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トランジスタ

トランジスタに含まれる5カテゴリ一覧です。フォトトランジスタ・トランジスタアレイ・パワートランジスタなど幅広く、製品・メーカー・代理店を探すことができます。

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148 点の製品中 4ページ目

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イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 大電流ドライブ用 シリコンPNPエピタキシャル形 (ミニタイプ) 2SA1365

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最新の閲覧: 2時間前

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2SA1365は、超小形外形樹脂封止形シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタでコレクタ 電流が大きく VCE (sat) が小さく設計・製造されております。 2SC3440...

イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136U-T150

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最新の閲覧: 14時間前

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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、ド...

イサハヤ電子株式会社

MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0011AXシリーズ

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INJ0011AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。 低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...

3種類の品番

MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0011AXシリーズ
MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0011AXシリーズ
MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0011AXシリーズ

アルワン電子株式会社

受光素子 φ3セラミックフォトダイオード、フォトトランジスタ

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最新の閲覧: 1日前

φ3mmの超小型タイプのフォトダイオードやフォトトランジスタで、設計上、受光素子の部分に多くのスペースを設けられない場合に大変有効です。

6種類の品番

受光素子 φ3セラミックフォトダイオード、フォトトランジスタ
受光素子 φ3セラミックフォトダイオード、フォトトランジスタ
受光素子 φ3セラミックフォトダイオード、フォトトランジスタ
受光素子 φ3セラミックフォトダイオード、フォトトランジスタ
受光素子 φ3セラミックフォトダイオード、フォトトランジスタ
受光素子 φ3セラミックフォトダイオード、フォトトランジスタ

コーデンシ株式会社

受光素子

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最新の閲覧: 28分前

受光素子は、光電効果によって光を電気信号に変換する素子のことです。コーデンシでは、半導体のPN接合またはPIN接合を使用したフォトダイオードや、トランジ...

60種類の品番

受光素子
受光素子
受光素子
受光素子
受光素子
受光素子

イサハヤ電子株式会社

複合PNPトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2A00AM1

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RT2A00AM1は、PNPトランジスタ ISA1235AC1を2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削...

2種類の品番

複合PNPトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2A00AM1
複合PNPトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2A00AM1

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 小形モータ、プランジャドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1369-TH51

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最新の閲覧: 1時間前

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2SA1369は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタで、コレクタ損失およびコレクタ電流が大きく、さらにhFEが高く、設計、製造されていますので...

イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N137P

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RT1N137Pは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工...

イサハヤ電子株式会社

MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0011AC1-T150

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INJ0011AC1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...

3種類の品番

MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0011AC1-T150
MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0011AC1-T150
MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0011AC1-T150

アルワン電子株式会社

受光素子 照度センサ用フォトIC (可視光受光センサ)

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最新の閲覧: 25分前

LDR (CDS) の代替として開発された可視光受光センサです。可視光領域に感度を持ち、0~6,000Luxの照度に対して優れた直線性の出力が得られ、照明機器などに幅...

4種類の品番

受光素子 照度センサ用フォトIC (可視光受光センサ)
受光素子 照度センサ用フォトIC (可視光受光センサ)
受光素子 照度センサ用フォトIC (可視光受光センサ)
受光素子 照度センサ用フォトIC (可視光受光センサ)

イサハヤ電子株式会社

複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M

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RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減が...

2種類の品番

複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M
複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M

イサハヤ電子株式会社

シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M

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RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=-150V ・ペ...

2種類の品番

シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M
シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ リレードライブ、電源用 シリコンPNPエビタキシァル形 2SA1944

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2SA1944は、シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにhFEが高く設計、製造されていますので、オーディオ機器...

イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N137S

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RT1N137Sは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工...

イサハヤ電子株式会社

MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0011AM1-TH50

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INJ0011AM1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...

3種類の品番

MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0011AM1-TH50
MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0011AM1-TH50
MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0011AM1-TH50

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