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バイポーラトランジスタのメーカー23社一覧や企業ランキングを掲載中！バイポーラトランジスタ関連企業の2025年7月注目ランキングは1位:ルネサスエレクトロニクス株式会社、2位:ローム株式会社、3位:株式会社タイワン・セミコンダクターとなっています。 バイポーラトランジスタの概要、用途、原理もチェック！
バイポーラトランジスタ (英: Bipolar Transistor) とは、3端子の半導体素子のことです。
接合型トランジスタとも言われ、N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持ちます。電界効果トランジスタ (英: Field Effect Transistor) が正孔もしくは自由電子のどちらかがキャリアとして動作するユニポーラトランジスタとは異なり、正孔と自由電子両方が動作に関与することからバイポーラトランジスタと呼ばれています。
2025年7月の注目ランキングベスト10
| 順位 | 会社名 | クリックシェア |
|---|---|---|
| 1 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
15.0%
|
| 2 | ローム株式会社 |
15.0%
|
| 3 | 株式会社タイワン・セミコンダクター |
10.0%
|
| 4 | サンシン電気株式会社 |
10.0%
|
| 5 | 株式会社東芝 |
10.0%
|
| 6 | ケーイーシージャパン株式会社 |
10.0%
|
| 7 | 東和電子株式会社 |
5.0%
|
| 8 | PANJIT Japan Inc. |
5.0%
|
| 9 | Diotec Semiconductor AG |
5.0%
|
| 10 | イサハヤ電子株式会社 |
5.0%
|
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17 点の製品
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■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1.0kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P130Xシリーズがあります...
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■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P136Xシリーズがあ...
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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、イン...
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RT1N137Pは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセット...
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RT1N137Sは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセット...
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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、イ...
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RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及...
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RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及...
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RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...
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RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...
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RT3C88Mは、NPNトランジスタを2素子内蔵した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、製品及び工数の大幅...
フルタカ電気株式会社
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■特長 ・ローム (ROHM) NPN,SOT-323,R1=R2デジタルトランジスタ (バイアス抵抗内蔵トランジスタ) の、DTC114EUAT106です。※パッケージ U...
バイポーラトランジスタ (英: Bipolar Transistor) とは、3端子の半導体素子のことです。
接合型トランジスタとも言われ、N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持ちます。電界効果トランジスタ (英: Field Effect Transistor) が正孔もしくは自由電子のどちらかがキャリアとして動作するユニポーラトランジスタとは異なり、正孔と自由電子両方が動作に関与することからバイポーラトランジスタと呼ばれています。
バイポーラトランジスタの主な機能は、増幅とスイッチングの2つです。
微小な信号を充分大きなレベルにする増幅回路において、特に高い増幅率を求める場合には、ユニポーラトランジスタよりバイポーラトランジスタを使った方がより有利です。高い周波数での動作もバイポーラトランジスタの方が優れています。
例えば、高い周波数成分を含むスイッチングノイズを抑制する必要がある電源レギュレータ回路において、バイポーラトランジスタを採用した回路とFETによる回路とではノイズ除去比等の特性に顕著な差異が見られます。
IC化することが難しい少量生産品や高周波領域の増幅回路では未だバイポーラトランジスタも使われていますが、電流駆動であることから、電圧駆動のユニポーラトランジスタと比べると消費電力が大きくなります。電池駆動等低消費電流が求められる製品、ポータブル機器等には使いにくい面があります。
一方、スイッチング回路は電流のON/OFF制御を目的としますが、スイッチング速度および小型化の面でユニポーラトランジスタの方が優れているため、この用途での応用は少ないです。
半導体はP型とN型に分類することができます。P型半導体は電子が足りない状態である正孔で満たされており、N型半導体は電子が余剰で自由電子で満たされています。
トランジスタはP型とN型半導体を組み合わせたものですが、バイポーラトランジスタの場合、P型N型P型の3つの領域から成るものとN型P型N型の3つの領域から成るものがあります。
前者をPNPトランジスタ、後者をNPNトランジスタと言います。3つの領域は各々、エミッタ、ベース、コレクタであり、各々電極が接続されていてその電極を通して電圧を印加するとともに信号電流が流れます。また、ベースは極めて薄く作られていることが特徴です。
バイポーラトランジスタの動作原理を、N型半導体でP型半導体を挟んだ構造であるNPN型トランジスタを例にして説明します。
エミッタを基準電圧 (0V) に接続しコレクタをVCC (例えば+5V) に接続した状態で、ベースにプラスの電圧を加えてベース電流Ibをエミッタに流すと、β×Ibの電流Icがコレクタからエミッタに流れます。これがトランジスタによる増幅の原理であり、バイポーラトランジスタでは電流増幅が基本です。βは電流増幅率と呼ばれ、通常100~200程度の値になります。PNP型トランジスタでは、印加する電圧の向きや電流の方向が逆ですが、増幅の原理は同じです。
スイッチング動作では、ベース電流Ibに大きな電流を流すことで、コレクタに接続された負荷に十分な電流を流すことができます。また、ベース電流を0Aにすると負荷には電流が流れません。ベース電流Ibを流す/流さないことにより負荷に流れる電流をON/OFFする、スイッチング動作を実現します。
1993年以前は、JIS規格によって半導体部品の型名のつけ方が規定されていました。従って型名からトランジスタの用途がある程度判断することができます。バイポーラトランジスタでは頭から3文字は次の様に規定されていました。
実際の型名は、例えば2SA372Y などと上記3文字以降も数字とアルファベットが続きます。数字は11から始まる番号で、2~4桁から成りますが、登録順に振られたもので意味はありません。最後のアルファベットは増幅率のランク分けなどを意味します。
このJIS規格は1993年に廃止されましたが、その後を継いだ社団法人 電子情報技術産業協会の規格「個別半導体デバイスの型名」でも継続して採用されています。
参考文献
https://detail-infomation.com/bipolar-transistor/x
https://jeea.or.jp/course/contents/02106/
