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トランジスタに含まれる5カテゴリ一覧です。フォトトランジスタ・トランジスタアレイ・パワートランジスタなど幅広く、製品・メーカー・代理店を探すことができます。
166 点の製品中 4ページ目
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イサハヤ電子株式会社
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INJ0011AC1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
3種類の品番
ウルトエレクトロニクスジャパン株式会社
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■特徴 ・高い絶縁電圧 ・内部隔離の安定性が良好 ・フル稼働で安定したCTR ・さまざまなCTRビニングが利用可能 ・高いコレクタ・エミッタ電圧 ・高速な切り替...
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イサハヤ電子株式会社
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RT3AMMAM1は、PNPトランジスタ ISA1235Aを2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減...
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イサハヤ電子株式会社
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2SA1946は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタでコレクタ電流が大きく、VCE (sat) が小さく設計、製造されております。2SC5212とコンプリメ...
イサハヤ電子株式会社
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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、...
イサハヤ電子株式会社
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INJ0011AM1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
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RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=160V ・ペア...
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イサハヤ電子株式会社
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2SA1363は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、特にコレクタ電流が大きく設計、製造されていますので、小形モ...
ウルトエレクトロニクスジャパン株式会社
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■特徴 ・高絶縁電圧 ・内部隔離の安定性が良好 ・フル稼働で安定したCTR ・さまざまなリードフレームオプション ■アプリケーション ・プログラマブルロジッ...
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イサハヤ電子株式会社
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INJ0043AM1は、超小形外形樹脂封止形シリコン P チャンネルMOS形トランジスタです。駆動電圧が低く設計されておりますので、ポータブル機器や携帯機器等の低...
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アルワン電子株式会社
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φ3mmの超小型タイプのフォトダイオードやフォトトランジスタで、設計上、受光素子の部分に多くのスペースを設けられない場合に大変有効です。
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コーデンシ株式会社
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受光素子は、光電効果によって光を電気信号に変換する素子のことです。コーデンシでは、半導体のPN接合またはPIN接合を使用したフォトダイオードや、トランジ...
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イサハヤ電子株式会社
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RT3C88Mは、NPNトランジスタを2素子内蔵した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、製品及び工数の大幅な削減が可能となりま...
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2SA1368は、樹脂封止形のシリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、高耐圧に設計、製造されておりますので、リレードライブ、電...
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INJ0103AC1は、超小型樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等の低...
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