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返答率
100.0%
返答時間
24.9時間
電流密度
250μA/cm2
加速電圧
0.15~5keV
ワーキング距離
23~100mm
最小スポットサイズ
0.6mm
取付フランジ
DN40CF (回転)
真空内ソース長
163mm (標準)
走査範囲
試料上で10×10mm
ベイク温度
250℃以下
型番
IS40E1シリーズ
ソース 走査型イオン銃 IS40E1取扱企業
北野精機株式会社カテゴリ
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スパッタリング装置の製品124点中、注目ランキング上位6点
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 電流密度 | 加速電圧 | ワーキング距離 | 最小スポットサイズ | 取付フランジ | 真空内ソース長 | 走査範囲 | ベイク温度 |
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要見積もり | 250μA/cm2 | 0.15~5keV | 23~100mm | 0.6mm | DN40CF (回転) | 163mm (標準) | 試料上で10×10mm | 250℃以下 |
スパッタリング装置の中でこの商品と同じ値をもつ製品
加速エネルギーが低エネルギー型の製品
スパッタリング装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#MEMS #ガラス基板 #研究開発 #光学 #絶縁膜 #電子顕微鏡 #電子部品 #導電膜 #半導体 #量産スパッタ方式
DCスパッタ型 RFスパッタ型 マグネトロンスパッタ型 グロー放電スパッタ型成膜環境
高真空型 中真空型ターゲット構成
単一ターゲット型 多元ターゲット型 ロータリターゲット型対象搬送方式
静止基板型 回転基板型 スルーフィード型処理基板 mm
20 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 700スパッタ方向
アップ ダウン装置構成
エッチング室 カセット室 スパッタ室 搬送室 ロードロック室基板加熱 ℃
100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 800返答率
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