制御・計測・センシング
駆動・機械要素・電子制御部品
産業別カテゴリ
電源・エネルギー・熱処理機器
安全・保護・環境対策
材料・素材・ケミカル
電気・電子部品
構造部品・締結要素
ソフトウェア・ネットワーク
サービス
その他
全てのカテゴリ
閲覧履歴
バイポーラトランジスタのメーカー23社一覧や企業ランキングを掲載中！バイポーラトランジスタ関連企業の2025年8月注目ランキングは1位:イサハヤ電子株式会社、2位:東芝デバイス&ストレージ株式会社、3位:インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社となっています。 バイポーラトランジスタの概要、用途、原理もチェック！
バイポーラトランジスタ (英: Bipolar Transistor) とは、3端子の半導体素子のことです。
接合型トランジスタとも言われ、N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持ちます。電界効果トランジスタ (英: Field Effect Transistor) が正孔もしくは自由電子のどちらかがキャリアとして動作するユニポーラトランジスタとは異なり、正孔と自由電子両方が動作に関与することからバイポーラトランジスタと呼ばれています。
2025年8月の注目ランキングベスト10
| 順位 | 会社名 | クリックシェア |
|---|---|---|
| 1 | イサハヤ電子株式会社 |
10.5%
|
| 2 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 |
10.5%
|
| 3 | インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社 |
10.5%
|
| 4 | 東和電子株式会社 |
10.5%
|
| 5 | サンシン電気株式会社 |
10.5%
|
| 6 | 株式会社タイワン・セミコンダクター |
5.3%
|
| 7 | 株式会社KEC |
5.3%
|
| 8 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
5.3%
|
| 9 | 株式会社エルムテクノロジー |
5.3%
|
| 10 | 加賀東芝エレクトロニクス株式会社 |
5.3%
|
3 点の製品がみつかりました
3 点の製品
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
1100人以上が見ています
最新の閲覧: 17時間前
返信の比較的早い企業
4.0 会社レビュー
100.0% 返答率
19.2時間 返答時間
IGBTディスクリート、プレスパック、パワーモジュール、そして様々な電圧／電流クラスのスタックソリューションまで多種多様なデバイス...
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
550人以上が見ています
最新の閲覧: 8時間前
返信の比較的早い企業
4.0 会社レビュー
100.0% 返答率
19.2時間 返答時間
■インフィニオンの車載および産業用アプリケーション向けのローサイドおよびハイサイドスマートパワースイッチの包括的かつ革新的なポー...
イサハヤ電子株式会社
420人以上が見ています
最新の閲覧: 1時間前
返信のとても早い企業
5.0 会社レビュー
100.0% 返答率
2.6時間 返答時間
2SA1364は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにコレクタ損失が大きく...
バイポーラトランジスタ (英: Bipolar Transistor) とは、3端子の半導体素子のことです。
接合型トランジスタとも言われ、N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持ちます。電界効果トランジスタ (英: Field Effect Transistor) が正孔もしくは自由電子のどちらかがキャリアとして動作するユニポーラトランジスタとは異なり、正孔と自由電子両方が動作に関与することからバイポーラトランジスタと呼ばれています。
バイポーラトランジスタの主な機能は、増幅とスイッチングの2つです。
微小な信号を充分大きなレベルにする増幅回路において、特に高い増幅率を求める場合には、ユニポーラトランジスタよりバイポーラトランジスタを使った方がより有利です。高い周波数での動作もバイポーラトランジスタの方が優れています。
例えば、高い周波数成分を含むスイッチングノイズを抑制する必要がある電源レギュレータ回路において、バイポーラトランジスタを採用した回路とFETによる回路とではノイズ除去比等の特性に顕著な差異が見られます。
IC化することが難しい少量生産品や高周波領域の増幅回路では未だバイポーラトランジスタも使われていますが、電流駆動であることから、電圧駆動のユニポーラトランジスタと比べると消費電力が大きくなります。電池駆動等低消費電流が求められる製品、ポータブル機器等には使いにくい面があります。
一方、スイッチング回路は電流のON/OFF制御を目的としますが、スイッチング速度および小型化の面でユニポーラトランジスタの方が優れているため、この用途での応用は少ないです。
半導体はP型とN型に分類することができます。P型半導体は電子が足りない状態である正孔で満たされており、N型半導体は電子が余剰で自由電子で満たされています。
トランジスタはP型とN型半導体を組み合わせたものですが、バイポーラトランジスタの場合、P型N型P型の3つの領域から成るものとN型P型N型の3つの領域から成るものがあります。
前者をPNPトランジスタ、後者をNPNトランジスタと言います。3つの領域は各々、エミッタ、ベース、コレクタであり、各々電極が接続されていてその電極を通して電圧を印加するとともに信号電流が流れます。また、ベースは極めて薄く作られていることが特徴です。
バイポーラトランジスタの動作原理を、N型半導体でP型半導体を挟んだ構造であるNPN型トランジスタを例にして説明します。
エミッタを基準電圧 (0V) に接続しコレクタをVCC (例えば+5V) に接続した状態で、ベースにプラスの電圧を加えてベース電流Ibをエミッタに流すと、β×Ibの電流Icがコレクタからエミッタに流れます。これがトランジスタによる増幅の原理であり、バイポーラトランジスタでは電流増幅が基本です。βは電流増幅率と呼ばれ、通常100~200程度の値になります。PNP型トランジスタでは、印加する電圧の向きや電流の方向が逆ですが、増幅の原理は同じです。
スイッチング動作では、ベース電流Ibに大きな電流を流すことで、コレクタに接続された負荷に十分な電流を流すことができます。また、ベース電流を0Aにすると負荷には電流が流れません。ベース電流Ibを流す/流さないことにより負荷に流れる電流をON/OFFする、スイッチング動作を実現します。
1993年以前は、JIS規格によって半導体部品の型名のつけ方が規定されていました。従って型名からトランジスタの用途がある程度判断することができます。バイポーラトランジスタでは頭から3文字は次の様に規定されていました。
実際の型名は、例えば2SA372Y などと上記3文字以降も数字とアルファベットが続きます。数字は11から始まる番号で、2~4桁から成りますが、登録順に振られたもので意味はありません。最後のアルファベットは増幅率のランク分けなどを意味します。
このJIS規格は1993年に廃止されましたが、その後を継いだ社団法人 電子情報技術産業協会の規格「個別半導体デバイスの型名」でも継続して採用されています。
参考文献
https://detail-infomation.com/bipolar-transistor/x
https://jeea.or.jp/course/contents/02106/
