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返答率
100.0%
返答時間
18.7時間
到達圧力
6.5×10^-6Pa
基板サイズ
Φ3インチ×1枚
加熱方式
基板加熱方式
加熱温度
MAX.700℃
基板回転機構
Max.20rpm
Z軸移動機構
±20mm
低圧RFスパッタガン ターゲットサイズ
2インチ 回転シャッター機構
RF制御電源
300W、13.56MHz、オートチューニング式
投入室 到達圧力
6.5×10^-5Pa
投入室 基板搬送
手動トランスファーロッド方式
型番
HVS-03シリーズ
低圧RFスパッタ装置 HVS-03取扱企業
株式会社エピクエストカテゴリ
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スパッタリング装置の製品120点中、注目ランキング上位6点
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 到達圧力 | 基板サイズ | 加熱方式 | 加熱温度 | 基板回転機構 | Z軸移動機構 | 低圧RFスパッタガン ターゲットサイズ | RF制御電源 | 投入室 到達圧力 | 投入室 基板搬送 |
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要見積もり | 6.5×10^-6Pa | Φ3インチ×1枚 | 基板加熱方式 | MAX.700℃ | Max.20rpm | ±20mm | 2インチ 回転シャッター機構 | 300W、13.56MHz、オートチューニング式 | 6.5×10^-5Pa | 手動トランスファーロッド方式 |
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スパッタ方式がRFスパッタ型の製品
スパッタリング装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#MEMS #ガラス基板 #研究開発 #光学 #絶縁膜 #電子顕微鏡 #電子部品 #導電膜 #半導体 #量産スパッタ方式
DCスパッタ型 RFスパッタ型 マグネトロンスパッタ型 グロー放電スパッタ型成膜環境
高真空型 中真空型ターゲット構成
単一ターゲット型 多元ターゲット型 ロータリターゲット型対象搬送方式
静止基板型 回転基板型 スルーフィード型処理基板 mm
20 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 700スパッタ方向
アップ ダウン装置構成
エッチング室 カセット室 スパッタ室 搬送室 ロードロック室基板加熱 ℃
100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 800
