ENTRONTM-EX2 W300 (Tandem) | マルチチャンバ型スパッタリング装置 ENTRONTM-EX2 W300
アルバック販売株式会社

アルバック販売株式会社の対応状況

返答率

100.0%

返答時間

125.8時間

全型番で同じ値の指標

搬送系

大気ウェハ移載機＋8角形真空搬送室×2

モジュール

L/UL室×2+最大8プロセス室 +最大2Degas or Cool 室

基板寸法

φ300mm対応

搬送ロボット

デュアルアーム高真空搬送ロボット×2 ウエハ位置補正付

制御系

FA-PC制御 (Cluster tool controller)

用途

メモリ、不揮発性メモリ、ロジック多層プロセス大量生産用

主排気

LL室：ターボ分子ポンプ搬送：TMP or クライオポンププロセス室：TMP+コールドトラップ (H20用)

粗引き

粗引き用ドライポンプ、TMPフォア用ドライポンプ

スパッタ

スパッタダウン方式/回転磁石カソード：コンベンショナル、LTS、SIS、HiCIS、マルチカソード

プリクリーン

ICPエッチング、水素アニール、CDT

CVD

FEOL、BEOL、NVM用CVD、ALD等

搭載可能プロセスガス系統

PVD：最大4系統 CVD：最大14系統

スループット

メカニカルスループット：160wph　 (2回搬送)

到達圧力

搬送室：3.0E-6Pa以下プロセス室：3.0E-6Pa以下

膜厚分布 (*1)

φ300基板内・±5%以内 *1 : 性能は膜種により異なります。

プロセス温度

R.T~450℃

電気

50Hz/60Hz、3φ、200V

冷却水

0.3~0.5MPa、温度20~25℃ チラー用：60L/min He Compressor用：7L/min×n台分 DRP用：8L/min×n台分

所要ガス

プロセス用Gas各種：0.1~0.3MPa ベント用 N2：0.2~0.7MPa ドライポンプ用 N2：0.2~0.7MPa

圧空

0.5~0.7MPa

省エネルギー機能

標準搭載

接地工事

A種

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この製品について

■概要マルチチャンバ型スパッタリング装置ENTRONTM-EX2 W300は、多様なプロセスを結び付ける最新のプラットフォームです。高生産性、省エネルギーを実現し、次々世代以降も対応可能な拡張性を誇るハイエンドモデルのスパッタリング装置です。当社独自の技術による微細配線用の最先端PVD、CVD、ALDモジュール等、多彩なラインナップでお客様のニーズにお応えします。

■用途・最先端半導体メモリ (DRAM、フラッシュメモリ) 
・次世代不揮発性メモリ (STT‐MRAM, ReRAM, PCRAM, CBRAM, FeRAM等) 
・最先端半導体ロジック
・CMOSイメージセンサ

■特長・フレキシブルなモジュール構成が可能
・PVDとCVD、ALDのインテグレーションが可能
・NVM、Al、Cu配線、バリアメタル、thick AL、Co/Niサリサイド等、様々なアプリケーションに対応
・多品種のデバイス生産に対応
・クラスターツール思想による標準10室のプロセスモジュールが搭載可能
・シングル仕様／タンデム仕様のプラットフォーム選択が可能
・次世代半導体Fabに適合した制御システム 薄膜制御性に優れ、EES対応も可能。最先端Fabの自動化に適合

■高い生産性ウェハの搬送速度が従来比で60%UP。高い生産処理能力と低CO2を実現

■環境への配慮各種の省エネルギー機能を標準搭載し、従来比30%の省エネルギーを実現

型番
ENTRONTM-EX2 W300 (Tandem)

シリーズ
マルチチャンバ型スパッタリング装置 ENTRONTM-EX2 W300

取扱企業
アルバック販売株式会社

カテゴリ

加工・工作機器

スパッタリング装置

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マルチチャンバ型スパッタリング装置 ENTRONTM-EX2 W300 ENTRONTM-EX2 W300 (Tandem) の性能表

商品画像	価格 (税抜)	搬送系	モジュール	基板寸法	搬送ロボット	制御系	用途	主排気	粗引き	スパッタ	プリクリーン	CVD	搭載可能プロセスガス系統	スループット	到達圧力	膜厚分布 (*1)	プロセス温度	電気	冷却水	所要ガス	圧空	省エネルギー機能	接地工事	オプション
	要見積もり	大気ウェハ移載機＋8角形真空搬送室×2	L/UL室×2+最大8プロセス室 +最大2Degas or Cool 室	φ300mm対応	デュアルアーム高真空搬送ロボット×2 ウエハ位置補正付	FA-PC制御 (Cluster tool controller)	メモリ、不揮発性メモリ、ロジック多層プロセス大量生産用	LL室：ターボ分子ポンプ搬送：TMP or クライオポンププロセス室：TMP+コールドトラップ (H20用)	粗引き用ドライポンプ、TMPフォア用ドライポンプ	スパッタダウン方式/回転磁石カソード：コンベンショナル、LTS、SIS、HiCIS、マルチカソード	ICPエッチング、水素アニール、CDT	FEOL、BEOL、NVM用CVD、ALD等	PVD：最大4系統 CVD：最大14系統	メカニカルスループット：160wph　 (2回搬送)	搬送室：3.0E-6Pa以下プロセス室：3.0E-6Pa以下	φ300基板内・±5%以内 *1 : 性能は膜種により異なります。	R.T~450℃	50Hz/60Hz、3φ、200V	0.3~0.5MPa、温度20~25℃ チラー用：60L/min He Compressor用：7L/min×n台分 DRP用：8L/min×n台分	プロセス用Gas各種：0.1~0.3MPa ベント用 N2：0.2~0.7MPa ドライポンプ用 N2：0.2~0.7MPa	0.5~0.7MPa	標準搭載	A種	LTS/SIS/マルチカソード/CVD/ALDモジュール選択搭載可能 RGA：Qulee In-Aligner EES：EDPMS (Equipment Engineering System)