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バイポーラトランジスタのメーカー24社一覧や企業ランキングを掲載中!バイポーラトランジスタ関連企業の2025年8月注目ランキングは1位:イサハヤ電子株式会社、2位:東芝デバイス&ストレージ株式会社、3位:インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社となっています。 バイポーラトランジスタの概要、用途、原理もチェック!
バイポーラトランジスタ (英: Bipolar Transistor) とは、3端子の半導体素子のことです。
接合型トランジスタとも言われ、N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持ちます。電界効果トランジスタ (英: Field Effect Transistor) が正孔もしくは自由電子のどちらかがキャリアとして動作するユニポーラトランジスタとは異なり、正孔と自由電子両方が動作に関与することからバイポーラトランジスタと呼ばれています。
2025年8月の注目ランキングベスト10
順位 | 会社名 | クリックシェア |
---|---|---|
1 | イサハヤ電子株式会社 |
10.5%
|
2 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 |
10.5%
|
3 | インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社 |
10.5%
|
4 | 東和電子株式会社 |
10.5%
|
5 | サンシン電気株式会社 |
10.5%
|
6 | 株式会社KEC |
5.3%
|
7 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
5.3%
|
8 | 株式会社エルムテクノロジー |
5.3%
|
9 | 株式会社タイワン・セミコンダクター |
5.3%
|
10 | 加賀東芝エレクトロニクス株式会社 |
5.3%
|
イサハヤ電子株式会社
520人以上が見ています
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返信のとても早い企業
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■概要 2SA1363は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、特にコレクタ電流が大きく設計、製...
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
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IGBTディスクリート、プレスパック、パワーモジュール、そして様々な電圧/電流クラスのスタックソリューションまで多種多様なデバイス...
4種類の品番
東和電子株式会社
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多彩な超小型面実装タイプの小信号トランジスターから、リードタイプパッケージ搭載のパワートランジスターまで、低飽和タイプ・大電流...
イサハヤ電子株式会社
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2SA1363は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、特にコレクタ電流が大きく設計、製造され...
敬誠株式会社
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■特徴 ・ミドルパワードライバに最適 ・VCE (sat) が低い ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠 ・用途:...
フルタカ電気株式会社
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■特長 ・ローム (ROHM) PNP,SOT-346,-50V -150mA,一般増幅用トランジスタの、2SA1037AKT146です。※パッケージ SMT3:3,000pcs/テーピング...
イサハヤ電子株式会社
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2SA1364は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにコレクタ損失が大きく...
イサハヤ電子株式会社
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2SA1365は、超小形外形樹脂封止形シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタでコレクタ 電流が大きく VCE (sat) が小さく設計・製造され...
敬誠株式会社
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■特徴 ・超小型複合バイポーラトランジスタ ・パワーマネージメント用 ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準...
フルタカ電気株式会社
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■特長 ・ローム (ROHM) NPN,SOT-323,R1=R2デジタルトランジスタ (バイアス抵抗内蔵トランジスタ) の、DTC114EUAT106です。※パッケージ U...
イサハヤ電子株式会社
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2SA1366は、超小形外形樹脂封止形シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタでコレクタ 電流が大きく高耐圧に設計・製造されております。...
イサハヤ電子株式会社
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2SA1368は、樹脂封止形のシリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、高耐圧に設計、製造されておりますので...
イサハヤ電子株式会社
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2SA1369は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタで、コレクタ損失およびコレクタ電流が大きく、さらにhFEが高く、設計、...
イサハヤ電子株式会社
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2SA1369は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタで、コレクタ損失およびコレクタ電流が大きく、さらにhFEが高く、設計、...
イサハヤ電子株式会社
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2SA1944は、シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにhFEが高く設計、製造されています...
株式会社三社電機製作所
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4.5 会社レビュー
100.0% 返答率
17.1時間 返答時間
■特長 MOSFETを高耐圧化するためにはドリフト層を厚くする必要があり、オン抵抗が高くなるという弱点があります。IGBTは裏面側P層からホ...
2種類の品番
イサハヤ電子株式会社
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3.8時間 返答時間
2SA1945は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタでコレクタ電流が大きく、高耐圧に設計、製造されております。2SC5211と...
イサハヤ電子株式会社
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3.8時間 返答時間
2SA1946は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタでコレクタ電流が大きく、VCE (sat) が小さく設計、製造されております...
株式会社タイワン・セミコンダクター
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18.4時間 返答時間
ウルトエレクトロニクスジャパン株式会社
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8.2時間 返答時間
■特徴 ・高絶縁電圧 ・内部隔離の安定性が良好 ・フル稼働で安定したCTR ・さまざまなリードフレームオプション ■アプリケーション ・...
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
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19.2時間 返答時間
■インフィニオンの車載および産業用アプリケーション向けのローサイドおよびハイサイドスマートパワースイッチの包括的かつ革新的なポー...
2種類の品番
株式会社タイワン・セミコンダクター
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敬誠株式会社
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7.3時間 返答時間
■特徴 ・バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。 (内部回路図参照) ・バイアス用...
フルタカ電気株式会社
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100.0% 返答率
122.6時間 返答時間
■特長 東芝TOSHIBA トランジスタバイポーラ2SA1162-GR,LF (B
敬誠株式会社
530人以上が見ています
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100.0% 返答率
7.3時間 返答時間
■特徴 ・超小型複合デジタルトランジスタ ・分圧型 ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
フルタカ電気株式会社
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100.0% 返答率
122.6時間 返答時間
■特長 TOSHIBA/東芝 半導体デバイス、IC 高速スイッチング用バイポーラパワートランジスタ2SA1213-Y (TE12L,ZC リール品での販売となり...
敬誠株式会社
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■特徴 ・特長:低飽和電圧 ・回路数:2 ・ダイオード内蔵:あり ・RoHS Compatible Product (s) 適合品あり
イサハヤ電子株式会社
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■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1.0kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P130Xシリーズがあります...
イサハヤ電子株式会社
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100.0% 返答率
3.8時間 返答時間
■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P136Xシリーズがあ...
イサハヤ電子株式会社
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100.0% 返答率
3.8時間 返答時間
■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、イン...
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