TSOI Wafer ウエハー直径 150mm | TSOI Wafer
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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デバイス 厚さ 公差範囲
デバイス層 シリコン成長方法
デバイス層 トレンチ マスクタイプ
デバイス層 トレンチ マスクトーン
デバイス層 トレンチアスペクト比
デバイス層 トレンチライン幅
デバイス層 トレンチ埋め込み-ポリシリコン
デバイス層 トレンチ埋め込み-酸化膜 (両側面)
デバイス層 トレンチ横拡散ドーピング
デバイス層 ドーパントタイプ
デバイス層 ドーピング
デバイス層 低効率
デバイス層 埋め込み層インプラ
デバイス層 平坦化
デバイス層 最終フィールド酸化膜
デバイス層 結晶方位
デバイス層膜厚
ハンドル 厚さ
ハンドル厚さ 公差範囲
ハンドル層 シリコン成長方法
ハンドル層 ドーパント タイプ
ハンドル層 ドーピング
ハンドル層 抵抗率
ハンドル層 結晶方位
ハンドル層 裏面処理
ハンドル層 重ね厚さ 範囲
埋め込み酸化膜 熱酸化膜 埋め込み酸化膜
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型番
TSOI Wafer ウエハー直径 150mm
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シリーズ
TSOI Wafer
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TSOI Wafer TSOI Wafer ウエハー直径 150mmの性能表
| 商品画像 | 価格 (税抜) | デバイス 厚さ 公差範囲 | デバイス層 シリコン成長方法 | デバイス層 トレンチ マスクタイプ | デバイス層 トレンチ マスクトーン | デバイス層 トレンチアスペクト比 | デバイス層 トレンチライン幅 | デバイス層 トレンチ埋め込み-ポリシリコン | デバイス層 トレンチ埋め込み-酸化膜 (両側面) | デバイス層 トレンチ横拡散ドーピング | デバイス層 ドーパントタイプ | デバイス層 ドーピング | デバイス層 低効率 | デバイス層 埋め込み層インプラ | デバイス層 平坦化 | デバイス層 最終フィールド酸化膜 | デバイス層 結晶方位 | デバイス層膜厚 | ハンドル 厚さ | ハンドル厚さ 公差範囲 | ハンドル層 シリコン成長方法 | ハンドル層 ドーパント タイプ | ハンドル層 ドーピング | ハンドル層 抵抗率 | ハンドル層 結晶方位 | ハンドル層 裏面処理 | ハンドル層 重ね厚さ 範囲 | 埋め込み酸化膜 熱酸化膜 埋め込み酸化膜 |
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要見積もり | ±0.5 μm | CZ、MCZ or FZ | E-beam master for projection aligner | Positive Resist | 15:1 | >2μm | To full (ドープまたはノンドープのポリシリコン) | 0.1-1.0μm | Phosphorus | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | N type または P type | CMP | 熱酸化膜+TEOS 1μmまで | 100、111 or 110 | ≥1.5-100μm | 350-800μm | ±5μm | CZ、MCZ or FZ | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | 100、111 or 110 | ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる | 350-1,150μm | 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる |
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のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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