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ハンドル 厚さ
200-1,100μm
ハンドル厚さ 公差範囲
±5μm
ハンドル層 重ね厚さ 範囲
280-1,150μm
ハンドル層 ドーパント タイプ
N or P
ハンドル層 ドーピング
N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron
ハンドル層 抵抗率
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm
ハンドル層 シリコン成長方法
CZ、MCZ or FZ
ハンドル層 結晶方位
100、111 or 110
ハンドル層 裏面処理
ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる
埋め込み酸化膜 熱酸化膜 埋め込み酸化膜
0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両ウエハーによる
デバイス層膜厚
≥1.5μm
デバイス 厚さ 公差範囲
±0.5 μm
デバイス層 ドーパントタイプ
N or P
デバイス層 ドーピング
N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron
デバイス層 低効率
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm
デバイス層 シリコン成長方法
CZ、MCZ or FZ
デバイス層 結晶方位
100、111 or 110
デバイス層 埋め込み層のインプラ
N type または P type
デバイス層 薄膜 厚さ/SOI 厚さ
>2μm
デバイス層 キャビティーSPAN (幅) :薄膜 (デバイス) 厚みの比
<50:1 μm (デザインによる)
デバイス層 最小 ボンディングサイズ特徴
20μm
デバイス層 キャビティーの深さ
1-30μm@ +/-10%、31-300μm @+/-20%
デバイス層 キャビティー作成箇所
ハンドル, デバイスもしくは埋め込み層
型番
CSOI Wafer ウエハー直径 150mmシリーズ
CSOI Waferカテゴリ
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | ハンドル 厚さ | ハンドル厚さ 公差範囲 | ハンドル層 重ね厚さ 範囲 | ハンドル層 ドーパント タイプ | ハンドル層 ドーピング | ハンドル層 抵抗率 | ハンドル層 シリコン成長方法 | ハンドル層 結晶方位 | ハンドル層 裏面処理 | 埋め込み酸化膜 熱酸化膜 埋め込み酸化膜 | デバイス層膜厚 | デバイス 厚さ 公差範囲 | デバイス層 ドーパントタイプ | デバイス層 ドーピング | デバイス層 低効率 | デバイス層 シリコン成長方法 | デバイス層 結晶方位 | デバイス層 埋め込み層のインプラ | デバイス層 薄膜 厚さ/SOI 厚さ | デバイス層 キャビティーSPAN (幅) :薄膜 (デバイス) 厚みの比 | デバイス層 最小 ボンディングサイズ特徴 | デバイス層 キャビティーの深さ | デバイス層 キャビティー作成箇所 |
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要見積もり | 200-1,100μm | ±5μm | 280-1,150μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる | 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両ウエハーによる | ≥1.5μm | ±0.5 μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | N type または P type | >2μm | <50:1 μm (デザインによる) | 20μm | 1-30μm@ +/-10%、31-300μm @+/-20% | ハンドル, デバイスもしくは埋め込み層 |
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直径 mm
5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 600厚さ um
0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1,200 1,200 - 2,000抵抗率 Ω・cm
0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000結晶方位 度
100 - 101 101 - 112 112 - 211導電型
N/P N P成長方法
CZ MCZ FZ NTDFZ GDFZパーティクルサイズ μm
0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 110
