イサハヤ電子株式会社の対応状況
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154 点の製品
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高精度基準電圧シャントレギュレータ RT9H301C
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■概要 RT9H301C/P/Sは、±1％の高精度な基準電圧を有する、3端子シャントレギュレータです。2本の外付け抵抗により基準電圧VREF～36Vの範...
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DIAC シリコン双方向スイッチング素子 BS08D
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■概要 シリコン双方向スイッチング素子 (SBS) BS08Dは、シリコンプレ－ナ拡散技術により製作された、双方向にスイッチング特性を有する...
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ゲートドライバ IGBTドライバ (ハイブリッドICタイプ)
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弊社標準ハイブリッドICの中核製品群となります。駆動回路のほか、短絡保護回路、ゲート電源まで内蔵したものもラインナップしています...
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IGBTゲートプリドライバ 高機能複合トランジスタ RT8H255C
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RT8H255Cは、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、抵抗により構成された複合トランジスタです。このトランジスタのご使用により、セット...
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IGBTゲートドライバ IGBTドライバ (ハイブリッドICタイプ) VLA567-11R
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■概要 VLA567は、IGBTモジュール駆動用回路を2ch内蔵した混成集積回路です。ゲート駆動用の絶縁型DC-DCコンバータが内蔵されており、新...
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バイポーラトランジスタ バイポーラトランジスタ 2SA1363
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■概要 2SA1363は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、特にコレクタ電流が大きく設計、製...
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カスタム電源 モータ制御用インバータユニットIMD-Sシリーズ
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お客様のご要望に最適な電源を提案いたします。AC/DCコンバータ、DC/DCコンバータ、インバータ、PFC、充電器、デジタル制御など、パワー...
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スイッチングダイオード MC2835
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■概要 MC2835は、超小形外形の樹脂封止形シリコンエピタキシァル形ダブルダイオードで、一般スイッチング用として設計、製造されており...
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シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M
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RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...
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シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 高電圧スイッチ用 RT3C88M
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RT3C88Mは、NPNトランジスタを2素子内蔵した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、製品及び工数の大幅...
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IGBTモジュール駆動用ハイブリッドIC 混成集積回路 M57159L-01
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M57159L-01は、IGBTモジュール駆動用混成集積回路です。ホトカプラによって入力ー出力間が電気的に絶縁されており、2電源により駆動可能...
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IGBTドライバ (パルストランスタイプ) IGBTモジュール駆動用ハイブリッドIC 混成集積回路 VLA526A-06AR
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本ハイブリッドICは、AC400V系3相インバータに使用され、基板直付けによるゲート配線が可能な6素子入り小容量IGBTモジュールの駆動に最...
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Full-SiC モジュールゲートドライバ モジュール搭載型ユニット VLA586-01R
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■特長 ・SiCモジュール上に直接搭載可能 ・ゲート駆動回路を2系統内蔵 ・短絡検出回路内蔵 (モジュールのセンス端子電圧検出方式) ・短...
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バイポーラトランジスタ 低周波電力増幅用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1364
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2SA1364は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにコレクタ損失が大きく...
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バイポーラトランジスタ リレードライブ、電源用 シリコンPNPエビタキシァル形 2SA1944
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2SA1944は、シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにhFEが高く設計、製造されています...
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ツェナーダイオード INTB16VLAC1
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■概要 INTB16VLAC1は、超小形外形樹脂封止形シリコンエピタキシャル形ツェナーダイオードです。ツェナー電圧：Vz=16V ■特長 小型パッケ...
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アナログIC ウィンドウコンパレータ 電圧低下・過電圧の一括監視、センサー信号処理に最適 RT8H141C/RT8H151C
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本製品はウィンドウコンパレータ回路を構成しており、入力信号が外部接続により決定される2つの基準電圧の範囲内 (ウィンドウ電圧内) に...
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シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 差動増幅用 RT3C66M
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RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...
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トランジスタアレイ MOS型電界効果トランジスタ (MOS-FET) INJ0002AC1
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■概要 INJ0002AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりま...
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スイッチングダイオード 高速度スイッチング用 シリコンエピタキシァル形 (コモンアノード) ミニタイプ MC2836
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MC2836は、超小形外形の樹脂封止形シリコンエピタキシァル形ダブルダイオードで、高速度スイッチング用として設計、製造されております...
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スイッチングダイオード 高速度スイッチング用 シリコンエピタキシァル形 (コモンカソード) ミニタイプ MC2838
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MC2838は、超小形外形の樹脂封止形シリコンエピタキシァル形ダブルダイオードで、高速度スイッチング用として設計、製造されております...
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IGBTドライバ (パルストランスタイプ) IGBTモジュール駆動用ハイブリッドIC 混成集積回路 M57174L-03
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M57174L-03は、基板直付けによるゲート配線が可能な小容量IGBTモジュールの駆動に最適な混成集積回路です。 パルストランスにより入カ...
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IGBTゲートドライバ UVLO機能内蔵しており、電源電圧20Vシステムに最適な仕様 RT8H102C
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本製品はUVLO回路を内蔵しており、電源電圧が約14.2V以上になると動作を開始し、約12.4V以下になると動作を停止します。IGBTドライバと...
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スイッチングダイオード 高速度スイッチング用 シリコンエピタキシァル形 (ミニタイプ) MC2833
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MC2833は、超小形外形の樹脂封止形シリコンエピタキシァル形ダイオードで、高速度スイッチング用として設計、製造されております。 端...
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IGBTモジュールゲート駆動用ハイブリットIC 混成集積回路 VLA502-01R
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VLA502-01Rは IGBTモジュール駆動用混成集積回路です。VLA500-01Rの高速版です。ゲート駆動用の絶縁型DC-DCコンバータが内蔵されており...
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IGBTドライバ (ユニットタイプ) GAU220P-15402
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SiC-MOSFETドライバ (ユニットタイプ) VLA595-04R
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バイポーラトランジスタ 小形モータ、プランジャドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1369
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2SA1369は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタで、コレクタ損失およびコレクタ電流が大きく、さらにhFEが高く、設計、...
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スイッチングダイオード 高速度スイッチング用 シリコンエピタキシァル形 (ミニタイプ) MC2832
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MC2832は、超小形外形の樹脂封止形シリコンエピタキシァル形ダイオードで、高速度スイッチング用として設計、製造されております。端子...
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複合PNPトランジスタ 独立2素子内蔵 RT3AMMAM1
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RT3AMMAM1は、PNPトランジスタ ISA1235Aを2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品...
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会社基本情報
| 郵便番号 | 〒854-0065 |
|---|---|
| 本社住所 | 長崎県諫早市津久葉町 6-41 |
| 創業年 | 1973年 |
| 資本金 | 485,000,000円 |
| 従業員数 | 1,400人 |
| 法人番号 | 6310001007874 |
| 会社区分 | メーカー |
| リンク | イサハヤ電子株式会社 ホームページ |
事業所情報
イサハヤ電子株式会社の研究所、その他が全国で3箇所登録されています。
研究所
長崎県でイサハヤ電子株式会社の研究所が2箇所登録されています。
津久葉ラボラトリー 研究所
〒854-0065 長崎県諫早市津久葉町641諫早ラボラトリー 研究所
〒854-0063 長崎県諫早市貝津町183025その他
大阪府でイサハヤ電子株式会社のその他が1箇所登録されています。
大阪営業本部 その他
〒530-0027 大阪府大阪市北区堂山町15（三共梅田ビル9F）事業所情報について
事業所はMetoreeに登録されているもののみが表示されています。イサハヤ電子株式会社の製品カテゴリ
イサハヤ電子株式会社の製品が17件登録されています。
注目ランキング導出方法注目ランキング導出方法について
注目ランキングは、2025年1月のイサハヤ電子株式会社のMetoreeページ内でのクリックシェアを基に算出しています。クリックシェアは、対象期間内の各ページでの全企業の総クリック数を各企業のクリック数で割った値を指します。また、製品はMetoreeに登録されているもののみが表示されています。