DSOI Wafer ウエハー直径 100mm | DSOI Wafer
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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デバイス層 (第一膜、第二膜) シリコン成長方法
デバイス層 (第一膜、第二膜) ドーパントタイプ
デバイス層 (第一膜、第二膜) ドーピング
デバイス層 (第一膜、第二膜) 厚さ 公差範囲
デバイス層 (第一膜、第二膜) 抵抗率
デバイス層 (第一膜、第二膜) 結晶方位
デバイス層 (第一膜、第二膜) 膜厚
ハンドル層 シリコン成長方法
ハンドル層 厚さ
ハンドル層 抵抗率
ハンドル層 結晶方位
ハンドル層 裏面処理
ハンドル層 重ね厚さ 範囲
ハンドル層ドーパント タイプ
ハンドル層ドーピング
ハンドル層厚さ 公差範囲
埋め込み酸化膜 熱酸化膜 埋め込み酸化膜厚さ
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型番
DSOI Wafer ウエハー直径 100mm
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シリーズ
DSOI Wafer
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DSOI Wafer DSOI Wafer ウエハー直径 100mmの性能表
| 商品画像 | 価格 (税抜) | デバイス層 (第一膜、第二膜) シリコン成長方法 | デバイス層 (第一膜、第二膜) ドーパントタイプ | デバイス層 (第一膜、第二膜) ドーピング | デバイス層 (第一膜、第二膜) 厚さ 公差範囲 | デバイス層 (第一膜、第二膜) 抵抗率 | デバイス層 (第一膜、第二膜) 結晶方位 | デバイス層 (第一膜、第二膜) 膜厚 | ハンドル層 シリコン成長方法 | ハンドル層 厚さ | ハンドル層 抵抗率 | ハンドル層 結晶方位 | ハンドル層 裏面処理 | ハンドル層 重ね厚さ 範囲 | ハンドル層ドーパント タイプ | ハンドル層ドーピング | ハンドル層厚さ 公差範囲 | 埋め込み酸化膜 熱酸化膜 埋め込み酸化膜厚さ |
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要見積もり | CZ、MCZ or FZ | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ±0.5 μm | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | 100、111 or 110 | ≥1.5μm | CZ、MCZ or FZ | 200-1,100μm | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | 100、111 or 110 | ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる | 280-1,150μm | NまたはP | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ±5μm | 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる |
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のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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