途・応用例

各種電子部品への電極用金属膜の形成

■特長

・ターゲット使用効率約40% ・ラック&ピニオン方式の採用による安定した搬送 ・DCボンバード機構[表面改質用] (オプション)

  • 型番

    SPH-2500T-Ⅱ

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ロードロック式 スパッタリング装置 SPH-2500T-Ⅱ SPH-2500T-Ⅱの性能表

商品画像 価格 (税抜) 排気ポンプ 設置寸法 重量 電源容量 ターゲットサイズ 処理方式 カソード トレイサイズ 基板搬送方式 ストッカー 膜厚分布 ターゲット使用効率 サイクルタイム 到達圧力 排気時間 基板加熱温度
ロードロック式 スパッタリング装置 SPH-2500T-Ⅱ-品番-SPH-2500T-Ⅱ 要見積もり RP+TMP※オプション:クライオポンプ対応可 W1,100mm×D3,640mm×H1,680mm 1,900kg AC200~220V (3Φ) /27kVA (78A) W126mm (5inch) ×H178mm (7inch) ×t6mm ロードロック式、通過型 5インチ×7インチ 2対 (うち1対が高使用効率カソード) L350mm×H139mm ラック&ピニオン搬送 10トレイ収納 トレイ内 ±1.2% / トレイ間 ±1.5%※成膜有効範囲±50mm 40% 3min/トレイ ※Cr:8nm、Ag:45nm成膜時 1トレイ目除く 仕込/取出室 1.0×10-3Pa以下 SP室 1.0×10-3Pa以下 仕込/取出室 2.0×10-2Pa迄 3分以内 SP室 1.2×10-2Pa迄 10分以内 150℃以上を確認

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使用用途

#MEMS #ガラス基板 #研究開発 #光学 #絶縁膜 #電子顕微鏡 #電子部品 #導電膜 #半導体 #量産

スパッタ方式

DCスパッタ型 RFスパッタ型 マグネトロンスパッタ型 グロー放電スパッタ型

成膜環境

高真空型 中真空型

ターゲット構成

単一ターゲット型 多元ターゲット型 ロータリターゲット型

対象搬送方式

静止基板型 回転基板型 スルーフィード型

処理基板 mm

20 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 700

スパッタ方向

アップ ダウン

装置構成

エッチング室 カセット室 スパッタ室 搬送室 ロードロック室

基板加熱 ℃

100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 800

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

株式会社昭和真空は、1958年に設立された、真空関連装置メーカーです。 2000年にはJASDAQ上場(現在は東証スタンダード市場)を果たします。 真空技術を中心とした、装置製造を軸としており、全て受注生産であることが...

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  • 本社所在地: 神奈川県

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