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低圧RFスパッタ装置 HVS-02-株式会社エピクエスト

全型番で同じ値の指標

到達圧力

6.5×10^-6Pa

基板サイズ

Φ2インチ×1枚

加熱方式

基板加熱方式

加熱温度

MAX.700℃

基板回転機構

Max.20rpm

Z軸移動機構

±20mm

低圧RFスパッタガン ターゲットサイズ

2インチ 回転シャッター機構

RF制御電源

300W、13.56MHz、オートチューニング式

投入室 到達圧力

6.5×10^-5Pa

投入室 基板搬送

手動トランスファーロッド方式

この製品について

高真空対応のスパッタガンを用いることにより、10-2Pa台においても薄膜形成が可能です。最高5元までのスパッタガンの設置が可能です。

  • 型番

    HVS-02

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低圧RFスパッタ装置 HVS-02 HVS-02の性能表

商品画像 価格 (税抜) 到達圧力 基板サイズ 加熱方式 加熱温度 基板回転機構 Z軸移動機構 低圧RFスパッタガン ターゲットサイズ RF制御電源 投入室 到達圧力 投入室 基板搬送
低圧RFスパッタ装置 HVS-02-品番-HVS-02 要見積もり 6.5×10^-6Pa Φ2インチ×1枚 基板加熱方式 MAX.700℃ Max.20rpm ±20mm 2インチ 回転シャッター機構 300W、13.56MHz、オートチューニング式 6.5×10^-5Pa 手動トランスファーロッド方式

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処理基板 mm

20 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 700

スパッタ方向

アップ ダウン

装置構成

エッチング室 カセット室 スパッタ室 搬送室 ロードロック室 クラスター式 インライン式 ロードロック式 トレイ搬送方式

基板加熱 ℃

100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 800

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

株式会社エピクエストは2000年に設立し、主にMBE装置、MOCVD装置の開発、製造を行っている会社です。 MBEやMOCVD装置は、天然にない人工結晶を作製する技術であるエピキタシー技術を基盤としており、結晶を成...

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  • 本社所在地: 京都府

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