多層膜スパッタリング装置 S600
パナソニックプロダクションエンジニアリング株式会社

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この製品について

■特長・最大5基のカソード搭載により多様なプロセスと高生産性を両立
・T/S距離調整により長期間の高膜厚均一性を維持 
・独自プラズマ制御 (MPスパッタ) 技術にてスパッタ薄膜特性を向上
・ヒーターステージ (800℃) 搭載で高温プロセスが可能
・開発工程～量産工程まで様々な用途へ活用が可能 

■最大5基のカソード搭載可能・ダブルロードロック室で高生産性を実現 
・ロータリタイプとマルチチャンバタイプを融合した搬送形態で 多様なプロセスへの対応と高スループットを両立 
・各ポジションに様々なユニットを装着可能・DC/RFカソード・MPスパッタ (独自技術) ・逆スパッタ・裏面スパッタ・Arクリーニング・冷却ユニット (Ar冷却、チムニー冷却) ・基板加熱ユニット
・3～6インチ基板処理に対応 (小形・矩形等の異形基板にもトレイ搬送で対応)

■スパッタカソード構造・偏芯回転磁石による大口径ワイドエロージョンで、高精度な膜厚均一性と ターゲットの長寿命化を実現
・磁場設計は当社がシミュレーションにて設計し、お客様のご要望に最大限対応

 ■T/S 調整機構・ターゲット侵食による膜厚分布変化を、T/S 距離を自動調整することで ターゲット寿命まで膜厚分布の高均一性を維持

■MP スパッタ・独自のプラズマ制御技術により、DCマグネトロンスパッタ方式で ① スパッタ粒子の高エネルギー化 ② 活性種の高密度化 ③ 基板上粒子のマイグレーション促進を実現
・電子部品の小型化・高性能化に不可欠な高結晶/高配向機能膜、 高密度/高耐湿保護膜、低抵抗金属膜等の成膜が可能

■基板加熱ユニット搭載高均熱性ヒーターステージ (800℃) の搭載で高温プロセスへの対応が可能 