トランジスタ

158 点の製品中 2ページ目

東和電子株式会社

セミコンダクター IGBT

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) は、MOSFETの様にゲート・エミッター間電圧を制御することで、コレクター・エミッター間をON/OFFできるスイッチン...

2種類の品番

アルワン電子株式会社

照度センサ用フォトIC 可視光受光センサ

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LDR (CDS) の代替として開発された可視光受光センサです。可視光領域に感度を持ち、0～6,000Luxの照度に対して優れた直線性の出力が得られ、照明機器などに幅...

2種類の品番

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタバイポーラトランジスタ 2SA1363

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■概要 2SA1363は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、特にコレクタ電流が大きく設計、製造されていますので、...

株式会社オプトテクノ

シリコンフォトトランジスタ

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■高度な拡散技術により、高性能を誇ります。・暗電流が小さい。・高感度・高品位な素子。・フォトトランジスタはhFEがMAX2000位まで対応可能。 ■主な用途...

コーデンシ株式会社

透過型センサ (透過型フォトインタラプタ)

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■フォトインタラプタフォトインタラプタとは、光を発する発光部と光を受光する受光部で構成され、遮蔽物による光路の遮断または反射により生じる光強度の変...

70種類の品番

コーデンシ株式会社

反射型センサ (反射型フォトインタラプタ)

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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1)

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2011年よりリリースされた高いアバランシェ耐量をもつGEN1シリーズ。汎用品、工業、医療用などの電源に最適です。 1960年代からシリコンは半導体デバイスの...

70種類の品番

株式会社三社電機製作所

ディスクリート / SiC MOSFET

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■パワー半導体とは三社電機グループが開発・製造している半導体は、よく知られているメモリーやマイコンなどの集積回路半導体ではなく、大きな電流や電圧の...

8種類の品番

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

IGBT7 モジュール

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1200V TRENCHSTOP™ IGBT7：高出力密度および最適化されたスイッチング。950 V/1200V TRENCHSTOP™ IGBT7およびEC7ダイオード技術は、電力損失を大幅に削減し、...

3種類の品番

敬誠株式会社