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トランジスタアレイ メーカー14社

トランジスタアレイのメーカー14社一覧や企業ランキングを掲載中！トランジスタアレイ関連企業の2025年4月注目ランキングは1位:ローム株式会社、2位:三菱電機株式会社、3位:ルネサスエンジニアリングサービス株式会社となっています。 トランジスタアレイの概要、用途、原理もチェック！

トランジスタアレイとは

トランジスタアレイとは、1つのパッケージにトランジスタを複数個並べた部品です。トランジスタはスイッチングに使われる半導体素子で、アレイ(array)は配列と言う意味を持つ英語です。

この部品のメリットは、複数個の出力リレーなどを省面積で制御できる点です。個別に実装すると基板面積を大きく設計しなければならず、基板のパターンが長くなってしまいます。これは、ノイズなどによる誤動作を引き起こす原因となります。トランジスタアレイを用いると、小型軽量かつノイズに強くなるため、経済的で機能性も向上します。

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14社トランジスタアレイメーカー

トランジスタアレイ 2025年4月のメーカーランキング


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38 点の製品

トランジスタアレイ MOS型電界効果トランジスタ (MOS-FET) INJ0002AC1-イサハヤ電子株式会社

イサハヤ電子株式会社

トランジスタアレイ MOS型電界効果トランジスタ (MOS-FET) INJ0002AC1

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Power MOSFET (Si/SiC) -インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

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60V～600V NチャネルディプリーションモードMOSFET-Power MOSFET (Si/SiC)
デュアルMOSFET-Power MOSFET (Si/SiC)
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個別半導体製品 FET - アレイ-WIN SOURCE ELECTRONICS

WIN SOURCE ELECTRONICS

個別半導体製品 FET - アレイ

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18mΩ オン抵抗 3A ロードスイッチIC R5543シリーズ-日清紡マイクロデバイス株式会社

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18mΩ オン抵抗 3A ロードスイッチIC R5543シリーズ

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R5543シリーズは、2電源タイプのCMOSのロードスイッチICです。降圧DC/DCコンバータの出力などの二次電源ラインの分配に最適な製品です。...


バイポーラートランジスター 異品種混載複合デバイス-東和電子株式会社

東和電子株式会社

バイポーラートランジスター 異品種混載複合デバイス

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ダイオード、トランジスタ、MOSFET-二松電気株式会社

二松電気株式会社

ダイオード、トランジスタ、MOSFET

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Comchip Technology (コムチップ テクノロジー) は、2000年に設立された台湾のダイオード、トランジスタのメーカーです。革新的な研究と...


IGBTゲートプリドライバ 高機能複合トランジスタ RT8H255C-イサハヤ電子株式会社

イサハヤ電子株式会社

IGBTゲートプリドライバ 高機能複合トランジスタ RT8H255C

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RT8H255Cは、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、抵抗により構成された複合トランジスタです。このトランジスタのご使用により、セット...


省電力 Xコンデンサ ブリーダ HF81-MPSジャパン合同会社

MPSジャパン合同会社

省電力 Xコンデンサ ブリーダ HF81

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複合バイポーラトランジスタ-敬誠株式会社

敬誠株式会社

複合バイポーラトランジスタ

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パワー 窒化ガリウム (GaN) -インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

パワー 窒化ガリウム (GaN)

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■CoolGaN™：民生用、産業用、車載用アプリケーションにおいて、最高の効率と電力密度を実現するディスクリートおよび統合ソリューション...

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IGO60R070D1-パワー 窒化ガリウム (GaN)
IGOT60R070D1-パワー 窒化ガリウム (GaN)
IGLD60R190D1-パワー 窒化ガリウム (GaN)

個別半導体製品 IGBT - アレイ-WIN SOURCE ELECTRONICS

WIN SOURCE ELECTRONICS

個別半導体製品 IGBT - アレイ

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複合PNPトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2A00AM1-イサハヤ電子株式会社

イサハヤ電子株式会社

複合PNPトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2A00AM1

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パワー インフィニオンスマートパワースイッチ-インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

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パワー インフィニオンスマートパワースイッチ

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2種類の品番

ハイサイドスイッチ-パワー インフィニオンスマートパワースイッチ
Multichannel SPI Switches & Controller-パワー インフィニオンスマートパワースイッチ

アナログIC MOSFET トランジスタ ダイオード-二松電気株式会社

二松電気株式会社

アナログIC MOSFET トランジスタ ダイオード

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ユニソニック テクノロジー (UTC) は1990年に設立された、台湾のアナログ IC およびディスクリート デバイスのメーカーです。ISO9001、I...


複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M-イサハヤ電子株式会社

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複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M

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複合デジタルトランジスタ-敬誠株式会社

敬誠株式会社

複合デジタルトランジスタ

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■特徴 ・超小型複合デジタルトランジスタ ・分圧型 ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠


複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M-T150-イサハヤ電子株式会社

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複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M-T150

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RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及...


GaNトランジスター-株式会社タイワン・セミコンダクター

株式会社タイワン・セミコンダクター

GaNトランジスター

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GaNパワー台湾セミコンダクターは、5×6 および 8×8 mm の小型フットプリントで熱効率の高い PDFN パッケージにパッケージされた 650V エ...


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トランジスタ、ダイオード

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Willas Electronic Corp. (威倫電子) は、1982年に設立された台湾のトランジスタ、ダイオードのメーカーです。整流ダイオード、ブリッジ...


シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M-イサハヤ電子株式会社

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シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M

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シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M-T150-イサハヤ電子株式会社

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シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M-T150

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RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...


複合PNPトランジスタ 独立2素子内蔵 RT3AMMAM1-イサハヤ電子株式会社

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複合PNPトランジスタ 独立2素子内蔵 RT3AMMAM1

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複合PNPトランジスタ 独立2素子内蔵 RT3AMMAM1-T150-イサハヤ電子株式会社

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シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 差動増幅用 RT3C66M-イサハヤ電子株式会社

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シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 差動増幅用 RT3C66M

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シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 差動増幅用 RT3C66M-T150-イサハヤ電子株式会社

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シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 差動増幅用 RT3C66M-T150

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RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...


シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 高電圧スイッチ用 RT3C88M-イサハヤ電子株式会社

イサハヤ電子株式会社

シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 高電圧スイッチ用 RT3C88M

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RT3C88Mは、NPNトランジスタを2素子内蔵した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、製品及び工数の大幅...


マリックス株式会社

ルネサスエレクトロニクス製品 パワーMOSFET

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電源･モータ駆動･高周波増幅･ロードスイッチなど各用途に適した製品を展開しています。民生機器･自動車機器の各信頼性レベルに合わせて...


トレックス・セミコンダクター株式会社

負荷スイッチ XC8112 シリーズ

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■理想ダイオード機能搭載 2ch ロードスイッチ IC XC8112シリーズは理想ダイオード機能搭載 2chのロードスイッチICです。本ICはVOUT端子...


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📔 トランジスタアレイの基礎知識

トランジスタアレイとは

トランジスタアレイとは、1つのパッケージにトランジスタを複数個並べた部品です。トランジスタはスイッチングに使われる半導体素子で、アレイ(array)は配列と言う意味を持つ英語です。

この部品のメリットは、複数個の出力リレーなどを省面積で制御できる点です。個別に実装すると基板面積を大きく設計しなければならず、基板のパターンが長くなってしまいます。これは、ノイズなどによる誤動作を引き起こす原因となります。トランジスタアレイを用いると、小型軽量かつノイズに強くなるため、経済的で機能性も向上します。

トランジスタアレイの使用用途

トランジスタアレイはマイコンなどに広く用いられます。マイコンは洗濯機などの家電にも頻繁に使用される制御基板のことであり、我々の生活になくてはならない存在です。

トランジスタアレイが登場するまでは、複数個のトランジスタを単品で実装していました。これで問題はなかったのですが、トランジスタアレイが登場した後は省スペースとコストダウンが実現しました。また、パターンの引き回しも悩まずに済むようになり、設計の手間も減り、ノイズに対する耐性も向上しました。現在、トランジスタアレイは制御基板上では必須電子部品です。

トランジスタアレイの原理

トランジスタアレイは、先述の通りトランジスタを複数個並べて、1個のパッケージに格納した電子部品です。トランジスタは、半導体素子です。P型半導体とN型半導体を3層重ねた製品であり、PNP型トランジスタとNPN型トランジスタがあります。

どちらも普段は回路上で絶縁体としてふるまいますが、真ん中の層に電圧を掛けると両端の層が導電体となります。これがトランジスタの仕組みです。

トランジスタは主にマイコンの出力先として使用されます。マイコンの出力容量が小さく、モーターなどの強電装置を直接制御できないためです。2000年代以前は、トランジスタアレイにはバイポーラトランジスタが広く使用されました。バイポーラトランジスタは大電流を導通可能で、ノイズに強い特徴があるためです。これらを複数個並べたトランジスタアレイが主流でした。

現在では、高速低損失なMOSFETが主流となっています。ほとんどのトランジスタアレイがMOSFETアレイに切り替わっています。

トランジスタアレイのその他情報

1. トランジスタアレイの内部回路

トランジスタアレイには内部で構成されているトランジスタ違いにより種類があります。

  • DMOS FET
    大きな電流を制御でき、低電流で使用しても損失が少ない。
  • シングルバイポーラトランジスタ
    低電流で使用しても損失が少ないが、大きな電流を制御できない。
  • ダーリントンバイポーラトランジスタ
    大きな電流を制御できるが、低電流で使用すると損失が発生する。

また、入力ロジックがハイアクティブ(入力端子にHighレベルを入力すると電流を流す)か、ローアクティブ(入力端子にLowレベルを入力すると電流を流す)かの違いもあります。リレーなどを駆動する際に、必要なクランプダイオードの内蔵の有無などによっても種類が分かれています。

2. ソース型とシンク型のトランジスタアレイ

トランジスタアレイには出力電流の形式の違いにより、ソース型とシンク型の2種類があります。ソース型は負荷に対してプラス極側で接点のON/OFFを行います。トランジスタアレイから「負荷に向かって電流を吐き出す」動作モードになります。

対してシンク型は負荷に対してグランド側で接点のON/OFFを行います。トランジスタアレイが「負荷から電流を吸い込む」動作モードとなります。

3. トランジスタアレイの未使用端子の結線

1つのトランジスタアレイの中に使用しないチャンネルがある場合の処理は、使用するトランジスタアレイのデータシートなどに記載されています。製品により、特に入力ピンについて「どこにもつながずに放置で構わない」としているものや、「入力ピンを接地せよ」となっているものなど違いがみられます。

参考文献
https://tomoc.hatenadiary.jp/entry/2018/03/02/232509
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/product/linear-ics/transistor-arrays.html
https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=30611

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