全てのカテゴリ
閲覧履歴
MOSFETについての概要、用途、原理などをご説明します。また、MOSFETのメーカー42社一覧や企業ランキングも掲載しておりますので是非ご覧ください。MOSFET関連企業の2024年12月注目ランキングは1位:株式会社タイワン・セミコンダクター、2位:新電元工業株式会社、3位:オン・セミコンダクター株式会社となっています。
MOSFETは電子機器に欠かせない半導体デバイスの一つでありトランジスタの一種です。
MOSとは、「Metal Oxide Semiconductor」の略で、日本語では金属酸化膜のことを指します。FETとは、「Field-Effect Transistor」の略で、日本語では電界効果トランジスタと呼ばれています。
MOSFETは、基本的にオンオフのスイッチングや信号の増幅の動作を行います。長所としては、動作速度が非常に速く、緻密な制御に向いていることです。
以前の半導体デバイスはハイポーラトランジスタが主流でした。しかし、機器の小型軽量化や効率化のニーズが高まり、近年の半導体デバイスの主流はMOSFETになりつつあります。
MOSFETは、各種ICやLSI向けの電子回路構成用のトランジスタとして使用されています。
使われる分野としては、単体 (ディスクリート) の用途にはパワーエレクトロニクス、センサなどの業界があり、他にも電源系やインバーターなどが相当します。各種LSIは、自動車や情報家電向けのマイコン、スマホやタブレットなどの携帯端末、PC用メモリや各種コンピュータ向けCPUなど、使用用途は幅広いです。
MOSFETは小型軽量化が可能で、集積化に対応できるため、近年の製品においては無くてはならない存在と言えます。
MOSFETは端子 (電極) を3本有しており、それぞれ「ドレイン」「ゲート」「ソース」と呼ばれます。電圧を印加することで電流が流れる性質を持っており、ゲート電極に電圧を印加することでスイッチのオンオフ動作やトランジスタとしての増幅動作を行います。
MOSFETにはNチャンネル (N-Ch) 型とPチャンネル (P-Ch) 型の2タイプがあります。
なお、デジタル回路やメモリIC、センサなどで広く汎用的に用いられているCMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) はp型MOSとn型MOSが一対となった構造のトランジスタです。MOSFETは、動作速度が速く、高速スイッチングが可能となります。
また、駆動電力が小さいため高周波動作にも適しています。大電流化に弱いという性質を持っているものの、その集積のしやすさと取り扱いのしやすさから、近年では主力デバイスです。
MOSFETにはp型とn型が存在しますが、動作特性の違いから、さらに「エンハンスメント型」と「デプレッション型」に分類されます。
ノーマリーオフ型、つまりゲートに電圧が印加されていない場合、ソース・ドレイン間には電流が流れないものです。
ノーマリーオン型、つまりゲートに電圧が印加されていない場合でも、ソース・ドレイン間に電流が流れているものです。
MOSFETには2種類ありますが、スイッチング用途として良く使われるのはエンハンスメント型です。最初に開発されたMOSFETはデプレッション型でしたが、現在では非常に限定的な用途で使われています。
例えば、負電源を回路に持たなければならない場合を想定します。-5Vを生成した際に、ここにデプレッション型のゲートを10kΩ程度の抵抗で接続をしておきます。
通常、負電圧-5Vが正しく出力されていれば、デプレッション型のソース・ドレイン間には電流が流れませんが、何らかの異常により負電源が正しく出力されていない場合はソース・ドレイン間に電流が流れるため、アラートを出力することが可能となります。
MOSFETの選定で最も重要なのは、ソース・ドレイン間耐圧VDSSの絶対最大定格です。これはMOSFETの耐圧を大きくすると、オン抵抗が高くなる傾向があるからです。システム用途を考慮して、マージン込で最適な耐圧を選定しないと、無駄にオン抵抗が高く、システムの消費電力増加につながってしまいます。
ソース・ドレイン間に加わる電圧がほぼ一定の場合は特に問題なく選定できますが、問題はサージが生じた場合をいかに考慮するかです。サージ込で考えると、どうしても定常定格の数倍のマージンを見込む必要があります。
同じ耐圧のMOSFETでも、アバランシェ電流やアバランシェエネルギーに対する耐量は異なります。サージ込で考える場合は、高アバランシェ耐量のものを選ぶことで、より低耐圧で低オン抵抗のMOSFETとなります。
Si-MOSFETは大電流化には適しておらず、2Vを超えた高いバイアス動作や大電流向けのインバーター回路などのパワーデバイス用途向けには、ゲートにMOSFETを、出力部にバイポーラトランジスタを集積した構造であるIGBTの方が適しています。
IGBTは複合デバイスであり、動作には一般にゲートドライバ回路が必要でSOA (Safety Operation Area) や絶対最大定格を超えると破壊しやすいトランジスタであるため、その保護回路が必要という点でMOSFETと比較して扱いが難しい面があります。
昨今は、MOSFETの基板をSiではなく化合物半導体であるSiCを用い、材料物性のバンドギャップを大きくすることで高い耐圧特性を可能にしたSiC-MOSFETも普及し始めています。これらのデバイスはコスト含め一長一短を有するため、当面は市場での用途に応じてのすみ分けがなされるでしょう。
MOSFETはそのプロセスの微細化により、オン抵抗低減などの特性改善とともに高周波数対応が図られてきました。従来はバルク基板と呼ばれるp型 (ないしはn型) のSi基板に構造をウェル層ともにCMOS構造を形成するのが一般的でした。
しかしながら、特にRFモバイル向けの高周波数対応デバイスの必要性から、Si基板をバルクではなく、SOI (Silicon On Insulator) と呼ばれる絶縁層のBOX層を導入し基板の絶縁性を高めることでMOSFETならではのリークパスを抑制し特に高周波数特性を改善したCMOSデバイスが登場しています。
これらはSOI-CMOSと呼ばれ、高速動作かつ低損失なデバイスの一つとして着目されています。
MOSFETの最大の特徴は、低消費電力かつ大規模集積化に適した半導体デバイスであることです。しかし、プロセス寸法を微細にすることで、トランジスタをより高速かつ低電圧動作させ、また回路の集積度も飛躍的に向上させることが可能です。
特に集積度が非常に重要な前述のCMOSを用いた大規模なデジタルプロセッサの場合、2000年代初頭に100nmだったプロセス加工寸法は2022年現在では3nmと言われ、その構造にはFinFETと呼ばれるトランジスタの断面構造に工夫を取り入れた最先端プロセスが採用されています。
今後のさらなる微細化の予測は難しい面が多いですが、一つの技術の流れとして、マルチチップ構造のチップレットと呼ばれる3次元のチップ実装技術の導入が世界の研究開発機関を中心に盛んに検討されている状況です。
*一部商社などの取扱い企業なども含みます。
2024年12月の注目ランキングベスト10
注目ランキング導出方法| 順位 | 会社名 | クリックシェア |
|---|---|---|
| 1 | 株式会社タイワン・セミコンダクター |
11.1%
|
| 2 | 新電元工業株式会社 |
7.4%
|
| 3 | オン・セミコンダクター株式会社 |
6.5%
|
| 4 | サンケン電気株式会社 |
5.6%
|
| 5 | Yageo Corporation |
5.6%
|
| 6 | 富士電機株式会社 |
5.6%
|
| 7 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 |
4.6%
|
| 8 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 |
4.6%
|
| 9 | Nuvoton Technology Corporation |
3.7%
|
| 10 | 株式会社三社電機製作所 |
3.7%
|
注目ランキング導出方法について
注目ランキングは、2024年12月のMOSFETページ内でのクリックシェアを基に算出しています。クリックシェアは、対象期間内の全企業の総クリック数を各企業のクリック数で割った値を指します。社員数の規模
設立年の新しい会社
歴史のある会社
業界別
🚗 自動車・輸送用機器64 点の製品中 1ページ目
64 点の製品中 1ページ目
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
330人以上が見ています
最新の閲覧: 6時間前
返信の比較的早い企業
100.0% 返答率
25.4時間 返答時間
■概要 エンジニアや自動車メーカーは、インフィニオンの車載用パワーMOSFETなどの高品質製品を使用することで、MOSFET関連の故障を最小限に抑えることができ...
6種類の品番
Bright Toward Industrial Co., Ltd
100人以上が見ています
最新の閲覧: 4時間前
■半導体ミニチュア固体状リレー 当社のOpto-MOSFETリレーは、リレーの入力と出力が光学的に絶縁されており、高負荷電圧能力に焦点を当てた固体リレーです。DC...
Bright Toward Industrial Co., Ltd
100人以上が見ています
最新の閲覧: 4時間前
■半導体ミニチュア固体状リレー 当社のOpto-MOSFETリレーは、リレーの入力と出力が光学的に絶縁されており、高負荷電圧能力に焦点を当てた固体リレーです。DC...
Bright Toward Industrial Co., Ltd
80人以上が見ています
最新の閲覧: 1時間前
■半導体ミニチュア固体状リレー 当社のOpto-MOSFETリレーは、リレーの入力と出力が光学的に絶縁されており、高負荷電圧能力に焦点を当てた固体リレーです。DC...
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
310人以上が見ています
最新の閲覧: 3時間前
2011年よりリリースされた高いアバランシェ耐量をもつGEN1シリーズ。汎用品、工業、医療用などの電源に最適です。 1960年代からシリコンは半導体デバイスの...
10種類の品番
二松電気株式会社
110人以上が見ています
最新の閲覧: 6時間前
返信のとても早い企業
100.0% 返答率
0.4時間 返答時間
Cystech (システック) は2002年に設立された、台湾のMOSFETを始めとするパワーデバイスのメーカーです。Cystechの製品は、通信、DCファン、パワー、カーエレ...
二松電気株式会社
120人以上が見ています
最新の閲覧: 32分前
返信のとても早い企業
100.0% 返答率
0.4時間 返答時間
Letex Technology は、2001年に台湾で設立された、Photo DMOS-FETリレー、フォトカプラー、およびその他のPhotoの関連製品のメーカーです。2018年8月にISO900...
二松電気株式会社
110人以上が見ています
最新の閲覧: 9時間前
返信のとても早い企業
100.0% 返答率
0.4時間 返答時間
ユニソニック テクノロジー (UTC) は1990年に設立された、台湾のアナログ IC およびディスクリート デバイスのメーカーです。ISO9001、ISO14001、IATF16949シ...
二松電気株式会社
110人以上が見ています
最新の閲覧: 6時間前
返信のとても早い企業
100.0% 返答率
0.4時間 返答時間
Willas Electronic Corp. (威倫電子) は、1982年に設立された台湾のトランジスタ、ダイオードのメーカーです。整流ダイオード、ブリッジ、ショットキーダイオ...
二松電気株式会社
120人以上が見ています
最新の閲覧: 1時間前
返信のとても早い企業
100.0% 返答率
0.4時間 返答時間
Comchip Technology (コムチップ テクノロジー) は、2000年に設立された台湾のダイオード、トランジスタのメーカーです。革新的な研究と特許取得済みの製造能...
二松電気株式会社
100人以上が見ています
最新の閲覧: 6時間前
返信のとても早い企業
100.0% 返答率
0.4時間 返答時間
Formosa Microsemiは、1996年に設立された台湾のダイオード、トランジスタ、MOS-FETのメーカーです。主に、スイッチングダイオード、高速ダイオード、ツェナ...
株式会社三社電機製作所
270人以上が見ています
最新の閲覧: 20時間前
返信の比較的早い企業
100.0% 返答率
22.9時間 返答時間
■特徴 IGBTの弱点である高速スイッチングを克服したデバイスです。SiC (シリコンカーバイト) は絶縁破壊強度がSiの10倍であるために同じ耐圧でもN-ドリフト層...
2種類の品番
株式会社三社電機製作所
210人以上が見ています
最新の閲覧: 6時間前
返信の比較的早い企業
100.0% 返答率
22.9時間 返答時間
■パワー半導体とは 三社電機グループが開発・製造している半導体は、よく知られているメモリーやマイコンなどの集積回路半導体ではなく、大きな電流や電圧の...
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
220人以上が見ています
最新の閲覧: 6時間前
2023年より順次展開されておりますGEN2シリーズ。GEN1と比較し、よりQgやRdsonが低くなるように工夫されており、小型化されたパッケージへの応用に向いていま...
10種類の品番
トレックス・セミコンダクター株式会社
50人以上が見ています
最新の閲覧: 17時間前
■20V 1A N-ch パワーMOSFET XP151A11B0MRは、低オン抵抗、超高速スイッチング特性を実現したNチャネルパワーMOS FET です。スイッチング速度の高速化ができ、...
株式会社タイワン・セミコンダクター
60人以上が見ています
最新の閲覧: 19時間前
主な特徴 AEC-Q101 認定 IATF 16949 認定 高度なトレンチ セル設計 ESD 保護 (HBM >2kV) 湿度感度レベル: レベル 1、J-STD-020 準拠 RoHS 準拠 ハロゲンフリー
イサハヤ電子株式会社
70人以上が見ています
最新の閲覧: 3時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
INJ0001AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形ランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等の低...
イサハヤ電子株式会社
50人以上が見ています
最新の閲覧: 3時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
INJ0002AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等の...
イサハヤ電子株式会社
60人以上が見ています
最新の閲覧: 3時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
INJ0003AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。 低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
イサハヤ電子株式会社
50人以上が見ています
最新の閲覧: 3時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
INJ0011AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。 低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
イサハヤ電子株式会社
70人以上が見ています
最新の閲覧: 3時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
INJ0011AC1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
イサハヤ電子株式会社
70人以上が見ています
最新の閲覧: 3時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
INJ0011AM1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
イサハヤ電子株式会社
60人以上が見ています
最新の閲覧: 3時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
INJ0043AM1は、超小形外形樹脂封止形シリコン P チャンネルMOS形トランジスタです。駆動電圧が低く設計されておりますので、ポータブル機器や携帯機器等の低...
イサハヤ電子株式会社
60人以上が見ています
最新の閲覧: 3時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
INJ0103AC1は、超小型樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等の低...
イサハヤ電子株式会社
60人以上が見ています
最新の閲覧: 3時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
INJ0103AM1は、超小型樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等の低...
イサハヤ電子株式会社
70人以上が見ています
最新の閲覧: 3時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
INJ0203AC1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
