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バススイッチのメーカー14社一覧や企業ランキングを掲載中！バススイッチ関連企業の2025年7月注目ランキングは1位:ローム株式会社となっています。 バススイッチの概要、用途、原理もチェック！
バススイッチとは、デジタル信号を伝達するための半導体スイッチです。
基本的な機能は機械スイッチと同様ですが、MOSFET (英: Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) システムを利用していることが特徴です。
MOSFETにより、信号を電気的に導通 (オン) させたり遮断 (オフ) したりします。スイッチであるため、当然双方向で動作し、信号の向きを気にする必要はありません。中には、信号を増幅したり、逆にレベルを下げたりする機能を内蔵しているものもあります。
2025年7月の注目ランキングベスト1
| 順位 | 会社名 | クリックシェア |
|---|---|---|
| 1 | ローム株式会社 |
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31 点の製品
センサテック株式会社
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用途 シリンダーの位置検出とその制御 リレー、プログラマブルコントローラの制御 磁石の検出 特長 リードスイッチを用いた有接点方式...
12種類の品番
ターク・ジャパン株式会社
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多種多様なセンサとディスプレイは、特にDX80ワイヤレスシステムへの接続に適しており、ネットワークに直接組み込むか、特殊なノード経...
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東和電子株式会社
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マルチプレクサーを含むバススイッチはデジタル信号用に最適化されたスイッチです。当社は、低電圧 (TC7SBL/WBL/MBL) 、5V系 (TC7SB/WB)...
日清紡マイクロデバイス株式会社
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■概要 NJG1817ME4は5G (Sub-6) スモールセル、業務用無線など大電力仕様が必要とされる通信システム、端末に最適な GaAs SPDTスイッチMM...
日清紡マイクロデバイス株式会社
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■概要 NJG1814MD7はWLAN、LTE、LTE-U等の通信端末用途に最適なハイパワーSPDTスイッチです。本製品は切替電圧1.8Vに対応し、低損失、高...
日清紡マイクロデバイス株式会社
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■概要 NJG1802K51はLTE/UMTS/CDMA/GSM等の通信端末用途に最適なハイパワーSPDTスイッチです。本製品は切替電圧1.8Vに対応し、低損失、高...
日清紡マイクロデバイス株式会社
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■概要 NJG1697EM1は移動体通信用途に最適な受信向け高アイソレーションSPDTスイッチです。本製品は非常に高いアイソレーション特性を有...
株式会社キャンドックスシステムズ
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■概要 ・高周波リレーを使用した、RF信号用マルチプレクサユニット ・電源 (電圧) での制御なので容易に使用できます。 ■特徴 ・高周波...
株式会社オリエントマイクロウェーブ
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小型でハイアイソレーション型SPDTスイッチです。周波数帯域は0.5～6.0GHzとFPU向けの装置に適しています。
バススイッチとは、デジタル信号を伝達するための半導体スイッチです。
基本的な機能は機械スイッチと同様ですが、MOSFET (英: Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) システムを利用していることが特徴です。
MOSFETにより、信号を電気的に導通 (オン) させたり遮断 (オフ) したりします。スイッチであるため、当然双方向で動作し、信号の向きを気にする必要はありません。中には、信号を増幅したり、逆にレベルを下げたりする機能を内蔵しているものもあります。
バススイッチはデジタル回路用のデバイスであり、CPUと周辺ICの間の信号ラインに挿入して使用します。大きな電流を流すことはできないため、電源ラインのスイッチとしては使えません。
信号の導通と遮断を行うタイプに加えて、接続先を切り替えるタイプも存在します。最も単純な例として、入力Aに対して出力BとCが配置されている場合、A-B間が導通されている状態からA-C間の導通に切り替える際にバススイッチが使用されます。
また、信号遅延がなく、高速スイッチングに対応できるため、比較的高速な回路でも利用されています。さらに、ノイズを発生させたり電力消費量を増加させたりしないため、電圧変換器、ホットスワップ、ホットプラグ、バスまたは容量の隔離・分離などに利用されます。
一般的なバスイッチは2つのMOSFETを組み合わせて作られています。P-CHのMOSFETとN-CHのMOSFETのゲートを直結し、互いのドレインを並列に接続します。ゲートから信号を入力することにより、常にP-CHまたはN-CHのMOSFETが導通状態となることを利用し、出力信号として取り出す仕組みです。
似た原理を持つデバイスにはバスバッファがあります。バススイッチとバスバッファは駆動能力に違いがあります。バススイッチは高速なスイッチングが可能である一方、接続されるデバイスの駆動能力は高くありません。一方、バスバッファはファンアウト数が大きい、つまり駆動能力が高いのですが、切替に遅れが発生します。
回路上での用途を考慮して、どちらのデバイスが良いかを見極めることが必要です。
バススイッチは、前述のP-CHとN-CHのMOSFETを並列に接続して構成するタイプの他に、N-CHおよびチャージポンプがあります。以下に詳しく解説します。
P-CHとN-CHのオン抵抗特性を併せ持っています。オン抵抗の特性カーブが入力電圧0Vから電源電圧までほぼ平坦であるため、出力信号の電圧を最大限に活用可能です。
ゲートに所定の電圧加え、ドレインとソース間に信号を入力することにより、オン・オフのスイッチングを行います。
出力信号電圧の範囲を向上させるために、N-CHのMOSFETのみを使用するタイプです。チャージポンプ回路で昇圧し、ゲート電圧を高く保持できます。上記の並列タイプと同じように、オン抵抗が入力電圧に対して低く、特性カーブが平坦であるため、入出力信号の電圧を最大限に活用できます。ただし、他のタイプよりも多く電力を消費するのが欠点です。
バススイッチは、フラットパネルテレビ、携帯電話、PCおよび周辺機器、カーナビゲーションシステムなどに組み込まれ、高速デジタル信号の伝送に使用されます。これら応用製品の開発が進むにつれ、信号の伝達速度は高まっています。
このトレンドに対応するため、バススイッチは高速化の一途を辿っています。また、携帯電話などの外部インターフェースを搭載し、複数の信号のやり取りを行う機器では、複数の信号を切り替える高機能化が顕著です。
