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ゲートドライバのメーカー25社一覧や企業ランキングを掲載中!ゲートドライバ関連企業の2025年6月注目ランキングは1位:ローム株式会社、2位:イサハヤ電子株式会社、3位:インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社となっています。 ゲートドライバの概要、用途、原理もチェック!
ゲートドライバとは、電圧によって駆動するタイプのMOSFETやIGBTのゲート端子に電圧をかけて駆動制御するための回路です。
現在、最も汎用的なゲートドライバはMOSFETのゲートを駆動制御する回路ですが、抵抗やダイオード、バイポーラなどのトランジスタを使用したアナログ回路技術があります。最近ではゲートドライバ周辺回路部品自体も進化しています。
その種類や組み合わせは豊富にありますが、MOSFETを使ったゲート電圧駆動制御回路を習得することが最も実用的です。
2025年6月の注目ランキングベスト10
順位 | 会社名 | クリックシェア |
---|---|---|
1 | ローム株式会社 |
28.0%
|
2 | イサハヤ電子株式会社 |
16.0%
|
3 | インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社 |
12.0%
|
4 | 株式会社東芝 |
12.0%
|
5 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 |
8.0%
|
6 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 |
4.0%
|
7 | Melexis NV |
4.0%
|
8 | 長岡パワーエレクトロニクス株式会社 |
4.0%
|
9 | RECOM Power Japan K.K. |
4.0%
|
10 | アナログ・デバイセズ株式会社 |
4.0%
|
項目別
使用用途
#MOSFET駆動
#モータ駆動
#自動車アプリケーション
#IGBTモジュール駆動
#電力制御システム
#インバータ
#SiCMOSFET駆動
#パワーエレクトロニクス
ターゲットIGBTクラス V
600 - 1,000
1,000 - 1,500
1,500 - 2,000
2,000 - 3,300
出力ピーク電流 A
0 - 5
5 - 10
10 - 20
20 - 30
30 - 40
電源電圧 V
0 - 5
5 - 10
10 - 20
20 - 40
40 - 60
絶縁耐圧 Vrms
2,500 - 3,000
3,000 - 4,000
4,000 - 5,000
5,000 - 6,000
1回路あたりの出力電流 mA
80 - 100
100 - 200
200 - 300
300 - 400
内蔵駆動回路数
1 - 2
2 - 3
3 - 4
4 - 5
5 - 7
短絡保護機能
あり
なし
イサハヤ電子株式会社
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弊社標準ハイブリッドICの中核製品群となります。駆動回路のほか、短絡保護回路、ゲート電源まで内蔵したものもラインナップしています...
WIN SOURCE ELECTRONICS
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64.0時間 返答時間
■概要 ゲート ドライバ アイソレータは、MOSFETやIGBTなどのパワー トランジスタを効率的に制御できるように設計された特殊なアイソレー...
日清紡マイクロデバイス株式会社
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NJW4841は、出力ピーク電流2 A の電流を供給できるゲートドライバです。40V耐圧で幅広い動作電圧 (4Vから20V) や、高速スイッチングが可...
株式会社セイワ
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IGBTのゲートドライバ として使用可能なフォトカプラです。0.6A~4.0A出力が可能な製品がラインナップにあります。
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
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■概要 パワーエレクトロニクスにはスイッチテクノロジーが使用されています。また、すべてのパワーデバイスには、最適なゲートドライバ...
10種類の品番
イサハヤ電子株式会社
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インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
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アクティブミラークランプ、DESAT、短絡クランピングを備えた1,200VシングルハイサイドゲートドライバーIC。EiceDRIVER™1,200Vハイサイ...
MPSジャパン合同会社
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■概要 MP18021Aは、高周波で100Vのハーフブリッジ、NチャネルのパワーMOSFETドライバです。ローサイドとハイサイドのドライバチャネルは...
MPSジャパン合同会社
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■概要 MP18024は、高周波で100Vのハーフブリッジ、NチャネルのパワーMOSFETドライバです。そのローサイドとハイサイドのドライバチャネ...
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■概要 MP1906は、12Vのゲート電源をもつハーフブリッジ構成で2つの外付けN-MOSFETを駆動できる高性能な80Vゲートドライバです。独立した...
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■概要 MP1907は、高周波で100Vのハーフブリッジ、NチャネルのパワーMOSFETドライバです。そのローサイドとハイサイドのドライバチャネル...
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■概要 MP18021は、高周波で100Vのハーフブリッジ、NチャネルのパワーMOSFETドライバです。そのローサイドとハイサイドのドライバチャネ...
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■概要 MP1917Aは、高周波、ハーフブリッジ、NチャネルパワーMOSFETドライバです。そのローサイドとハイサイドのドライバチャネルは独立...
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■特長 ・SiCモジュール上に直接搭載可能 ・ゲート駆動回路を2系統内蔵 ・短絡検出回路内蔵 (モジュールのセンス端子電圧検出方式) ・短...
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■概要 MP1907Aは、高周波で100Vのハーフブリッジ、NチャネルのパワーMOSFETドライバです。ローサイドとハイサイドのドライバチャネルは...
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■概要 MP1909は、高周波で30Vのハーフブリッジ、NチャネルのパワーMOSFETドライバです。ローサイドとハイサイドのドライバチャネルは信...
イサハヤ電子株式会社
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■特徴 ・ゲート駆動回路を2系統内蔵 ・絶縁型ゲート電源内蔵 ・短絡保護回路内蔵 ・出カピーク電流最大5A ・入力一出力間絶緣耐圧:2,500...
MPSジャパン合同会社
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■概要 MP18831は、最大4Aのソースおよびシンクのピーク電流能力を備えた、絶縁型ハーフブリッジ・ゲートドライバソリューションです。ゲ...
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本製品はUVLO回路を内蔵しており、電源電圧が約14.2V以上になると動作を開始し、約12.4V以下になると動作を停止します。IGBTドライバと...
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■概要 MP18851は、最大4Aのソースおよびシンクのピーク電流能力を備えた、絶縁型デュアルチャネル・ゲートドライバソリューションです。...
イサハヤ電子株式会社
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パワーカット回路を内蔵したことでON/OFF端子印加電圧を変化させることにより外部での製品の動作の開始/停止の制御を可能とした製品です...
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■概要 MP18871は、最大4Aのソースおよびシンクのピーク電流能力を備えた、絶縁したハーフブリッジ・ゲートドライバソリューションです。...
イサハヤ電子株式会社
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■特徴 ・ゲート駆動回路を2系統内蔵 ・絶縁型ゲート電源内蔵 ・短絡保護回路內蔵 ・出カピーク電流最大5A ・入力一出力間絶緣耐圧:4,00...
イサハヤ電子株式会社
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■特徴 ・絶縁型のゲート駆動回路を2系統内蔵 (電源回路付) ・出力ピーク電流最大5A ・入力一出力間絶緣耐圧:2,500Vrms 1分間保証 ・電...
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■概要 MP1925は、高周波、ハーフブリッジの、NチャネルパワーMOSFETドライバです。ローサイドとハイサイドのドライバチャネルは独立して...
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■概要 MPQ1923は、高周波、NチャネルMOSFET、ハーフブリッジ・ゲートドライバです。デバイスのローサイドMOSFET (LS-FET) およびハイサ...
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■概要 MP1923は、高周波、NチャネルMOSFET、ハーフブリッジ・ゲートドライバです。デバイスのローサイドMOSFET (LS-FET) およびハイサイ...
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■特徴 ・ゲート駆動回路を2系統内蔵 ・絶縁型ゲート電源内蔵 ・短絡保護回路内蔵 ・ゲート出カピーク電流最大8A ・入力一出力間絶緣耐圧...
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■概要 MPQ1925は、高周波、NチャネルMOSFET、ハーフブリッジ・ゲートドライバです。デバイスのローサイドMOSFET (LS-FET) およびハイサ...
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