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パワーICのメーカー13社一覧や企業ランキングを掲載中!パワーIC関連企業の2025年8月注目ランキングは1位:サンケン電気株式会社、2位:ローム株式会社、3位:株式会社東芝となっています。 パワーICの概要、用途、原理もチェック!
パワーICとは、パワー半導体を内蔵する集積回路 (IC: Integrated Circuit) の総称です。
パワー半導体は一般的に、大電力回路に使用される半導体を指します。パワー系の半導体にはパワートランジスタやパワーMOSFET、IGBTなどがあります。半導体材料の中で、特に1Aを超える大電流を制御する半導体部品をパワー半導体と呼びます。
パワー半導体には、トランジスタやサイリスタなどの電子部品も含まれます。
2025年8月の注目ランキングベスト10
順位 | 会社名 | クリックシェア |
---|---|---|
1 | サンケン電気株式会社 |
25.0%
|
2 | ローム株式会社 |
15.5%
|
3 | 株式会社東芝 |
11.9%
|
4 | オン・セミコンダクター株式会社 |
9.5%
|
5 | 富士電機株式会社 |
9.5%
|
6 | 東和電子株式会社 |
6.0%
|
7 | Littelfuseジャパン合同会社 |
6.0%
|
8 | Power Integrations, Inc. |
4.8%
|
9 | 株式会社三社電機製作所 |
4.8%
|
10 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 |
2.4%
|
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■概要 MP2733はシングルセルのリチウムイオンまたはリチウムポリマーバッテリー用の4.5Aの高度に統合されたスイッチングモードのバッテ...
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■概要 これは、1~4個のセルを直列に接続したバッテリパック用の昇降圧チャージャです。これは、4V〜22Vの広い入力電圧 (VIN) 範囲に対...
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■概要 MP2610は、内部にパワーMOSFETを備えた1セルまたは2セルのリチウムイオンバッテリーパック用のモノリシックなスイッチングチャー...
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■概要 MP2650は、狭電圧DC (NVDC) パワーパス管理とUSB OTG (On-The-Go) を備えた高度に統合された降圧または昇圧チャージャICです。MP2...
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■概要 MP26101は、1セルまたは2セルのリチウムイオン バッテリーパック用のモノリシックなスイッチングチャージャです。内蔵パワーMOSFE...
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■概要 MP2615Aは、1セルまたは2セルのリチウムイオンまたはリチウムポリマーのアプリケーションに適した高効率のスイッチモード バッテ...
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■概要 MP26123は、2セルまたは3セルのリチウムイオン バッテリーパック用のモノリシックなDC/DCステップダウンスイッチングチャージャで...
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■概要 MP2619は、内部パワーMOSFETを備えた2~3セルのリチウムイオン バッテリーパック用のモノリシックなスイッチングチャージャです。...
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■概要 MP26124は、4つの直列セルのリチウムイオンバッテリーパック用のモノリシックな DC/DCステップダウンスイッチングチャージャです...
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■概要 MP2659 は、3セル~6セルの直列リチウムイオンまたはリチウムポリマーバッテリパックを備えたポータブルデバイス向けに設計された...
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■概要 MP2651は、直列の1セル〜4セルのバッテリパックアプリケーション向けに設計された昇降圧チャージャICです。バッテリに給電するた...
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■概要 MP6605Dは、4つのLS-FETとハイサイド (HS) クランプダイオードを統合して、誘導性負荷を駆動する4チャネルのローサイドMOSFET (LS...
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■概要 MP6543Cは、6つのNチャネルパワーMOSFET、6つのプリドライバ、2つのゲートドライバ電源、および3つの電流検出アンプで構成される3...
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■概要 MP6541Aは、6つのNチャネルパワーMOSFETで構成される3つのハーフブリッジを統合した、3相のブラシレスDC (BLDC) モータ・ドライバ...
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■概要 MP6545は、ブラシレス DC (BLDC) モータまたはその他の負荷を駆動するように設計された3相電力段ICです。MP6545は、4.5V~45Vの入...
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■概要 MPQ6541-AEC1は、3つのハーフブリッジを統合した3相ブラシレスDC (BLDC) モータ・ドライバです。3つのハーフブリッジは、6つのNチ...
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■概要 MPQ6541A-AEC1は、3つのハーフブリッジを統合した3相ブラシレスDC (BLDC) モータ・ドライバです。3つのハーフブリッジは、6つのN...
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■概要 MP6536は、3相ブラシレスDCモータを駆動するための3チャネル ハーフブリッジドライバICです。MP6536は、低電流シャットダウンモー...
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■概要 MP6540およびMP6540Aは、3相ブラシレスDCモータ・ドライバであり、6つのNチャネルパワーMOSFET、プリドライバ、ゲート駆動電源、...
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■概要 MPQ6527-AEC1 は、電源MOSFETを内蔵した10チャネルハーフブリッジDMOS出力ドライバです。これは5.5V〜40Vの広い入力電圧 (VIN) の...
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■概要 MPQ6610-AEC1は、電流測定およびレギュレーション機能を備えたハーフブリッジドライバです。このデバイスは、パッケージ、PCB設計...
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■概要 MP6612は、リバーシブルモータの駆動に使用されるHブリッジモータ・ドライバで、DCモータ、ステッピングモータの巻線、またはその...
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■概要 MP6612Dは、リバーシブルモータの駆動に使用されるHブリッジモータ・ドライバで、DCモータ、ステッピングモータの巻線、またはそ...
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■概要 MP6615は、4つのNチャネル パワーMOSFETで構成されるフルブリッジを備えたHブリッジDCモータドライバです。デバイスには、プリド...
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■概要 MP6614は、リバーシブルモータを駆動するように設計されたHブリッジモータ・ドライバです。このデバイスは、1つのDCモータ、ステ...
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■概要 MPQ6626-AEC1は、パワーMOSFETを内蔵した6チャネル、ハーフブリッジDMOS出力ドライバです。広い5.5V~40Vの入力電圧 (VIN) 範囲に...
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■概要 MPQ6628-AEC1 は、電源MOSFETを内蔵した8チャネルハーフブリッジDMOS出力ドライバです。5.5V〜40Vの広い入力電圧 (VIN) の範囲に...
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■概要 MP6527は、パワーMOSFETが集積された10チャネルのハーフブリッジDMOS出力ドライバです。これは5.5V〜40Vの広い入力電圧 (VIN) の...
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■概要 MPQ6519は、正確かつ高速な電流応答制御を必要とするアプリケーション向けのモノリシックなステップダウン電流源ドライバです。MP...
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■概要 MP6632は、最大1Aの駆動電流を備えた三相ブラシレスDC (BLDC) モータドライバコントローラです。6V~50Vの入力電圧 (VIN) 範囲で3...
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■概要 MP6632Aは、最大1Aの駆動電流と6V~50Vの入力電圧 (VIN) を備えた3相ブラシレスDC (BLDC) モータドライバです。MP6632Aは、閉 / ...
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■概要 MPQ6631H-AEC1は、パワーMOSFETを統合した3フェーズブラシレスDC (BLDC) モータドライバです。デバイスは、単一の外部ホール効果...
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■概要 MPQ6653-AEC1はパワーMOSFETを統合し、ホール効果センサを組み込んだシングルフェーズブラシレスDC (BLDC) モータドライバです。...
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■概要 MP6631Aは、パワーMOSFETを統合した3相ブラシレスDC (BLDC) モータドライバです。デバイスは、単一の外部ホール効果センサまたは...
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■概要 MP6505は、入力電圧幅が4.5V~16V、最大出力電流が400mAのシングルフェーズ ブラシレスDCモータドライバです。MP6505は、入力電圧...
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■概要 MP6517は、パワーMOSFETとホール効果センサを統合したシングルフェーズ、ブラシレスDCモータドライバです。MP6517は、最大1.2Aの...
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■概要 MP9518は、パワーMOSFETとホール効果センサを統合したシングルフェーズ、ブラシレスDCモータドライバです。MP9518は、最大1.2Aの...
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パワーICとは、パワー半導体を内蔵する集積回路 (IC: Integrated Circuit) の総称です。
パワー半導体は一般的に、大電力回路に使用される半導体を指します。パワー系の半導体にはパワートランジスタやパワーMOSFET、IGBTなどがあります。半導体材料の中で、特に1Aを超える大電流を制御する半導体部品をパワー半導体と呼びます。
パワー半導体には、トランジスタやサイリスタなどの電子部品も含まれます。
パワーICは、産業用機器や民生品機器の制御用ICとして非常に広く使用されています。大電力を扱うパワーICは低消費電力化が強く要望されており、半導体材料やデバイス技術、回路技術を中心に技術革新が進んでいます。
以下がパワーICの使用用途の例です。
昨今の電気自動車 (EV) やハイブリッド自動車 (HEV) の普及に伴い、車載ユニットの需要向上が顕著であり、今後パワーIC市場は拡大すると予想されています。
IC内部の回路により電圧や電流を制御し、各種機器への電力制御をおこなうのがパワーICの主な役割ですが、その機能は非常に多く多岐にわたります。例えば交流 (AC) 電圧を直流(DC)電圧へ変換する働きや、モーターの駆動、蓄電池への充放電を実現します。
その実現のためのIC内部の回路は、整流作用や、コンデンサや抵抗、インダクタ特性を回路素子の組み合わせをもとに利用する場合が多いです。アクティブ素子である半導体デバイスを使用して電源を高速スイッチングしたり、コンデンサで増幅・平滑化したりすることでACやDCの電源を制御しています。この種の機能を有するICはパワーマネージメントICとも呼ばれます。
パワーICならではの特徴として、その扱う電力の大きさから、パッケージや放熱設計には特に注意が必要です。放熱の悪い実装状態だと、電子部品としての信頼性を損なうばかりか、特性劣化を招くために、IC動作に際して十分な電気的な特性を期待できないためです。
低消費電力化の向けたICの回路面の取り組みとしてはインバーター回路があります。「インバーター」とは商用のAC電圧や交流周波数を自由に可変させるための回路でのことであり、モーター駆動やエアコンなどの変化する負荷状態に合わせた制御を低消費電力化させるため、よく用いられる回路です。
パワーICが内蔵する半導体デバイスには次のような素子が挙げられます。
ダイオード
トランジスタ
最近では耐圧が高く高速スイッチングに優れたシリコンカーバイド (SiC) を使用したものもあります。その他、トランジスタや高耐圧ドライバーなどの各種ICを1パッケージに内蔵したインテリジェントパワーモジュール (IPM) も存在します。
SiC (シリコンカーバイド) は、シリコンと炭素から構成される化合物半導体です。
絶縁破壊電界強度がSiの約10倍、バンドギャップがSiの約3倍あり、次世代のパワー半導体材料として期待されています。これは同じ耐電圧であればSiよりも10倍ほど半導体層を薄くできることを意味します。薄型化によって抵抗が低減され、低消費電力で動作できるので、パワーIC材料としてSiCを使うことにより、低消費電力かつ高耐圧なICを作成できます。
その他パワー半導体材料としてGaN (ガリウムナイトライド) もPC向けの電源変換ケーブル向けなどに実用化されており、次世代向けにはGa2O3なども期待されています。
参考文献
https://www.shindengen.co.jp/products/semi/column/basic/semi/power_semi.html
https://www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/about/
https://eetimes.jp/ee/articles/2007/28/news027.html
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1219080.html