全てのカテゴリ
閲覧履歴
バイポーラトランジスタについての概要、用途、原理などをご説明します。また、バイポーラトランジスタのメーカー21社一覧や企業ランキングも掲載しておりますので是非ご覧ください。バイポーラトランジスタ関連企業の2024年11月注目ランキングは1位:ローム株式会社、2位:ケーイーシージャパン株式会社、3位:イサハヤ電子株式会社となっています。
バイポーラトランジスタ (英: Bipolar Transistor) とは、3端子の半導体素子のことです。
接合型トランジスタとも言われ、N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持ちます。電界効果トランジスタ (英: Field Effect Transistor) が正孔もしくは自由電子のどちらかがキャリアとして動作するユニポーラトランジスタとは異なり、正孔と自由電子両方が動作に関与することからバイポーラトランジスタと呼ばれています。
バイポーラトランジスタの主な機能は、増幅とスイッチングの2つです。
微小な信号を充分大きなレベルにする増幅回路において、特に高い増幅率を求める場合には、ユニポーラトランジスタよりバイポーラトランジスタを使った方がより有利です。高い周波数での動作もバイポーラトランジスタの方が優れています。
例えば、高い周波数成分を含むスイッチングノイズを抑制する必要がある電源レギュレータ回路において、バイポーラトランジスタを採用した回路とFETによる回路とではノイズ除去比等の特性に顕著な差異が見られます。
IC化することが難しい少量生産品や高周波領域の増幅回路では未だバイポーラトランジスタも使われていますが、電流駆動であることから、電圧駆動のユニポーラトランジスタと比べると消費電力が大きくなります。電池駆動等低消費電流が求められる製品、ポータブル機器等には使いにくい面があります。
一方、スイッチング回路は電流のON/OFF制御を目的としますが、スイッチング速度および小型化の面でユニポーラトランジスタの方が優れているため、この用途での応用は少ないです。
半導体はP型とN型に分類することができます。P型半導体は電子が足りない状態である正孔で満たされており、N型半導体は電子が余剰で自由電子で満たされています。
トランジスタはP型とN型半導体を組み合わせたものですが、バイポーラトランジスタの場合、P型N型P型の3つの領域から成るものとN型P型N型の3つの領域から成るものがあります。
前者をPNPトランジスタ、後者をNPNトランジスタと言います。3つの領域は各々、エミッタ、ベース、コレクタであり、各々電極が接続されていてその電極を通して電圧を印加するとともに信号電流が流れます。また、ベースは極めて薄く作られていることが特徴です。
バイポーラトランジスタの動作原理を、N型半導体でP型半導体を挟んだ構造であるNPN型トランジスタを例にして説明します。
エミッタを基準電圧 (0V) に接続しコレクタをVCC (例えば+5V) に接続した状態で、ベースにプラスの電圧を加えてベース電流Ibをエミッタに流すと、β×Ibの電流Icがコレクタからエミッタに流れます。これがトランジスタによる増幅の原理であり、バイポーラトランジスタでは電流増幅が基本です。βは電流増幅率と呼ばれ、通常100~200程度の値になります。PNP型トランジスタでは、印加する電圧の向きや電流の方向が逆ですが、増幅の原理は同じです。
スイッチング動作では、ベース電流Ibに大きな電流を流すことで、コレクタに接続された負荷に十分な電流を流すことができます。また、ベース電流を0Aにすると負荷には電流が流れません。ベース電流Ibを流す/流さないことにより負荷に流れる電流をON/OFFする、スイッチング動作を実現します。
1993年以前は、JIS規格によって半導体部品の型名のつけ方が規定されていました。従って型名からトランジスタの用途がある程度判断することができます。バイポーラトランジスタでは頭から3文字は次の様に規定されていました。
実際の型名は、例えば2SA372Y などと上記3文字以降も数字とアルファベットが続きます。数字は11から始まる番号で、2~4桁から成りますが、登録順に振られたもので意味はありません。最後のアルファベットは増幅率のランク分けなどを意味します。
このJIS規格は1993年に廃止されましたが、その後を継いだ社団法人 電子情報技術産業協会の規格「個別半導体デバイスの型名」でも継続して採用されています。
参考文献
https://detail-infomation.com/bipolar-transistor/x
https://jeea.or.jp/course/contents/02106/
*一部商社などの取扱い企業なども含みます。
2024年11月の注目ランキングベスト10
注目ランキング導出方法順位 | 会社名 | クリックシェア |
---|---|---|
1 | ローム株式会社 |
12.3%
|
2 | ケーイーシージャパン株式会社 |
9.6%
|
3 | イサハヤ電子株式会社 |
8.2%
|
4 | 株式会社エルムテクノロジー |
8.2%
|
5 | Taiwan Semiconductor Japan Ltd. |
6.8%
|
6 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 |
6.8%
|
7 | PANJIT Japan Inc. |
6.8%
|
8 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
5.5%
|
9 | 加賀東芝エレクトロニクス株式会社 |
4.1%
|
10 | ミツミ電機株式会社 |
4.1%
|
注目ランキング導出方法について
注目ランキングは、2024年11月のバイポーラトランジスタページ内でのクリックシェアを基に算出しています。クリックシェアは、対象期間内の全企業の総クリック数を各企業のクリック数で割った値を指します。社員数の規模
設立年の新しい会社
歴史のある会社
50 点の製品中 2ページ目
50 点の製品中 2ページ目
イサハヤ電子株式会社
40人以上が見ています
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
2SA1944は、シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにhFEが高く設計、製造されていますので、オーディオ機器...
イサハヤ電子株式会社
20人以上が見ています
最新の閲覧: 13時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、ド...
イサハヤ電子株式会社
30人以上が見ています
最新の閲覧: 22時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=160V ・ペア...
イサハヤ電子株式会社
20人以上が見ています
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
2SA1945は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタでコレクタ電流が大きく、高耐圧に設計、製造されております。2SC5211とコンブリメンタリで使...
イサハヤ電子株式会社
10人以上が見ています
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、ド...
イサハヤ電子株式会社
40人以上が見ています
最新の閲覧: 5分前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
RT3C88Mは、NPNトランジスタを2素子内蔵した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、製品及び工数の大幅な削減が可能となりま...
イサハヤ電子株式会社
30人以上が見ています
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
2SA1946は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタでコレクタ電流が大きく、VCE (sat) が小さく設計、製造されております。2SC5212とコンプリメ...
イサハヤ電子株式会社
20人以上が見ています
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
RT1N137Pは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工...
ウルトエレクトロニクスジャパン株式会社
20人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
返信の比較的早い企業
100.0% 返答率
20.1時間 返答時間
■特徴 ・高絶縁電圧 ・内部隔離の安定性が良好 ・フル稼働で安定したCTR ・さまざまなリードフレームオプション ■アプリケーション ・プログラマブルロジッ...
イサハヤ電子株式会社
20人以上が見ています
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
2SA1363は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、特にコレクタ電流が大きく設計、製造されていますので、小形モ...
イサハヤ電子株式会社
20人以上が見ています
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
RT1N137Sは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工...
イサハヤ電子株式会社
30人以上が見ています
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
2SA1368は、樹脂封止形のシリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、高耐圧に設計、製造されておりますので、リレードライブ、電...
イサハヤ電子株式会社
20人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
1.2時間 返答時間
■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P140Xシリーズがあります。 ■用途 インバータ回...