CSOI Wafer ウエハー直径 125mm | CSOI Wafer
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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デバイス 厚さ 公差範囲
デバイス層 キャビティーSPAN (幅) :薄膜 (デバイス) 厚みの比
デバイス層 キャビティーの深さ
デバイス層 キャビティー作成箇所
デバイス層 シリコン成長方法
デバイス層 ドーパントタイプ
デバイス層 ドーピング
デバイス層 低効率
デバイス層 埋め込み層のインプラ
デバイス層 最小 ボンディングサイズ特徴
デバイス層 結晶方位
デバイス層 薄膜 厚さ/SOI 厚さ
デバイス層膜厚
ハンドル 厚さ
ハンドル厚さ 公差範囲
ハンドル層 シリコン成長方法
ハンドル層 ドーパント タイプ
ハンドル層 ドーピング
ハンドル層 抵抗率
ハンドル層 結晶方位
ハンドル層 裏面処理
ハンドル層 重ね厚さ 範囲
埋め込み酸化膜 熱酸化膜 埋め込み酸化膜
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型番
CSOI Wafer ウエハー直径 125mm
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シリーズ
CSOI Wafer
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CSOI Wafer CSOI Wafer ウエハー直径 125mmの性能表
| 商品画像 | 価格 (税抜) | デバイス 厚さ 公差範囲 | デバイス層 キャビティーSPAN (幅) :薄膜 (デバイス) 厚みの比 | デバイス層 キャビティーの深さ | デバイス層 キャビティー作成箇所 | デバイス層 シリコン成長方法 | デバイス層 ドーパントタイプ | デバイス層 ドーピング | デバイス層 低効率 | デバイス層 埋め込み層のインプラ | デバイス層 最小 ボンディングサイズ特徴 | デバイス層 結晶方位 | デバイス層 薄膜 厚さ/SOI 厚さ | デバイス層膜厚 | ハンドル 厚さ | ハンドル厚さ 公差範囲 | ハンドル層 シリコン成長方法 | ハンドル層 ドーパント タイプ | ハンドル層 ドーピング | ハンドル層 抵抗率 | ハンドル層 結晶方位 | ハンドル層 裏面処理 | ハンドル層 重ね厚さ 範囲 | 埋め込み酸化膜 熱酸化膜 埋め込み酸化膜 |
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要見積もり | ±0.5 μm | <50:1 μm (デザインによる) | 1-30μm@ +/-10%、31-300μm @+/-20% | ハンドル, デバイスもしくは埋め込み層 | CZ、MCZ or FZ | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | N type または P type | 20μm | 100、111 or 110 | >2μm | ≥1.5μm | 200-1,100μm | ±5μm | CZ、MCZ or FZ | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | 100、111 or 110 | ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる | 280-1,150μm | 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両ウエハーによる |
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のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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