XCSW製 化合物・半導体結晶 CZ法シリコンウェハ 株式会社トゥーリーズ
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この製品について
■XCSW社
XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。■特徴
・ドープ濃度の多寡を選択することができるCZ法シリコンはICチップ、ダイオード、太陽電池パネルなどに使われています。ガリウムやゲルマニウムをドープすることによって、更に高効率、耐放射性及び縮退防止太陽電池素材としても活用されます。 ・CZ育成法で製作したSiウェハーはN型P型どちらでも対応でき、高濃度ドーピングすることによって低抵抗Siウェハの提供を可能とします。面方位<110>は新世代Siウェハーとして刮目されております。-
シリーズ
XCSW製 化合物・半導体結晶 CZ法シリコンウェハ
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取扱企業
株式会社トゥーリーズ
シリコンウェハ注目ランキング
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XCSW製 化合物・半導体結晶 CZ法シリコンウェハ 品番3件
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| まとめて問合せ・見積 | 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 育成法 | 導電型 | 面方位 | φ直径 (インチ) | 抵抗値 (Ω・cm) | 直径 | 厚さ | プライマリーフラット長さ | プライマリーフラット方位 | セカンダリーフラット長さ | セカンダリーフラット方位 | TTV | Bow | Warp | 表面仕上げ | LPD | 裏面 | チッピング |
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CZ-Si |
要見積もり | CZ | N or P | <100>,<110>,<111> | 3~8 | >1~300 | 76.2~200mm | 160以上 | 57.5±2.5mm | <001>±1° | 無し | 無し | ≦5um | ≦40um | ≦40um | 化学機械研磨 | ≧0.3um at ≦15pcs | エッチド | 無し | |
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MCZ-Si |
要見積もり | MCZ | N or P | <100>,<110>,<111> | 3~8 | >1~300 | 76.2~200mm | 160以上 | 57.5±2.5mm | <001>±1° | 無し | 無し | ≦5um | ≦40um | ≦40um | 化学機械研磨 | ≧0.3um at ≦15pcs | エッチド | 無し | |
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高濃度CZ-Si |
要見積もり | 高濃度CZ | N or P | <100>,<110>,<111> | 3~8 | >0.001~1 | 76.2~200mm | 160以上 | 57.5±2.5mm | <001>±1° | 無し | 無し | ≦5um | ≦40um | ≦40um | 化学機械研磨 | ≧0.3um at ≦15pcs | エッチド | 無し |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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