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フォトダイオードのメーカー38社一覧や企業ランキングを掲載中！フォトダイオード関連企業の2025年8月注目ランキングは1位:新光電子株式会社、2位:コヒレント・ジャパン株式会社、3位:アルワン電子株式会社となっています。 フォトダイオードの概要、用途、原理もチェック！
フォトダイオードとは、光を照射すると微小な電流が一定方向に流れる受光素子のことです。
半導体の接合箇所に光を照射すると内部光電効果が起こり、電子が励起されて電流が流れる性質を利用して、照射された光のレベルを検出します。受光を検出する精度が高いため、特に光通信装置に必要な部品です。
その他、ガス濃度測定などの医療用の装置にも組み込まれています。ダイオード構造には、主にPN接合型とPIN接合型、アバランシェ型があり、それぞれ受光感度や応答速度が異なります。
2025年8月の注目ランキングベスト10
| 順位 | 会社名 | クリックシェア |
|---|---|---|
| 1 | 新光電子株式会社 |
9.3%
|
| 2 | コヒレント・ジャパン株式会社 |
7.0%
|
| 3 | アルワン電子株式会社 |
7.0%
|
| 4 | エイブリック株式会社 |
7.0%
|
| 5 | オスラム株式会社 |
7.0%
|
| 6 | YITOAマイクロテクノロジー株式会社 |
4.7%
|
| 7 | レイトロン株式会社 |
4.7%
|
| 8 | 松定プレシジョン株式会社 |
4.7%
|
| 9 | エルスター電機株式会社 |
4.7%
|
| 10 | オン・セミコンダクター株式会社 |
4.7%
|
23 点の製品がみつかりました
23 点の製品
株式会社オプトテクノ
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■光通信用フォトダイオード ・遮断周波数は100MHz。 ・分光特性の最大感度波長は880nm。 ・有効受光面積は0.5ミリ平方。 ・レンズ、及び...
株式会社オプトテクノ
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■高度な拡散技術により、高性能を誇ります。 ・暗電流が小さい。 ・高感度・高品位な素子。 ■主な用途 ・近紫外線 公害分析機器、分光...
株式会社オプトサイエンス
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■概要 GPD社のGe (ゲルマニウム) フォトダイオードは、赤外線検出において卓越した性能を提供します。このフォトダイオードは、1.1 µmか...
株式会社オプトサイエンス
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■概要 GPD社の高速 InGaAsフォトダイオードは、最新の赤外線検出技術を提供します。 このフォトダイオードは、800 nmから1700 nmの波長...
株式会社オプトサイエンス
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■概要 GPD社のInGaAsアバランシェフォトダイオード (APD) は、赤外線検出において高い性能を提供する製品です。このAPDは、950nmから1,7...
株式会社オプトサイエンス
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■概要 GPD社の熱電冷却付き InGaAs フォトダイオードは、高精度の赤外線検出を可能にする革新的な製品です。 このフォトダイオードは、9...
株式会社オプトサイエンス
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■概要 GPD社の4分割 InGaAs フォトダイオードは、精密な位置検出とトラッキングを可能にする高性能な赤外線検出器です。このフォトダイ...
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■概要 GPD社のマルチエレメント リニアアレイ フォトダイオードは、同時に複数の赤外線源を高精度に検出するための革新的なソリューショ...
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■概要 GPD社の低PDL (低偏光依存損失) InGaAsフォトダイオードは、高精度の赤外線検出を実現するための高性能な製品です。 この低PDL In...
Luckylight Electronics Co., Ltd
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■概要 フォトダイオードは、光を電流に変換する半導体デバイスです。フォトダイオードで光子が吸収されると電流が生成されます。 フォ...
Luckylight Electronics Co., Ltd
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■概要 フォトダイオードは、光を電流に変換する半導体デバイスです。フォトダイオードで光子が吸収されると電流が生成されます。 フォ...
Luckylight Electronics Co., Ltd
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■概要 フォトダイオードは、光を電流に変換する半導体デバイスです。フォトダイオードで光子が吸収されると電流が生成されます。 フォ...
ウルトエレクトロニクスジャパン株式会社
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■特徴 ・標準パッケージサイズ ・広い視野角 ・応答時間が速い ・高い光感度 ■アプリケーション ・IRデータ伝送 ・タッチスクリーン ・...
株式会社ゴーフォトン
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■アバランシェ・フォトダイオード 株式会社ゴーフォトンで設計・製造したアバランシェフォトダイオードを提供しています。 これはアバラ...
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■アバランシェ・フォトダイオード 株式会社ゴーフォトンで設計・製造したアバランシェフォトダイオードを提供しています。 これはアバラ...
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■ピグテイル型フォトダイオードモジュール ファイバとカップリングさせたフォトダイオードモジュールです。株式会社ゴーフォトンは、自...
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■ピグテイル型フォトダイオードモジュール ファイバとカップリングさせたフォトダイオードモジュールです。株式会社ゴーフォトンは、自...
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■TAP機能付きモニタ用フォトダイオードモジュール ファイバとカップリングさせたフォトダイオードモジュールです。入力ファイバからの入...
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フォトダイオードとは、光を照射すると微小な電流が一定方向に流れる受光素子のことです。
半導体の接合箇所に光を照射すると内部光電効果が起こり、電子が励起されて電流が流れる性質を利用して、照射された光のレベルを検出します。受光を検出する精度が高いため、特に光通信装置に必要な部品です。
その他、ガス濃度測定などの医療用の装置にも組み込まれています。ダイオード構造には、主にPN接合型とPIN接合型、アバランシェ型があり、それぞれ受光感度や応答速度が異なります。
フォトダイオードの代表的な使用用途は、CD/DVDプレーヤーのピックアップ箇所やテレビのリモコン、光通信などです。特に、高感度な受光感度を有するPIN接合型は、通信光通信システムに用いられていますが、アプリケーションにも広く用いられています。
フォトダイオードの3つの構造の中で、一番多く使用されている型です。その他、医療用器具の断層X線写真機等にも使用されています。
フォトダイオードは、素子に光が照射されると半導体の接合部分の電子が励起され、電流を測定することにより光量を検出できるという物理現象を用いています。
ダイオードの材質に応じて検出できる光の波長が異なるため、波長の用途に応じて選択する必要があります。使用される主な素材は、シリコンやゲルマニウム、硫化鉛等です。
P型半導体とN型半導体の境界にあたる空乏層に光を照射すると、N型半導体の方に電子が流れていき、P型半導体では電子が移動したことによってホールが生成されます。光が照射されている間は、このような電子とホールの流れが生じるので、電子の流れを電流として検出していますが、やや応答速度は遅いのが特徴です。
暗電流とも称されるバックグランドのノイズが小さいため、フォトダイオードとして最も利用されている構造です。P型半導体、I型半導体、N型半導体の並びで接合されています。
I型半導体部分に逆バイアスの電圧をかけることで、励起された電子がスムーズにN型半導体へと流れ、応答速度が速くなる点も特徴の一つです。
P型半導体層の電極箇所から順にp+層、p-層、p層に分かれているのが特徴です。アバランシェ (電子雪崩) 増幅機能により、非常に微弱な光を超高速応答で検出できる特性を有しています。電圧は高い電圧をかけて用いるのが一般的であり、頭文字をとってAPDと呼ばれています。
フォトダイオードは、両電極を開放状態の場合は温度依存性が大きく、ショートの場合は光量と電流の関係がリニアではないために、そのままアプリケーションへ適用することは困難です。そこで、照度計や露出計など明るさを計測する用途には、フォトダイオードのカソードをオペアンプの反転入力端子に、アノードを非反転端子に接続し、オペアンプの出力端子と反転入力端子間に帰還抵抗Rfを挿入する回路構成が用いられます。
この回路では、光の強さに応じた短絡電流Is×帰還抵抗Rfがオペアンプの出力電圧 (反転入力端子を基準電圧) となり、フォトダイオードの両端 (アノード-カソード間) 電圧は0V、即ち両端をショートしている状態と等価 (イマジナリー・ショート) になります。
従って、短絡電流Isは光の強さに比例するので、オペアンプの出力電圧は光の強さとして表現することが可能です。実際の回路では、フォトダイオードの容量による応答遅れを保証するコンデンサCfを接続して、応答速度を速めます。
シリコン・フォト・ダイオードは、320nm〜1100nmの波長の光に対して電流を出力しますが、特に800nmから1000nmの近赤外線領域で高い感度を示します。人間の可視領域は380nm～720nmの範囲であり、550nm付近に感度のピークがあるため、シリコン・フォト・ダイオードの分光感度特性とは異なります。
従って、シリコン・フォト・ダイオードの出力をそのまま明るさとして扱うことはできません。例えば、近赤外線が多い環境ではシリコン・フォト・ダイオードの出力が大きくなりますが、人間の目には見えない領域であるため明るく感じないわけです。
このような理由から、照度計などのセンサーとして使う場合は、人間の目の感度特性にシリコン・フォト・ダイオードの分光感度特性を合わせる必要があります。その際に、シリコン・フォト・ダイオードの表面に視感度補正フィルターを設置したものが用いられます。
また、シリコン以外の波長用途には、ゲルマニウムやInGaAsが用いられています。これはバンドギャップエネルギーが各々の材料物性値で異なるためであり、特にInGaAsは1μmより長い波長用途に適している材料です。
