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スパッタリング装置 RFS-201-RFS-201
スパッタリング装置 RFS-201-三弘エマテック株式会社

スパッタリング装置 RFS-201
三弘エマテック株式会社

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この製品について

製品説明 小型の高周波スパッタリング装置で省スペースで使用可能です。金属、半導体、絶縁物の成膜が可能で、研究開発等の実験用に最適です。RF電源も搭載しております。

■特徴

・Φ80mm×1基のカソードで、単層成膜を行うことができます ・コンベンショナルスパッタで、スパッタ速度20nm/min (SiO2) を実現可能です ・メインポンプは油拡散ポンプを使用しています ・絶縁物・金属・半導体材料の小型の高周波スパッタリング装置です ・絶縁物・金属・半導体材料の小型の高周波スパッタリング装置です ・小型の為、省スペースで使用可能です

  • シリーズ

    スパッタリング装置 RFS-201

企業レビュー 5.0

Metoree経由で見積もり

2024年9月9日にレビュー済み

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スパッタリング装置 RFS-201 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) メーカー 到達圧力 (Pa) 絶対圧表記 到達圧力 (kPa) ゲージ圧表記 排気時間 真空層 カソード 基板推奨サイズ 有効成膜範囲 成膜速度 (mm) 膜厚分布 基板加熱温度 基板/電極間距離 メインポンプ 液体窒素トラップ 補助ポンプ オイルミストトラップ メインバルブ 補助バルブ 自動リークバルブ 操作 RF電源 ピラニ真空計 電離真空計 最大寸法 (mm) 質量 (kg)
スパッタリング装置 RFS-201-品番-RFS-201

RFS-201

要見積もり

アルバック機工 (株)

6.6×10-4

-101.3

6.6×10-3Pa/5min

金属チャンバー (200mm (W) ×250mm (D) ×150mm (H) )

φ80mm、1元

φ80mm×t1-5mm

50mm

SiO2 成膜にて、20nm/min以上

SiO2 成膜にて、50mm領域±8%以内

Max 350℃

30~50mm (可変)

油拡散ポンプ (水冷) 150L/sec

オプション

油回転真空ポンプ 100L/min

OMT-100A

クラッパーバルブ

三方向バルブ

オプション

手動

Max 300W (0~300W可変)

G-TRAN

オプション

764 (W) × 723 (L) × 1,648 (H)

260

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この商品の取り扱い会社情報

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返答時間

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企業レビュー

5.0

会社概要

三弘エマテック株式会社は、1975年に設立された、真空機器、装置等の販売を行う企業です。 「真空技術」を軸とした、ポンプや分析機器、理化学機械を取り扱います。取り扱うメーカーは200社以上あり、顧客のニーズに合わせた製...

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  • 本社所在地: 愛知県
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