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装置構成
成膜室 予備室 基板自動搬送
基板台
2インチ (最大4インチ) 、20rpm、上下20mm
カソード
2インチ (最大4カソード)
ガス導入
スパッタガス (Ar) 反応ガス (O2、N2)
基板加熱
カーボンヒーター (最高 600℃)
所用電力
1f 100V±10％ 4Kw (最大)
据付⾯積
W1,500 mm × D900 mm × H1,400 mm
総重量
450Kg
型番
P-RAS取扱企業
株式会社シンクロンカテゴリ
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スパッタリング装置の製品124点中、注目ランキング上位6点
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 装置構成 | 基板台 | カソード | ガス導入 | 基板加熱 | 所用電力 | 据付⾯積 | 総重量 |
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要見積もり | 成膜室 予備室 基板自動搬送 | 2インチ (最大4インチ) 、20rpm、上下20mm | 2インチ (最大4カソード) | スパッタガス (Ar) 反応ガス (O2、N2) | カーボンヒーター (最高 600℃) | 1f 100V±10％ 4Kw (最大) | W1,500 mm × D900 mm × H1,400 mm | 450Kg |
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ターゲット構成が単一ターゲット型の製品
スパッタリング装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#MEMS #ガラス基板 #研究開発 #光学 #絶縁膜 #電子顕微鏡 #電子部品 #導電膜 #半導体 #量産スパッタ方式
DCスパッタ型 RFスパッタ型 マグネトロンスパッタ型 グロー放電スパッタ型成膜環境
高真空型 中真空型ターゲット構成
単一ターゲット型 多元ターゲット型 ロータリターゲット型対象搬送方式
静止基板型 回転基板型 スルーフィード型処理基板 mm
20 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 700スパッタ方向
アップ ダウン装置構成
エッチング室 カセット室 スパッタ室 搬送室 ロードロック室基板加熱 ℃
100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 800
