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半導体材料のメーカー38社一覧や企業ランキングを掲載中!半導体材料関連企業の2025年7月注目ランキングは1位:TECOM株式会社、2位:林純薬工業株式会社、3位:JSR株式会社となっています。 半導体材料の概要、用途、原理もチェック!
半導体材料とは、半導体デバイス製品を製造する過程で使用される材料全般です。
前行程では表面に半導体チップを形成するウェハ、設計情報である回路パターンをウェハに焼き付けるときに原版として使うフォトマスク、エッチングガスやクリーニングガスなどの半導体材料ガスなどが使われます。後行程ではチップを載せるパッケージ用の金型、チップの電極を外部へ接続するボンディングワイヤ、パッケージ内のチップを保護する樹脂やセラミック製の封止材などが使用されます。
多様な半導体材料の中でもチップ本体を形成するウェハは最も重要な材料であり、一般的に「半導体材料」はウェハを指す場合が多いです。
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2025年7月の注目ランキングベスト10
順位 | 会社名 | クリックシェア |
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1 | TECOM株式会社 |
25.0%
|
2 | 林純薬工業株式会社 |
12.1%
|
3 | JSR株式会社 |
7.1%
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4 | SICC Co.,Ltd. |
6.4%
|
5 | 梅郷電子株式会社 |
6.4%
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6 | 日本ガイシ株式会社 |
5.7%
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7 | 三菱マテリアル株式会社 |
4.3%
|
8 | 富士フイルム株式会社 |
4.3%
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9 | 千代田交易株式会社 |
3.6%
|
10 | 信越化学工業株式会社 |
3.6%
|
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ダミーウェーハとはテストウェーハとも呼ばれ、製品ウェーハと異なり主に機器の実験や検査に用いられるウェーハのことです。製造装置の...
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産業用途に適した高品質のシリコン素材を提供します。
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CZ法 (チョクラルスキー法) と呼ばれる製造方法によりシリコンウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。主にデバイス製...
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酸化ガリウムは、高耐圧および低オン抵抗特性を活かし、パワーエレクトロニクスデバイスとして幅広く応用されています。電気自動車、太...
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複合ウェーハは、2種類以上の異なる材料を特殊な工程で組み合わせて作られる高性能な基板材料です。
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複合ウェーハは、2種類以上の異なる材料を特殊な工程で組み合わせて作られる高性能な基板材料です。
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■概要 200mmシリコンウェーハは大手シリコンウェーハ工場の製造ラインに弊社スタンダード仕様のウェーハを組み込みプライムウェーハの提...
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■概要 MSRの独自ルートで調達する高品質300mmシリコンウェーハを提供いたします。ウェーハは米国大手シリコンウェーハ工場で製造され一...
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300mmベタ膜ウェーハリスト ※他にも品番がございます。
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■概要 MSRの提供するSOIウェーハはMEMSデバイス向けに特化した各種構造体のSOIウェーハを提供いたします。貼り合わせ・研削研磨法による...
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■概要 光通信用光導波路をアプリケーションとした薄膜SOIウェーハ製造を承ります。埋込酸化膜は3〜5μm、光導波路用薄膜活性層は100〜500...
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■概要 活性層厚さ1μmを研削・研磨法にて仕上げます。機械加工による1μm近辺の活性層仕上げは非常に難易度が高く歩留まりも低いのですが...
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■概要 高機能基板として各種貼り合わせウェーハ製造基板およびGaN-SiCエピウェーハを供給します。パワーデバイス、高耐圧、圧電素子、次...
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■概要 ベトナムIMT社製造の鋳造型単結晶シリコンインゴットを提供いたします。従来鋳造法では多結晶インゴットしか製造できませんでした...
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2インチ~12インチまでの半導体用基板として使用されるシリコンウェーハをお客様のご利用用途やご要望に合わせてご提供いたします。 大...
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■単結晶SiCの製品を提供しております。 ・2~4インチ4H/6H-P SiCウェーハ ・2~4インチ3C SiCウェーハ ・4~8インチ4H-N SiCウェーハ ・...
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CVDダイヤモンド基板(Chemical Vapor Depositionダイヤモンド基板)は、化学気相成長(CVD)法を用いて製造されるダイヤモンドの薄膜を...
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Nd:YVO4 レーザー結晶 Yb:YAG レーザー結晶 Yb:KGW レーザー結晶 Ti:Sapphire レーザー結晶 Nd:KGW レーザー結晶 Cr:LiSAF ...
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LBO 非線形 (NLO) 結晶 BBO 非線形 (NLO) 結晶 BIBO 非線形 (NLO) 結晶 KTA 非線形 (NLO) 結晶 MgO:LiNbO3 非線形(NLO)結晶 K...
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ホタル石に代表されるフッ化物結晶は、真空雰囲気中において1000℃以上の高温で結晶を育成しなくてはならず、それには高度な装置・プ...
株式会社豊港
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ウェーハへの膜付加工を行った製品を「膜付ウェーハ」と呼びます。ウェーハの成膜プロセスには、絶縁膜としての層間絶縁材料、導電材料...
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単結晶SiCの製品を提供しております。 2~4インチ4H/6H-P SiCウェーハ 2~4インチ3C SiCウェーハ 4~8インチ4H-N SiCウェーハ 4~8イン...
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半導体材料の代名詞としてのシリコン。シリコン (Si,silicon、ケイ素) は、資源が豊富。 (地球上で酸素の次に多く存在する元素) 高純度...
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Φ8inchまでの各種Si Epi wafer を供給いたします。
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単結晶サファイアは、高純度のアルミナ (Al2O3ウェハー) を人工的に成長 (単結晶化) させた結晶体です。モース硬度9を持ち、石英以上の...
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GaNエピ成長用基板として2,4,6インチ各サイズのウェハーを供給いたします。インゴットでの供給も可能です。お気軽にご相談下さい。
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■特徴 ・ドープ量:Nb 0.7wt% ・最大20mm角 まで可能
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■特徴 ・Siにマッチした熱膨張係数を有し、また熱衝撃に強く急熱・急冷に耐えます。 ・助剤レスであり、金属汚染及びパーティクル の発...
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■砥粒硬度および形状 被削材に合わせた、高耐久や高破砕な砥粒。被削材に合う、形状、大きさの砥粒を選定。最適な密度の調整も可能です...
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本装置は両側測定台あり、一側はウエハ―の notch を測定、反対側にインゴットとウエハ―の端面及び基準エッジを測定。
株式会社オーエステック
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■装置性能 ・装置自身測定精度は ±30″。スライス機の公差は零の時に、スライス後のウエハ―測定角度100% は ±0.05°以内。 ・自動に結晶角...
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優れた耐食性と物理特性がラインの信頼性を築きます。 ■基本情報 クアーズテック株式会社のCERASIC🄬 常圧焼結SiCセラミックスは高温強...
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ADSアルミナセラミックスは、吸水率が0.01%以下と非常に緻密な焼結体で、高強度、耐摩耗性、化学的安定性などに応えます。 ■基本情報 ...
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独自のCVD-SiCで製作され、超高純度、高耐食性、高耐酸化性、高耐熱性、高耐摩耗性の特性を持ちます。 ■基本情報 超高純度で耐食性及び...
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■弊社は1980年代から高温超電導薄膜やGaNなどの基板としてSrTiO3やサファイア基板を提供をはじめ、科学技術の向上に貢献し続けています...
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単結晶シリコンインゴット/Silicon Ingot 中国の自社工場で生産している他、日本と中国の優良メーカーから仕入れています。特に中国製...
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日本国内工場で生産している他、中国メーカーにて委託生産しています。中国メーカーでは、主に小径サイズを生産しており、Φ8"~Φ16"の大...
株式会社渡辺商行
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高純度、高強度、高耐食性を兼ね備えた半導体製造プロセスに欠かせない半導体関連材料。 高純度炭化けい素を主成分とするTPSSは、クア...
半導体材料とは、半導体デバイス製品を製造する過程で使用される材料全般です。
前行程では表面に半導体チップを形成するウェハ、設計情報である回路パターンをウェハに焼き付けるときに原版として使うフォトマスク、エッチングガスやクリーニングガスなどの半導体材料ガスなどが使われます。後行程ではチップを載せるパッケージ用の金型、チップの電極を外部へ接続するボンディングワイヤ、パッケージ内のチップを保護する樹脂やセラミック製の封止材などが使用されます。
多様な半導体材料の中でもチップ本体を形成するウェハは最も重要な材料であり、一般的に「半導体材料」はウェハを指す場合が多いです。
半導体材料 (ウェハ) には単一の元素から作られる半導体と2つ以上の元素を材料とする化合物半導体の2種類があり、それぞれの特徴に応じて半導体分野で使用されています。
単一元素半導体はシリコン (Si) とガリウム (Ga) が代表的で、とくにシリコンウェハが主流です。比較的安価で、大口径のウェハを製造しやすいため、低コスト品などの半導体製品に用いられます。
化合物半導体にはシリコンカーバイド (SiC) 、窒化ガリウム (GaN) 、ガリウム砒素 (GaAs) などがあります。化合物半導体は結晶内の電子の動きがシリコンよりも速く、受発光機能に優れているため、高周波デバイス、高速コンピュータ、LED、光通信機器などに利用可能です。
半導体材料 (ウェハ) の中でも最も多く使われているシリコンウェハは高純度のシリコンで作られた円形の薄い板です。
シリコンウェハの製造では、まずケイ素を精錬・精製して高純度化された多結晶シリコンを作り、それを原料として単結晶引上工程で単結晶インゴットを製造可能です。
単結晶引上工程では多結晶シリコンをホウ酸 (B) やリン (P) と一緒に石英ルツボの中で融解させ、融解シリコンの液面に種結晶シリコン棒をつけて回転させながら引き上げ、単結晶インゴットを作ります。このとき加える微量のホウ酸やリンが最終製品である半導体の電気特性に大きく影響します。
単結晶のインゴットは次のウェハ加工工程で薄くスライスしてウェハ状にした後、研磨してウェハ表面の凹凸をなくす鏡面加工を施します。研磨加工はポリッシュとも呼ばれ、この段階のウェハをポリッシュト・ウェハと呼びます。
ポリッシュト・ウェハはそのままでも半導体として使用可能です。半導体メーカーの要望に応じてさらに特殊加工を追加し、高温熱処理 (アニール処理) でウェハ表面の酸素を除去した微細化製品向けアニール・ウェハやウェハ表面にシリコン単結晶を気相成長 (エピタキシャル成長) させたエピタキシャル・ウェハなどが作られています。
半導体は機能の集積度で主に3種類に分けられます。代表例はディスクリート半導体、IC (集積回路) 、LSI (大規模集積回路) です。
単一の機能を持つ素子で、半導体の中で最も集積度が低いです。ディスクリート半導体の代表例はダイオードやトランジスタです。ダイオードは一方向に電流を流す機能を有し、トランジスタは電流を制御する機能を持っています。ディスクリート半導体は、自動車、パソコン、スマートフォンなどの身近な機器に数多く利用されています。
IC (英: Integrated Circuit) は複数の素子を集積させたものです。多数のトランジスタやダイオードを組み合わせて構成し、集積度によってSSI (英: Small Scale Integration) 、MSI (英: Middle Scale Integration) 、LSI (英: Large Scale Integration) に分類されています。
LSIはICの中の一種で、集積度が高いものです。ICとLSIを同じ意味で用いる場合も多いです。 LSIはダイオード、トランジスタ、受動素子を集積したもので、複雑な機能を有します。自動車、パソコン、スマートフォン、オーディオ、デジタルカメラを代表として、人々の生活を便利にする製品に幅広く使用されています。
参考文献
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/knowledge/e-learning/discrete/chap1/chap1-2.html
https://sei.co.jp/sc/com_semi/tokucyou.html
https://www.sumcosi.com/products/process/