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返答率
100.0%
返答時間
29.2時間
外形寸法
350×210mm (H230mm)
本体重量
10kg
電源
110V±10%、50/60Hz
イオン電流
1~10mA (1mA / step)
スパッタ処理時間
1~600秒 (1sec / step) ※10mA 100秒で約15nmの成形
ターゲット材質
Au, Ag, Pt (50mmφ / 99.99%)
チャンバーサイズ
140mmφ (H100mm)
対応サンプルサイズ
50mmφ (H30mm)
型番
G20シリーズ
イオンスパッタ装置 G20取扱企業
ハイソル株式会社カテゴリ
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スパッタリング装置の製品122点中、注目ランキング上位6点
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何社からも電話が来る心配はありません
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返答率96%
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 外形寸法 | 本体重量 | 電源 | イオン電流 | スパッタ処理時間 | ターゲット材質 | チャンバーサイズ | 対応サンプルサイズ |
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要見積もり | 350×210mm (H230mm) | 10kg | 110V±10%、50/60Hz | 1~10mA (1mA / step) |
1~600秒 (1sec / step) ※10mA 100秒で約15nmの成形 |
Au, Ag, Pt (50mmφ / 99.99%) | 140mmφ (H100mm) | 50mmφ (H30mm) |
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使用用途が電子顕微鏡の製品
スパッタリング装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#MEMS #ガラス基板 #研究開発 #光学 #絶縁膜 #電子顕微鏡 #電子部品 #導電膜 #半導体 #量産スパッタ方式
DCスパッタ型 RFスパッタ型 マグネトロンスパッタ型 グロー放電スパッタ型成膜環境
高真空型 中真空型ターゲット構成
単一ターゲット型 多元ターゲット型 ロータリターゲット型対象搬送方式
静止基板型 回転基板型 スルーフィード型処理基板 mm
20 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 700スパッタ方向
アップ ダウン装置構成
エッチング室 カセット室 スパッタ室 搬送室 ロードロック室基板加熱 ℃
100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 800
