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バイポーラトランジスタ メーカー24社

バイポーラトランジスタのメーカー24社一覧企業ランキングを掲載中!バイポーラトランジスタ関連企業の2025年8月注目ランキングは1位:イサハヤ電子株式会社、2位:東芝デバイス&ストレージ株式会社、3位:インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社となっています。 バイポーラトランジスタの概要、用途、原理もチェック!

24バイポーラトランジスタメーカー

バイポーラトランジスタ 2025年8月のメーカーランキング


項目別

使用用途

#電源回路

#インバータ

#モータ制御

#音響機器

#車載機器

#産業機器

極性構造

NPN型

PNP型

動作領域

中電力型

大電力型

VCEO V

-150 - -100

-100 - -50

-50 - -20

-20 - 0

0 - 50

50 - 100

100 - 200

200 - 600

600 - 700

IC A

-2 - -1

-1 - 0

0 - 1

1 - 10

10 - 20

hFE

0 - 100

100 - 200

200 - 400

400 - 800

P mW

100 - 200

200 - 500

500 - 600

600 - 700

58 点の製品中 2ページ目

58 点の製品中 2ページ目

イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N137P

290人以上が見ています

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RT1N137Pは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセット...


イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136U-T150

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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、イン...


イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N137S

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RT1N137Sは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセット...


イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N140Xシリーズ

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■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P140Xシリーズがあります。...


イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N140M-T150

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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、インターフ...


イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N141Xシリーズ

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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P141Xシリーズがあ...


イサハヤ電子株式会社

複合PNPトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2A00AM1

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RT2A00AM1は、PNPトランジスタ ISA1235AC1を2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部...


イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N141C-T150

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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、イ...


イサハヤ電子株式会社

複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M

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RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及...


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複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M-T150

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RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及...


イサハヤ電子株式会社

シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M

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RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...


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シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M-T150

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RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...


イサハヤ電子株式会社

複合PNPトランジスタ 独立2素子内蔵 RT3AMMAM1

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RT3AMMAM1は、PNPトランジスタ ISA1235Aを2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品...


イサハヤ電子株式会社

複合PNPトランジスタ 独立2素子内蔵 RT3AMMAM1-T150

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RT3AMMAM1は、PNPトランジスタ ISA1235Aを2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品...


イサハヤ電子株式会社

シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 差動増幅用 RT3C66M

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RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...


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シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 差動増幅用 RT3C66M-T150

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RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...


イサハヤ電子株式会社

シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 高電圧スイッチ用 RT3C88M

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RT3C88Mは、NPNトランジスタを2素子内蔵した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、製品及び工数の大幅...


敬誠株式会社

RFトランジスタ 高利得低雑音

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7.3時間 返答時間


敬誠株式会社

トランジスタ 抵抗内蔵トランジスタ

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共立電子産業株式会社

電子部品・半導体・ケース 半導体 トランジスタ/FET トランジスタ NPN型バイポーラトランジスタ

100.0% 返答率

48.4時間 返答時間

■概要 電力増幅用、電力スイッチング用トランジスタ。TTA008Bとコンプリメンタリです。


価格 (税抜)

1,000

価格 (税抜)

2,200

価格 (税抜)

2,200

検索結果 58件 (2ページ/2ページ)

バイポーラトランジスタの価格・相場

平均価格

1,800

最低価格

1,000

最高価格

2,200

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