CSOI Wafer アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
この製品について
■提案例
・アイスモスの高度なボンディング技術とその専門知識 ・解放時の付着問題の減少 ・簡潔な製造フロー ・低コストなCavity SOI/Si-Siソリューション ・必要なアプリケーションに沿った自由度の高い構造 様々な方法でお客様のキャビティーボンディングSOIの方法を要求に合わせて提供し、必要に応じてCavity-SAMやAuto Visual Inspection検査を含むことができます。 利点を組み込み高度な特徴をキャビティーボンディング SOI に追加、可能性を開拓します。■アプリケーション
・圧力センサー ・マイクロフォン ・慣性MEMS ・マイクロ流体デバイス ・共振器■最終市場
・テレコミニケーション ・医療 ・自動車 ・家電 ・楽器-
シリーズ
CSOI Wafer
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CSOI Wafer 品番3件
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| まとめて問合せ・見積 | 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | ハンドル 厚さ | ハンドル厚さ 公差範囲 | ハンドル層 重ね厚さ 範囲 | ハンドル層 ドーパント タイプ | ハンドル層 ドーピング | ハンドル層 抵抗率 | ハンドル層 シリコン成長方法 | ハンドル層 結晶方位 | ハンドル層 裏面処理 | 埋め込み酸化膜 熱酸化膜 埋め込み酸化膜 | デバイス層膜厚 | デバイス 厚さ 公差範囲 | デバイス層 ドーパントタイプ | デバイス層 ドーピング | デバイス層 低効率 | デバイス層 シリコン成長方法 | デバイス層 結晶方位 | デバイス層 埋め込み層のインプラ | デバイス層 薄膜 厚さ/SOI 厚さ | デバイス層 キャビティーSPAN (幅) :薄膜 (デバイス) 厚みの比 | デバイス層 最小 ボンディングサイズ特徴 | デバイス層 キャビティーの深さ | デバイス層 キャビティー作成箇所 |
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CSOI Wafer ウエハー直径 100mm |
要見積もり | 200-1,100μm | ±5μm | 280-1,150μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる | 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両ウエハーによる | ≥1.5μm | ±0.5 μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | N type または P type | >2μm | <50:1 μm (デザインによる) | 20μm | 1-30μm@ +/-10%、31-300μm @+/-20% | ハンドル, デバイスもしくは埋め込み層 | |
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CSOI Wafer ウエハー直径 125mm |
要見積もり | 200-1,100μm | ±5μm | 280-1,150μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる | 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両ウエハーによる | ≥1.5μm | ±0.5 μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | N type または P type | >2μm | <50:1 μm (デザインによる) | 20μm | 1-30μm@ +/-10%、31-300μm @+/-20% | ハンドル, デバイスもしくは埋め込み層 | |
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CSOI Wafer ウエハー直径 150mm |
要見積もり | 200-1,100μm | ±5μm | 280-1,150μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる | 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両ウエハーによる | ≥1.5μm | ±0.5 μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | N type または P type | >2μm | <50:1 μm (デザインによる) | 20μm | 1-30μm@ +/-10%、31-300μm @+/-20% | ハンドル, デバイスもしくは埋め込み層 |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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