トランジスタ

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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

スーパージャンクションMOSFET Gen2 (Superjunction MOSFET Gen2)

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2023年より順次展開されておりますGEN2シリーズ。GEN1と比較し、よりQgやRdsonが低くなるように工夫されており、小型化されたパッケージへの応用に向いていま...

60種類の品番

トレックス・セミコンダクター株式会社

パワーMOSFET XP151A11B0MR シリーズ

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■20V 1A N-ch パワーMOSFET XP151A11B0MRは、低オン抵抗、超高速スイッチング特性を実現したNチャネルパワーMOS FET です。スイッチング速度の高速化ができ、...

5種類の品番

株式会社タイワン・セミコンダクター

自動車用 MOSFETs

自動車・輸送用機器業界用

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6種類の品番

ウルトエレクトロニクスジャパン株式会社

赤外線フォトトランジスタチップ上面図 SMTフォトトランジスタチップウォータークリア WL-STCW

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■特徴・小型標準パッケージサイズ・IRおよび可視光線エミッターに完璧にマッチ・高い信頼性・高感度 ■アプリケーション・セキュリティシステム・カウ...

イサハヤ電子株式会社

シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ差動増幅用 RT3C66M

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RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長・耐圧が高い VCEO=160V ・ペア...

2種類の品番

イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタスイッチング用シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N136Xシリーズ

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■特徴・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能・コンプリメンタリとしてRT1P136Xシリーズがあります。 ■用途イン...

イサハヤ電子株式会社

MOS形電界効果トランジスタ高速スイッチング用シリコンPチャンネルMOS形 INJ0002AXシリーズ

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INJ0002AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等の...

3種類の品番

ウルトエレクトロニクスジャパン株式会社

オプトカプラフォトカプラフォトトランジスタ WL-OCPT DIP-4

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■特徴・高い絶縁電圧・内部隔離の安定性が良好・フル稼働で安定したCTR ・さまざまなCTRビニングが利用可能・高いコレクタ・エミッタ電圧・高速な切り替...

5種類の品番

イサハヤ電子株式会社

シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ高電圧スイッチ用 RT3C88M

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RT3C88Mは、NPNトランジスタを2素子内蔵した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、製品及び工数の大幅な削減が可能となりま...

2種類の品番

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ低周波電力増幅用シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1364

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2SA1364は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにコレクタ損失が大きく、設計、製造されてお...

イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタスイッチング用シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136M-T150

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■特長・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、ド...

イサハヤ電子株式会社

MOS形電界効果トランジスタ高速スイッチング用シリコンPチャンネルMOS形 INJ0003AXシリーズ

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INJ0003AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...

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イサハヤ電子株式会社

IGBTゲートプリドライバ高機能複合トランジスタ RT8H255C

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RT8H255Cは、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、抵抗により構成された複合トランジスタです。このトランジスタのご使用により、セットの小型化、部品及び工...

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イサハヤ電子株式会社

シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ差動増幅用 RT3C66M-T150

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株式会社タイワン・セミコンダクター

N-Channel MOSFETs

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