薄膜形成装置マルチチャンバスパッタリング装置
神港精機株式会社

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この製品について

Siウェハ・ガラス・セラミックス等基板・用途を問わず柔軟に対応可能な最新型スパッタリング装置です。

1991年に発表されたR&D用マルチチャンバスパッタリング装置は積み重ねられたソフトと柔軟なハード対応により、先端デバイスの開発・試作から生産まえをカバーする本格型クラスターツールに進化しました。

神港精機の薄膜技術の結晶『STMシリーズ』は半導体・FPD・MEMS・先端表面実装などの各分野で活躍しています。

製品の特徴
・ウェハ基板 (Φ76.2～Φ203.2mm) はもとより最大203mm対角のガラスあるいはセラミック板の処理も可能です。
・未来プロセスへの基礎研究あるいは多彩な試作生産に対応できるよう充実の各種選択機能を備えています。
・信頼性を重視し構成部品をユニット化しています。
・各室独立メンテナンスが可能でメンテナンスの簡易性と合わせ、メンテナンス時間と立上時間の短縮を実現しました。
・省スペース化とスルーウォールタイプにより、ハイレベルでのクリーンルーム使用に対応しております。

※エッチング室を設置した場合はスパッタ室が1室となります。

型番
この商品には3種類の型番があります

シリーズ
薄膜形成装置マルチチャンバスパッタリング装置

取扱企業
神港精機株式会社

カテゴリ

加工・工作機器

スパッタリング装置

半導体製造

ALD装置

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薄膜形成装置マルチチャンバスパッタリング装置品番3件

フィルター

品番	価格 (税抜)	処理基板 ¢125mm基板 ¢200mm基板	装置構成 / カセット室	装置構成 / 搬送室	装置構成 / エッチング室 ※オプション 1室	装置構成 / スパッタ室 2室 4室	カソード仕様 / 第1スパッタ室 ¢200mm x 1ヶ ¢350mm x 1ヶ ¢300mm x 1ヶ	カソード仕様 / 第2スパッタ室 ¢100mm x 3ヶ ¢350mm x 1ヶ ¢300mm x 1ヶ	スパッタ方向	プロセス性能 / 膜厚分布 ±10%以内 (¢100) ±3%以内 (¢180) ±5%以内 (¢180)	プロセス性能 / エッチング分布 ±10%以内 (¢100)※2 ±10%以内 (¢180)	プロセス性能 / 基板加熱	各室到達压力 / カセット室 7.0 x 10-⁵Pa以下 9.9 x 10-⁶Pa以下	各室到達压力 / 搬送室 7.0 x 10-⁵Pa以下 7.0 × 10-⁵Pa以下 5.0 x 10-⁵Pa以下	各室到達压力 / エッチング室 7.0 x 10-⁵Pa以下※2 7.0 x 10-⁵Pa以下 9.9 x 10-⁶Pa以下	各室到達压力 / スパッタ室 5.0 x 10-⁵Pa以下 2.0 x 10-⁵Pa以下	操作方法	カソード仕様 / 第3スパッタ室 ¢300mm x 1ヶ	カソード仕様 / 第4スパッタ室 ¢300mm x 1ヶ
STM5412	要見積もり	¢125mm基板	1室	1室	※オプション	2室	¢200mm x 1ヶ	¢100mm x 3ヶ	アップ	±10%以内 (¢100)	±10%以内 (¢100)※2	300℃	7.0 x 10-⁵Pa以下	7.0 x 10-⁵Pa以下	7.0 x 10-⁵Pa以下※2	5.0 x 10-⁵Pa以下	全自動CtoC方式	-	-
STM5213	要見積もり	¢200mm基板	1室	1室	1室	4室	¢350mm x 1ヶ	¢350mm x 1ヶ	アップ	±3%以内 (¢180)	±10%以内 (¢180)	300℃	7.0 x 10-⁵Pa以下	7.0 × 10-⁵Pa以下	7.0 x 10-⁵Pa以下	5.0 x 10-⁵Pa以下	全自動CtoC方式	-	-
STM4415	要見積もり	¢200mm基板	1室	1室	1室	4室	¢300mm x 1ヶ	¢300mm x 1ヶ	アップ	±5%以内 (¢180)	±10%以内 (¢180)	300℃	9.9 x 10-⁶Pa以下	5.0 x 10-⁵Pa以下	9.9 x 10-⁶Pa以下	2.0 x 10-⁵Pa以下	全自動CtoC方式	¢300mm x 1ヶ	¢300mm x 1ヶ